用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè),分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動(dòng)態(tài) 范圍)
標(biāo)簽: THD SINAD ENOB SFDR
上傳時(shí)間: 2014-01-22
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基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間: 2014-08-01
上傳用戶:1109003457
計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行,運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間: 2013-10-11
上傳用戶:gtzj
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時(shí)間: 2013-10-31
上傳用戶:summery
開關(guān)電源設(shè)計(jì)筆記-幾分鐘搞定一款LED電源
標(biāo)簽: LED 開關(guān)電源設(shè)計(jì) 分 電源
上傳時(shí)間: 2013-10-14
上傳用戶:wenwiang
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時(shí)間: 2013-11-12
上傳用戶:thesk123
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源
上傳用戶:immanuel2006
透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。
標(biāo)簽: 輸入電容 電流
上傳時(shí)間: 2013-11-11
上傳用戶:jelenecheung
為了研究既簡(jiǎn)單又具有優(yōu)良動(dòng)、靜態(tài)性能的逆變電源控制方案,介紹一套全新的帶有自適應(yīng)功能的逆變電源模糊參數(shù)自整定系統(tǒng),并通過MATLAB/SIMULINK仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方法能夠出色滿足各項(xiàng)苛刻性能指標(biāo)要求,具有十分廣闊的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽: 模糊 參數(shù)自適應(yīng) 自整定 系統(tǒng)研究
上傳時(shí)間: 2013-11-22
上傳用戶:完瑪才讓
差動(dòng)保護(hù)整定范例一: 三圈變壓器參數(shù)如下表: 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn,y,d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側(cè)TA變比nTA 300/5 35KV側(cè)TA變比nTA 1000/5 10KV側(cè)TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側(cè)雙分支 調(diào)壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數(shù)Kjx 當(dāng)為Y接線時(shí)為1,當(dāng)為Δ接線時(shí)為 區(qū)外三相最大短路電流 假設(shè)為1000A(此值需根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況計(jì)算確定) 計(jì)算: 高壓側(cè)二次額定電流 中壓側(cè)二次額定電流 低壓側(cè)二次額定電流
標(biāo)簽: 變壓器 差動(dòng)保護(hù) 工程師 整定
上傳時(shí)間: 2013-11-01
上傳用戶:edisonfather
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