【摘要】闡述了模數轉換器的靜態參數和動態參數測試原理和方法，并且構建了模數轉換器的自動測試硬件平臺和軟件系統.重點討論了利用Matlab庫函數進行快速傅立葉變換測試的方法，使用ADC自動測試系統對高速模數轉換器SCM530101進行了測試，并給出了測試結果.【關鍵詞】模數轉換器；碼密度；快速傅立葉變換過去由模擬電路實現的工作，今天越來越多地由數字電路或計算機來處理，特別是近幾年來，國內的通訊和多媒體技術迅猛發展，數字產品成為目前以及未來產品的主流.作為模擬與數字之間的橋梁，ADC的應用領域越來越廣，特別是在數字信號處理、雷達信號分析、醫用成像設備、高速數據采集等應用方面.ADC器件不斷向高速、高精度的方向飛速發展，當高精度的ADC應用于通訊、音頻或視頻領域時，對ADC的性能參數的分析便顯得尤為重要.然而，目前的測試方法具有適應性差、只適合分析某種特定的ADC、不能分析多種動態性能參數、使用不方便等缺點
上傳時間： 2022-06-24
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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21世紀，電子領域發展迅速，使得由集成電路構成的電子系統朝著大規模、小體積和高速度的方向發展。隨著芯片的體積越來越小，電路的開關速度越來越快，PCB的密度越來越大，信號的工作頻率越來越高，高速電路PCB的電磁兼容、信號完整性和電源完整性等問題一步步凸顯出來，并且相互緊密地交織在一起。其中最基礎的無疑是PCB版圖的設計，元器件的選取、布局的合理性、電磁兼容性等都是決定PCB版圖最終能否運行的關鍵因素，當然這也將決定生產出的芯片的好壞以及由芯片構成的電子系統的質量等等。本文通過選擇一張較為典型的高速單片開關電源圖，對其進行SCH圖以及PCB版圖的繪制，并就其會產生的電磁兼容問題進行分析和討論，提出抑制干擾的方法和手段，初步解決了單片開關電源的電磁兼容問題。關鍵詞：Protel99SE，EMC，開關電源，高速PCB，仿真
上傳時間： 2022-06-29
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5GNR信道編碼研究，信道編碼是 5G 的關鍵技術之一，描述了 5G 新空口（NR——New Radio Access）的低密度奇偶校驗碼（LDPCC——Low Density Parity Check Codes）和 極化碼（Polar Codes）的關鍵技術；通過仿真，比較了5G NR的信道編碼方案與 4G LTE信道編碼方案的性能。另外，還比較了這2代信道編碼技術的復雜度和 吞吐量。
標簽： 信道編碼
上傳時間： 2022-06-30
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摘要：本文介紹了使用Cadence APD完成一款SIP芯片BGA封裝的設計流程。結合Cadence APD在BGA封裝設計方面的強大功能，以圖文并茂、實際設計為例說明Cadence APD完成包含一塊基帶芯片和一塊RF芯片的BGA封裝的設計方法和設計流程。該設計方法對于SIP封裝設計、加速設計周期、降低開發成本具有直接的指導價值。關鍵詞：Cadence APD、SIP設計、BGA封裝設計1引言隨著通訊和消費類電子的飛速發展，電子產品、特別是便攜式產品不斷向小型化和多功能化發展，對集成電路產品提出了新的要求，更加注重多功能、高集成度、高性能、輕量化、高可靠性和低成本。而產品的快速更新換代，使得研發周期的縮短也越來越重要，更快的進入市場也就意味著更多的利潤。微電子封裝對集成電路（IC）產品的體積、性能、可靠性質量、成本等都有重要影響，IC成本的40%是用于封裝的，而產品失效率中超過25%的失效因素源自封裝，封裝已成為研發新一代電子系統的關鍵環節及制約因素（圖1.1）。系統封裝（Sip）具有高密度封裝、多功能化設計、較短的市場進入時間以及更低的開發成本等優勢，得到了越來越多的關注。國際上大的封裝廠商如ASE、Amkor、ASAT和Starchips等都已經推出了自己的SIP產品。
標簽： cadenceapd sip 芯片封裝
上傳時間： 2022-07-04
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與傳統PWM（脈寬調節）變換器不同，LLC是一種通過控制開關頻率（頻率調節）來實現輸出電壓恒定的諧振電路。 它的優點是：實現原邊兩個主MOS開關的零電壓開通(ZVS)和副邊整流二極管的零電流關斷(ZCS)，通過軟開關技術，可以降低電源的開關損耗，提高功率變換器的效率和功率密度。
標簽： LLC
上傳時間： 2022-07-04
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脈寬調制(PWM)DC/DC充全橋變換器適用于中大功率變換場合，為了實現其高效率、高功率密度和高可靠性，有必要研究其軟開關技術?！睹}寬調制DC/DC全橋變換器的軟開關技術（第二版）》系統闡述PWM DC/民金橋變換器的軟開關技術。系統提出DC/DC金橋變換器的一族PWM控制方式，并對這些PWM控制方式進行分析，指出為了實現PWM DC/DC全橋變換器的軟開關，必須引人超前橋臂和滯后橋臂的概念，而且超前橋臂只能實現零電壓開關(ZVS)，滯后橋臂可以實現ZVS或零電流開關(ZCS)鈕根據超前橋臂和滯后橋臀實現軟開關的方式，將軟開關PWM DC/DC全橋變換器歸納為ZVS和ZVZCS兩種類型，并討論這兩類變換器的電路拓撲、控制方式和工作原理。提出消除輸出整流二極管反向恢復引起的電壓振蕩的方法，包括加入籍位二極管與電流互感器和采用輸出倍流整流電路方法。介紹PWM DC/DC全橋變換器的主要元件，包括輸入濾波電容、高頻變壓器、輸出濾波電感和濾波電容的設計，介紹移相控制芯片UC3875的使用以及IGBT和MOSFET的驅動電路，給出一種采用ZVS PWM DC/DC全橋變換器的通訊用開關電源的設計實例。
標簽： 脈寬調制 DC/DC全橋變換器 軟開關
上傳時間： 2022-07-05
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確?？煽康碾娫垂琒igrity? PowerDC?應用于電熱協同仿真，熱點檢查，低壓大電流的 PCB和封裝產品電性能分析。PowerDC 針對于當前低壓大電流的 PCB 和封裝產品提供了全面的直流分析，并且集成了熱分析功能，實現電熱的混合仿真。通過 PowerDC 可以確保各器件端到端的電壓降裕量，進而確保電源網絡的穩定供應。PowerDC 可以快速檢測定位電流密度超標、溫度超標的區域進而降低產品的風險。PowerDC 提供業界唯一的電源模塊感應線自動優化功能，通過該功能快速實現當前設計電源的最優化。PowerDC 流程化的自動規則檢查功能，并結合可視化的選項與 DRC 規則檢查，幫助用戶快速提高產品性能
標簽： 直流壓降仿真
上傳時間： 2022-07-16
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簡介本參考手冊的目標應用程序開發人員。它提供了完整的信息如何使用stm8l05xx，stm8l15xx和stm8116xx微控制器的存儲器和外圍設備。該stm8l05xx/stm8115xx/stm8l16xx是一個家庭的不同存儲密度的微控制器和外圍設備。這些產品是專為超低功耗應用?？捎玫耐庠O的完整列表，請參閱產品數據表。訂購信息，引腳說明，機械和電氣設備的特點，請參閱產品數據表。關于STM8SWIM通信協議信息和調試模塊，請參閱用戶手冊（um0470）。在STM8的核心信息，請參閱STM8的CPU編程手冊（pm0044）。關于編程，擦除和保護的內部快閃記憶體，請參閱STM8L閃存編程手冊（pm0054）。
標簽： stm8l
上傳時間： 2022-07-17
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此評估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統性能，該電路通?？捎糜陔妱悠嚨目焖貲C充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設計，具有開爾文源極連接，可改善開關損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設有一個凹口，以增加蠕變距離，以適應更高電壓的SiC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時，評估轉換器級效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。
上傳時間： 2022-07-17
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