隔離+非隔離雙路12V轉(zhuǎn)5V DCDC電源模塊ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB+AD集成封裝庫文件，2層板設(shè)計(jì)，大小為54x35mm，Altium Designer 設(shè)計(jì)的工程文件，包括完整的原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，已制樣板測試驗(yàn)證，可作為你產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。集成封器件型號列表：Library Component Count : 13Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------0402 100nF (104) 10% 16V貼片電容0402 10KΩ (1002) 1%貼片電阻0402 1KΩ (1001) 1% 貼片電阻0402 5.1KΩ (5101) 1%貼片電阻0603 紅燈 發(fā)光二極管0603 綠燈 發(fā)光二極管0805 22uF (226) 20% 25V貼片電容0805 白燈 發(fā)光二極管DC-DC 12V-5V 隔離DC-DC 12V-5VHT396R-2P 彎針電源接口PH2.0 14PPOWER SOURCE 電源接口SOT-223 AMS1117-5.0 低壓差線性穩(wěn)壓(LDO)
標(biāo)簽： 電源模塊
上傳時(shí)間： 2021-12-16
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目前cPU+ Memory等系統(tǒng)集成的多芯片系統(tǒng)級封裝已經(jīng)成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統(tǒng)級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術(shù)，混載于同一封裝內(nèi)的一種系統(tǒng)集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發(fā)熱密度和熱阻，對封裝技術(shù)具有更大的挑戰(zhàn)。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數(shù)字電視（DTV）接收端子系統(tǒng)模塊設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上對CPU和DDR芯片進(jìn)行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結(jié)構(gòu)上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結(jié)構(gòu)，以引線鍵合的方式為互連，實(shí)現(xiàn)小型化系統(tǒng)級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導(dǎo)電膠將CPU和DDR芯片進(jìn)行了堆疊貼片，分析總結(jié)了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關(guān)鍵的是涂布材料不導(dǎo)電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進(jìn)行了高溫高濕試驗(yàn)，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進(jìn)行了建模，模型包括熱應(yīng)力和濕氣擴(kuò)散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環(huán)條件下，受到的應(yīng)力、應(yīng)變、以及可能出現(xiàn)的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結(jié)層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數(shù)以及芯片、粘結(jié)層的厚度等對封裝體應(yīng)力應(yīng)變的影響。并對封裝進(jìn)行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環(huán)境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環(huán)境下可能產(chǎn)生的可靠性問題進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。在經(jīng)過168小時(shí)濕氣預(yù)處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達(dá)到飽和。模擬結(jié)果表明濕應(yīng)力同樣對封裝的可靠性會產(chǎn)生重要影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果也證實(shí)了，SiP封裝在濕氣環(huán)境下引入的濕應(yīng)力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進(jìn)行了建模，對其在溫度循環(huán)條件下的應(yīng)力、應(yīng)變以及可能的失效形式進(jìn)行了分析。采用二水平正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法研究四層芯片、四層粘結(jié)薄膜、塑封料等9個(gè)封裝組件的厚度變化對芯片上最大應(yīng)力的影響，從而找到最主要的影響因子進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，最終得到更優(yōu)化的四層芯片疊層SiP封裝結(jié)構(gòu)。
標(biāo)簽： sip封裝
上傳時(shí)間： 2022-04-08
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我們代理的JeJu Semicon是韓國濟(jì)州半導(dǎo)體的nand flash是使用hynix 32nm晶元，封測在hynix 封測廠WINPAC進(jìn)行，廠商號是HYNIX的廠商號，就絲印改成JSC型號絲印。因此與hynix nand flash只是型號不一樣,硬件軟件上都是一樣的,直接更換貼片即。目前在網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)，可視樓宇產(chǎn)品，考勤機(jī)，人臉識別等產(chǎn)品大量出貨。 JSC品牌1G：JS27HU1G08SCN-25 對應(yīng)的hynix 1G 型號 H27U1G8F2CTR-BCJSC品牌2G：JS27HU2G08SCN-25 對應(yīng)的hynix 2G 型號 H27U2G8F2DTR-BCJSC品牌4G：JS27HU4G08SDN-25 對應(yīng)的hynix 4G 型號 H27U4G8F2ETR-BC
標(biāo)簽： HYNIX JSC NAND FLASH 規(guī)格書
上傳時(shí)間： 2022-05-25
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安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場所。4、雜水氟及踢光直射的場所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內(nèi)溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內(nèi)。5、安裝睛請硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時(shí)請使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時(shí)需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經(jīng)緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規(guī)格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內(nèi)。編碼器輸入綜20公尺以內(nèi)。配象時(shí)請以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀(jì)緣狀懲畸，請將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯溪勤作，請?zhí)较铝械耐茫赫堅(jiān)陔娫瓷霞尤虢?jīng)緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊(yùn)雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內(nèi)。
標(biāo)簽： tsda
上傳時(shí)間： 2022-05-28
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DXP常用PCB封裝庫，適合Altium Designer，下載可以直接使用
標(biāo)簽： dxp pcb 封裝庫 Altium Designer
上傳時(shí)間： 2022-05-31
上傳用戶：aben
LM2596 TO-263封裝庫，適合Altium Designer,下載可以直接使用
標(biāo)簽： LM2596 封裝 Altium Designer
上傳時(shí)間： 2022-05-31
上傳用戶：fliang
在Socket應(yīng)用開發(fā)中，還有一個(gè)話題是討論的比較多的，那就是數(shù)據(jù)接收后如何處理的問題。這也是一個(gè)令剛接觸Socket開發(fā)的人很頭疼的問題。因?yàn)镾ocket的TCP通訊中有一個(gè)“粘包”的現(xiàn)象，既：大多數(shù)時(shí)候發(fā)送端多次發(fā)送的小數(shù)據(jù)包會被連在一起被接收端同時(shí)接收到，多個(gè)小包被組成一個(gè)大包被接收。有時(shí)候一個(gè)大數(shù)據(jù)包又會被拆成多個(gè)小數(shù)據(jù)包發(fā)送。這樣就存在一個(gè)將數(shù)據(jù)包拆分和重新組合的問題。那么如何去處理這個(gè)問題呢？這就是我今天要講的通訊協(xié)議。所謂的協(xié)議就是通訊雙方協(xié)商并制定好要傳送的數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)與格式。并按制定好的格式去組合與分析數(shù)據(jù)。從而使數(shù)據(jù)得以被準(zhǔn)確的理解和處理。那么我們?nèi)绾稳ブ贫ㄍㄓ崊f(xié)議呢？很簡單，就是指定數(shù)據(jù)中各個(gè)字節(jié)所代表的意義。比如說：第一位代表封包頭，第二位代表封類型，第三、四位代表封包的數(shù)據(jù)長度。然后后面是實(shí)際的數(shù)據(jù)內(nèi)容。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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封裝作為微電子產(chǎn)業(yè)的三大支柱之一，在微電子產(chǎn)業(yè)中的地位越來越重要。隨著微電子產(chǎn)業(yè)不斷的發(fā)展，輕型化，薄型化，小型化的微小間距封裝成為發(fā)展需要。而封裝的相關(guān)失效成為制約封裝向前發(fā)展的瓶頸。本文通過大量的調(diào)研文獻(xiàn)，對封裝失效分析的目的，內(nèi)容和現(xiàn)狀進(jìn)行總結(jié)，并對封裝失效分析的未來發(fā)展進(jìn)行展望。本文的主題是對封裝中最重要的兩個(gè)方面引線鍵合和塑料封裝材料產(chǎn)生的相關(guān)失效進(jìn)行歸納總結(jié)。本文從封裝在微電子產(chǎn)業(yè)中的作用出發(fā)，引出對封裝的失效進(jìn)行分析的重要性，并說明了國內(nèi)外封裝產(chǎn)業(yè)的差距。對失效的基礎(chǔ)概念，失效的分類進(jìn)行了闡述；總結(jié)了進(jìn)行失效分析的相關(guān)流程和進(jìn)行失效分析最基本的方法和儀器。對封裝中最普遍的引線鍵合工藝和塑封工藝分別進(jìn)行了分析。對比了傳統(tǒng)的Au線，Al線與Cu線鍵合工藝，說明了Cu引線鍵合技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鍵合技術(shù)成為主流鍵合工藝的必然性；對Cu引線鍵合技術(shù)中出現(xiàn)的相關(guān)失效問題和國內(nèi)外的研究結(jié)果進(jìn)行了分析歸納。對塑料封裝材料的發(fā)展進(jìn)行了說明，指出環(huán)氧樹脂為主流塑料封裝材料的原因；對環(huán)氧樹脂的組成以及在使用環(huán)氧樹脂過程中出現(xiàn)的相關(guān)失效進(jìn)行了歸納，并總結(jié)了環(huán)氧樹脂未來的發(fā)展方向。
上傳時(shí)間： 2022-06-24
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說明：本檔案相關(guān)要求來源《GJB3007A-2009防靜電工作區(qū)技術(shù)要求）標(biāo)準(zhǔn)參考：1.GJB3007A-2009防靜電工作區(qū)技術(shù)要求2.SJT10694-2006電子產(chǎn)品制造與應(yīng)用系統(tǒng)防靜電檢測通用規(guī)范3.B15463靜電安全名詞術(shù)語4.GJBZ25-1991電子設(shè)備和設(shè)施的接地·搭接和屏蔽設(shè)計(jì)指南5.GlB 2605-1996可熱封柔韌性防簡電阻隔材料規(guī)范6.GJB1649-1993電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱7.GB12014-1989防前電工作服8.GB50174-93電子計(jì)算機(jī)機(jī)房設(shè)計(jì)規(guī)范9.GB4385-1995防靜電鞋·導(dǎo)電鞋技術(shù)要求10.SJT10796-2001防靜電活動地板通用規(guī)范11.GB50169-2006接地裝置施工及驗(yàn)收規(guī)范
上傳時(shí)間： 2022-07-11
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SMT（Surface mount technology）是可在“板面上”滿及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術(shù).侵貼：1.可在板上雨成同特焊接，封裝密度提高50~70%.WW2.l短，提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化，快速，成本低.1.表面貼裝零件SOIC（small outline integrate circle）RESISTANCE（電阻）CAPACITANCE（電容）AMPLCC（plastic leaded chip carriers）CONNECT etc.（結(jié)器）封裝材料1.）陶瓷（BeO）：精度高，密封度高（CTE：5～7PPM/℃）封板子熟膨服要求高2.）聚硫胺醚（Polyetherimide）：一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖，機(jī)械，電子性能侵良AwIR各波皆敏感，易分解，生“酸泡”現(xiàn)象.3.）熔融矽砂（Fused silica），暖氧橫脂
標(biāo)簽： fpc
上傳時(shí)間： 2022-07-27
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