FC162是一款低功耗，高速，高噪聲容限，EPROM/ROM基于8位CMOS工藝制造的單片機，采用RISC指令集，共有42條指令， 除分支指令為兩個周期指令以外其余為單周期指令。這種易用、易記的指令集大大縮短了開發(fā)時間。 FC162包含了上電復(fù)位(Power-on Reset POR)，掉電復(fù)位(Brown-out Reset BOR)， 上電復(fù)位計數(shù)器（Power-up Reset Timer PWRT），振蕩啟動計數(shù)器 (Oscillator Start-up Timer OST)， 看門狗定時器(Watchdog Timer)， EPROM/ROM， SRAM，雙向三 態(tài)I/O口，（可以設(shè)置為上拉/下拉）， 省電睡眠模式， 一個帶8位預(yù)置器的8位定時/計數(shù)器，獨立中斷，睡眠喚醒模式和可靠的代碼保 護，有兩個振蕩源可供用戶配置選擇，包含省電振蕩源和低功耗振蕩器。 FC162可訪問256×13的程序存儲空間。 FC162能直接或間接訪問寄存器以及數(shù)據(jù)存儲區(qū)，所有的特殊功能寄存器分布在數(shù)據(jù)存儲區(qū)同時包含特定的程序指針。
標簽： fc162
上傳時間： 2021-11-13
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目錄前言4簡介6 1 范圍72 規(guī)范性引用文件73 術(shù)語和定義74 試驗要求104.1 所需特性104.1.1 基本運動104.1.2 虛假運動104.1.3 信號容差114.1.4 振幅公差114.1.5 頻率公差114.1.6 掃描124.2 控制策略124.2.1 單點/多點控制124.2.2 多參考控制134.3 安裝135 嚴重程度135.1 頻率范圍145.1.1 低頻f Hz 1415.1.2 高頻f Hz 142
上傳時間： 2021-12-11
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臺灣數(shù)能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅(qū)動芯片，高達30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調(diào)節(jié)電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應(yīng)用場景如下： 一般 LED 照明 LCD 背光 商業(yè)照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉(zhuǎn)向流星燈備註：雙色溫調(diào)光調(diào)色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時間延時不同。多顆電容順序增大，就能產(chǎn)流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據(jù)實際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。
上傳時間： 2022-01-07
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在各種小電子中，常用到電容降壓電路，但如何取電容的容量，則許多電子愛好者并不是很清楚。在電路中可先把降壓電容看成是一個電阻，根據(jù)電阻分壓的原理計算降壓電容的等效阻抗，再根據(jù)容抗公式，計算出電容的容量。
上傳時間： 2022-01-07
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電子電源，有需要得可以下載學習。相鄰層不同的電源平面要避免交疊放置，以防止噪 聲的互擾 v 模擬電源和模擬地；數(shù)字電源和數(shù)字地，在平面層 分割時要嚴格分開，不要在平面上存在容性耦合 v 電源的分割區(qū)域要正確，模擬電源區(qū)域上要避免有 數(shù)字信號和數(shù)字器件，數(shù)字電源區(qū)域上要避免有模 擬信號和模擬器件，以防止噪聲的互擾。 v 信號不允許跨越分割平面,如不可避免，要適當加跨 接電容形成信號回流通道。 v 電源層要比地層內(nèi)縮1mm,并在內(nèi)縮區(qū)域每隔150mil 打屏蔽地過孔
上傳時間： 2022-02-05
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PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動態(tài)和技術(shù)，自學了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結(jié)出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造 1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉(zhuǎn)的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當原子彼此靠近時，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學鍵，化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發(fā)明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發(fā)明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出； 3、半導(dǎo)體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結(jié)），當結(jié)上為正向偏壓時可以導(dǎo)通電流，當反向偏壓時則電流停止； c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結(jié)組合成一個器件，導(dǎo)致了之！
上傳時間： 2022-02-06
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虛擬現(xiàn)實技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀與發(fā)展-許微虛擬現(xiàn)實技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀與發(fā)展 許 微 (中國地質(zhì)大學(武漢) 信息工程學院 ,湖北 武漢 430074) 摘 要 :虛擬現(xiàn)實技術(shù)是一門新興邊緣的技術(shù) ,研究內(nèi)容涉及多個領(lǐng)域 ,應(yīng)用十分廣泛 ,被公認為是 21 世紀重要的發(fā) 展學科以及影響人們生活的重要技術(shù)之一。從虛擬現(xiàn)實的概念出發(fā) ,對虛擬現(xiàn)實技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀進行了充分論述 , 并展望了虛擬現(xiàn)實的發(fā)展趨勢。 關(guān)鍵詞 :虛擬現(xiàn)實 ;研究現(xiàn)況 ;發(fā)展趨勢 中圖分類號 : F061. 3 文獻標識碼 :A 文章編號 :167223198 (2009) 0220279202 1 虛擬現(xiàn)實 虛擬現(xiàn)實(Virtual Reality ,簡稱 VR) ,又譯為臨境 , 靈 境等。從應(yīng)用上看它是一種綜合計算機圖形技術(shù)、多媒體 技術(shù)、人機交互技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、立體顯示技術(shù)及仿真技術(shù) 等多種科學技術(shù)綜合發(fā)展起來的計算機領(lǐng)域的最新技術(shù) , 也是力學、數(shù)學、光學、機構(gòu)運動學等各種學科的綜合應(yīng)用。 這種計算機領(lǐng)域最新技術(shù)的特點在于以模仿的方式為用戶 創(chuàng)造一種虛擬的環(huán)境 ,通過視、聽、觸等感知行為使得用戶 產(chǎn)生一種沉浸于虛擬環(huán)境的感覺 ,并與虛擬環(huán)境相互作用 從而引起虛擬環(huán)境的實時變化。現(xiàn)在與虛擬現(xiàn)實有關(guān)的內(nèi) 容已經(jīng)擴大到與之相關(guān)的許多方面 ,如“人工現(xiàn)實”(Artifi2 cial Reality) 、“遙在”( Telepresence) 、“虛擬環(huán)境”( Virtual Environment) “、賽博空間”(Cyberspace) 等等。 2 國外虛擬現(xiàn)實技術(shù)研究現(xiàn)狀 計算機的發(fā)展提供了一種計算工具和分析工具 ,并因 此導(dǎo)致了許多解決問題的新方法的產(chǎn)生。虛擬現(xiàn)實技術(shù)的 產(chǎn)生與發(fā)展也同樣如此 ,概括的國內(nèi)外虛擬現(xiàn)實技術(shù) ,它主 要涉及到三個研究領(lǐng)域 :通過計算圖形方式建立實時的三 維視覺效果 ;建立對虛擬世界的觀察界面 ;使用虛擬現(xiàn)實技 術(shù)加強諸如科學計算技術(shù)等方面的應(yīng)用。 2. 1 VR 技術(shù)在美國的研究現(xiàn)狀 美國是虛擬現(xiàn)實技術(shù)研究的發(fā)源地 ,虛擬現(xiàn)實技術(shù)可 以追溯到上世紀 40 年代。最初的研究應(yīng)用主要集中在美 國軍方對飛行駕駛員與宇航員的模擬訓練。然而 , 隨著冷 戰(zhàn)后美國軍費的削減 ,這些技術(shù)逐步轉(zhuǎn)為民用. 目前美國在 該領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究主要集中在感知、用戶界面、后臺軟件和 硬件四個方面。 上世紀 80 年代 ,美國宇航局 (NASA) 及美國國防部組 織了一系列有關(guān)虛擬現(xiàn)實技術(shù)的研究 ,并取得了令人矚目 的研究成果 ,美國宇航局 Ames 實驗室致力于一個叫“虛擬 行星探索”(VPE) 的實驗計劃。現(xiàn) NASA 已經(jīng)建立了航空、
標簽： 虛擬現(xiàn)實
上傳時間： 2022-03-17
上傳用戶：得之我幸78
內(nèi) 容 簡 介 本書以最新流行的不需要外部晶振與復(fù)位電路的可仿真的高速 STC15 系列單片機為核心，詳細介紹了 單片機內(nèi)部功能模塊，比如定時器、中斷、串口、SPI 接口、片內(nèi)比較器、ADC 轉(zhuǎn)換器、可編程計數(shù)器陣列 (CCP/PCA/PWM)等。每個重要知識點都有簡短精煉的實例作驗證，然后就是單片機常用外圍接口的介紹與 STC15 系列單片機的實際產(chǎn)品運用實例分析。另外對單片機開發(fā)必須掌握的 C 語言基礎(chǔ)知識與 Keil 開發(fā)環(huán) 境也作了較為詳細的介紹，對于沒有學習過 C 語言的讀者通過本書也能輕松進入以 C 語言開發(fā)單片機的學 習狀態(tài)。 為了快速驗證本書的理論知識，作者設(shè)計了與本書配套的雙核（兩個仿真型單片機）實驗板，功能強 大，操作簡單，直觀，除用于本書實驗測試外，也可用于產(chǎn)品前期開發(fā)。 本書可作為普通高校計算機類、電子類、自動控制類、儀器儀表類、機電一體化類等相關(guān)專業(yè)教學用書， 對已有一定設(shè)計經(jīng)驗的單片機工程師也有重要參考價值
標簽： 51單片機
上傳時間： 2022-03-24
上傳用戶：zhaiyawei
本文對PWM全橋軟開關(guān)直流變換器進行了研究。具體闡述了PWM全橋ZS軟開關(guān)直流變換器的工作原理和軟開關(guān)的實現(xiàn)條件，就基本的移相控制FB ZVS PWM變換器存在的問題給予分析并對兩種改進方案進行了研究：1、能在全部工作范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)的改進型全橋移相zvs-PWM DCDC變換器，文中通過對其開關(guān)過程的分析，得出實現(xiàn)全負載范圍內(nèi)零電壓開關(guān)的條件。采用改進方案設(shè)計了一臺48V~6 VDC/DC變換器，實驗結(jié)果證明其比基本的 ZVS-PWM變換器具有更好的軟開關(guān)性能。2、采用輔助網(wǎng)絡(luò)的全橋移相 ZVZCS-PWM DCDC變換器，文中具體分析了其工作原理及變換器特性，并進行實驗研究隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，功率變換器在開關(guān)電源、不間斷電源、CPU電源照明、電機驅(qū)動控制、感應(yīng)加熱、電網(wǎng)的無功補償和諧波治理等眾多領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用，電力電子技術(shù)高頻化的發(fā)展趨勢使功率變換器的重量大大減輕體積大大減小，提高了產(chǎn)品的性能價格比，但采用傳統(tǒng)的硬開關(guān)技術(shù)，開關(guān)損耗將隨著開關(guān)頻率的提高而成正比地增加，限制了開關(guān)的高頻化提高功率開關(guān)器件本身的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗，另一方面，從變換器結(jié)構(gòu)和控制上改善功率開關(guān)器件的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗。如緩沖技術(shù)、無損緩沖技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)等軟開關(guān)技術(shù)在減少功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗方面效果比較好，理論上可使開關(guān)損耗減少為零。12軟開關(guān)技術(shù)的原理和類型功率變換器通常采用PwM技術(shù)來實現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。硬開關(guān)技術(shù)在每次開關(guān)通斷期間功率器件突然通斷全部的負載電流，或者功率器件兩端電壓在開通時通過開關(guān)釋放能量，這種方式的工作狀況下必將造成比較大的開關(guān)損耗和開關(guān)應(yīng)力，使開關(guān)頻率不能做得很高。軟開關(guān)技術(shù)是利用感性和容性元件的諧振原理，在導(dǎo)通前使功率開關(guān)器件兩端的電壓降為零，而關(guān)斷時先使功率開關(guān)器件中電流下降到零，實現(xiàn)功率開關(guān)器件的零損耗開通和關(guān)斷，并且減少開關(guān)應(yīng)力。
標簽： 移相全橋
上傳時間： 2022-03-29
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IC封裝前仿和后仿的PI/SI/EMC分析直流壓降-仿真直流壓降，電流密度分布，功率密度分布，電阻網(wǎng)絡(luò)2.電源完整性-分析電源分配系統(tǒng)的性能，評估不同的疊層，電容容值選擇和放置方法，最佳性價比優(yōu)化去耦電容3.信號完整性一分析信號回流路徑的不連續(xù)性，分析串擾和SSN/SS0，分析信號延遲，畸變，抖動和眼圖4.電磁兼容一分析電磁干擾和輻射寬帶模型抽取-提取電源分配網(wǎng)絡(luò)的精確寬帶模型，信號和電源/地模型
標簽： sip
上傳時間： 2022-04-03
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