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射頻收發(fā)芯片

SX1278擴頻技術433M無線模塊

APC340是高度集成低功耗雙工無線數據傳輸模塊，其嵌入高速低功耗單片機和高性能擴頻射頻芯片SX1276/8，同時采用高效的循環交織糾檢錯編碼，抗干擾和靈敏度均處于行業最領先水平，APC340提供了多個頻道選擇，可在線修改串口速率，收發頻率，發射功率，射頻速率等各種參數。APC340工作電壓為2.1-3.6V，可定制3.5-5.5V工作電壓，在接收狀態下僅消耗13mA，APC340有四種工作模式，各模式之間可任意切換，在1SEC周期輪詢喚醒省電模式（Polling mode）F，接收僅僅消耗幾+uA，一節3.6V/3.6AH時的鋰亞電池可工作數年，非常適合電池供電的系統。應用：無線水氣熱表抄表極遠距離數據通訊無線傳感器網絡無線自動化數據采集野外數據遙控、遙測各種變送器，流量計智能儀表樓宇小區自動化與安防礦山石油設備控制通訊環境、節能、溫度監測電氣電力設備

標簽： sx1278 擴頻技術無線模塊

上傳時間： 2022-06-19

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幾種用于IGBT驅動的集成芯片

在一般較低性能的三相電壓源逆變器中，各種與電流相關的性能控制，通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時，這一檢測結果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現過流保護等功能。因此在這種逆變器中，對IGBT 驅動電路的要求相對比較簡單，成本也比較低。這種類型的驅動芯片主要有東芝公司生產的TLP250，夏普公司生產的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個GaAlAs 光發射二極管和一個集成光探測器， 8腳雙列封裝結構。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅動電路。圖2為TLP250 的內部結構簡圖，表1 給出了其工作時的真值表。TLP250 的典型特征如下：1）輸入閾值電流（ IF）： 5 mA（最大）；2）電源電流（ ICC）： 11 mA（最大）；3）電源電壓（ VCC）： 10～ 35 V；4）輸出電流（ IO）： ± 0.5 A（最小）；5）開關時間（ tPLH /tPHL ）： 0.5 μ（ s 最大）；6）隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開關特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注：使用 TLP250 時應在管腳 8和 5 間連接一個 0.1 μ的 F 陶瓷電容來穩定高增益線性放大器的工作，提供的旁路作用失效會損壞開關性能，電容和光耦之間的引線長度不應超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應用電路。

標簽： igbt

上傳時間： 2022-06-20

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WCDMA基站射頻電路及天線的設計

隨著個人通信和移動通信技術在世界范圍內的迅猛發展，人們對移動通信的服務質量要求也越來越高.WCDMA（Wideband Code Division Multiple Access）作為第三代移動通信系統的三大標準之一，因為具有優良的通信質量和較高的頻譜利用率而被廣泛應用.在WCDMA接收機中，射頻前端電路占有重要的地位，其性能優劣直按影響著接收機的接收靈敏度以及后繼信號處理部分的性能.因此，進行WCDMA射頻電路的研究和設計具有重要的現實意義.天線和低噪聲放大器（LNA）是射頻（RF）接收機芯片的重要組成部分。本文在廣泛查閱國內、外參考文獻的基礎上，對微帶天線的寬頻帶技術和LNA的設計原理進行了深入地研究.綜合多種寬頻帶技術，本文采用L形探針饋電與雙E形槽貼片相結合的方法，提出了一款適合于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線結構。利用電磁仿真軟件HFSS對該天線的性能進行了研究，研究了天線貼片尺寸對天線性能的影響。在此基礎上，優化設計了適用于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線，并對其進行了加工、測試和分析，仿真和測試結果均表明，該天線-10dB回波損耗帶寬為520MHz，天線在2GHz的增益為7.88dBi，滿足WCDMA基站的要求.另外，本文還根據WCDMA基站對LNA性能的要求，利用仿真軟件ADS（Advanced Design System）設計了一款高線性的兩級平衡低噪聲放大器，給出了電路原理圖，并制作了版圖，結果表明，該低噪聲放大器在1.92GH2~1.98GHz頻段增益不低于30dB，噪聲系數小于1dB，滿足WCDMA的要求，具有一定的實用價值。

標簽： wcdma 基站射頻電路天線

上傳時間： 2022-06-20

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FDD+LTE基站收發模塊射頻性能測試與調試.

隨著現代移動通信系統在全球商用化的快速推進與蓬勃發展，以及通信系統日益增長的高速多媒體數據業務需求，新一代移動通信系統需要更多更先進的技術來實現更高的傳輸速率和系統容量，目前世界各國已將研究重點轉入第四代移動通信系統的研究和開發。第三代合作伙伴計劃（3GPP）通用移動通信系統技術的長期演進（LTE）作為第四代移動通信系統的主要研究技術方向，具有高速率、高系統容量、良好兼容性、應用更多先進技術等特點。基站收發機在移動通信系統中特別是LTE基站中起著十分重要的作用，也是基站重要功能組成部分之一。收發機的射頻性能直接決定了基站通信質量以及能否正常運行，在正常使用過程中，基站與其他通信設備之間是否互相影響與相互間是否造成干擾也是收發機射頻應用部分重點關注的問題之一。本課題將通過完成基站射頻收發機項目的研發和應用，包括頻分雙工（FDD）LTE基站射頻系統測試與調試，對射頻收發模塊關鍵技術指標與電路進行研究，對收發鏈路重要參數進行說明，并分析測試原理與意義，介紹測試系統與平臺、測試方法和技術要點。在本文研究過程中，主要包括三個方面的工作：1）介紹FDD LTE基站收發模塊系統的基本結構，并對其關鍵技術進行研究，比如收發射頻鏈路，數字預失真等。

標簽： fdd lte 基站

上傳時間： 2022-06-20

上傳用戶：fliang
北斗二代導航系統接收機射頻前端設計

本文首先介紹了衛星導航接收機的發展現狀與趨勢。接著對比分析了現如今主流的接收機技術：超外差式、零中頻式、低中頻式及數字中頻式結構，介紹了各結構的拓撲結構并對比了相互之間的優缺點，然后根據B1導航信號的特征參數要求，確定本文接收機所采用低中頻結構的技術指標。結合選擇的芯片參數搭建系統仿真模型，利用系統仿真軟件ADS對接收機前端鏈路進行行為級仿真，驗證設計方案的可行性，分模塊設計了接收機前端系統的各功能電路，主要有多級低噪聲放大器、選頻濾波電路、本振電路、混頻器電路以及系統自動增益控制電路。針對衛星導航信號接收機前端必須具備高靈敏度、強選擇性以及一定動態范圍的特點，需要平衡設計低噪聲放大器噪聲性能與單級增益，以及折中接收機前端鏡像頻率抑制性能與信道的選擇性。利用仿真軟件輔助設計了電路原理圖與印刷電路板版圖，對其PCB貼片后進行測試與調試。最后將調試好的模塊級聯成系統，測試射頻前端系統的性能并加以冊NWL.Clogin.com最終實現的接收機射頻前端5V電壓供電，接收信號中心頻率1561.098MHz，鏈路最大增益為122dB，系統噪聲小于2dB.中頻信號中心頻率46.1MHz，帶寬為4.3MHz，紋波在1.5dB內，帶外抑制與鏡像抑制都大于30dB，端口駐波比小于2.0，測試結果基本滿足設計指標要求。

標簽： 北斗二代導航系統接收機射頻前端

上傳時間： 2022-06-20

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射頻功率放大器集成電路研究

射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。

標簽： 射頻功率放大器集成電路

上傳時間： 2022-06-20

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基于射頻識別技術的門禁系統的設計

（1）研究了基于射頻識別技術的門禁系統的總體設計，設計了射頻IC讀卡器的電路原理圖，給出了PCB板，讀卡器主要由射頻天線、讀卡模塊、RS485通信接口及單片機控制系統組成，能讀寫Philips公司的Mifare非接觸式智能射頻卡，讀卡距離約10cm.當沒有卡進入讀卡能量范圍時，系統顯示時鐘，當有卡進入時則讀卡內數據并將卡號信息顯示在液晶顯示器上.（2）深入研究RFID天線的EMC過濾器、接收電路以及天線匹配電路等構成，結合本設計采用了線圈天線，并從品質因素Q和調諧頻率兩方面設計讀寫器天線，設計優化了天線耦合電路.（3）針對設備組網應用要求，門禁終端通信采用RS485總線，同時結合門禁讀卡器研究了RS485的網絡拓撲結構，通過RS485接口與PC機組成通信網絡系統。讀卡器平時可獨立工作，PC機會每隔一定時間訪問讀卡器，用PC機上的時鐘統一校準讀卡器上的時鐘，并讀取存儲器內的讀卡數據，以便讀卡器中的數據得到及時處理.（4）設計單片機的包看門狗、液品顯示、數據存儲和實時時鐘等在內的外圍模塊電路，采用串口設計如SPI.PC等，從而節約了單片機的vo接口.同時結合門禁系統設計門禁控制電路，完成設備的選材。（5）根據射頻識別門禁系統總體設計要求，采用模塊化軟件設計方法，根據MF RC500的特性，系統地對MF RC500芯片的操作流程進行研究，設計主程序的流程圖和各個模塊子程序，使用Cs1語言開發了讀寫器的底層控制軟件，并完成程序的調試，證明結果滿足設計要求.

標簽： 射頻識別門禁系統

上傳時間： 2022-06-20

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《射頻通信電路設計》學習筆記

《射頻通信電路設計》學習筆記（一）1.1射頻概念1864-1873年，英國物理學家麥克斯書通過電磁學的研究，提出了著名的Maxwell方程組，并在理論上預言了電磁波的存在。1887-1891年，德國物理學家赫茲通過電磁學實驗首次證實了電磁波的存在901年，馬可尼利用電磁波實現了橫跨大西洋的無線通f1.2射頻通信電路應用簡介在電子通信系統中，只有使用更高的載波頻率，才能獲得更大的帶寬。按照10%的帶寬計算，有線電視系統中使用100MHz的載波可以獲得10MHz的帶寬1.3射頻電路設計的特點1.3.1分布參數集總參數元件：指一個獨立的局域性元件，能夠在一定的頻率范圍內提供特定的電路性能。在低頻電路設計中，可以把元件看作集總參數元件，認為元件的特性僅由二傳手自身決定，元件的電磁場部集中在元件內部。如電容、電阻、電感等；一個電容的容抗是由電容自身的特性決定不會受周圍元件的影響，如果把其他元件靠近這個電容器，其容抗不會隨之產業化。分布參數元件：指一個元件的特性延伸擴展到一定的空間范圍內，不再局限于元件自身。由于分布參數元件的電磁場分布在附近空間中，其特性要受周圍環境的影響。同一個元件，在低頻電路設計中可以看作是集總參數元件，但是在射頻電路設計中可能需要作為分布參數元件進行處理。例如，一定長度的一段傳輸線，在低頻電路中可以看作集總參數元件；在射頻電路中，就必須看作分布參數元件。分布電容（Cp）：指在元件自身封裝、元件之間、元件到接地平面和線路板布線間形成非期t電容。分布電容與元件瞇并聯關系。分布電感（LD）：指元件引腳、連線、線路板布線等形成的非期望電感。分布電感通常與元件為串聯關系。

標簽： 射頻通信電路設計

上傳時間： 2022-06-21

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MFRC522射頻模塊在門禁系統中的應用

引言隨著射頻技術的發展，基于ISO14443A協議的近場距離識別技術越來越多的應用于民用產品中，最常見的如公共交通、身份識別、門禁監控等眾多領域。為使應用系統的開發人員快速開發射頻識別產品，本文設計了一種實用型射頻讀寫模塊，該模塊具有天線識別距離大、用戶接口靈活和操作簡單等特點。該模塊采用MFRC522作為射頻讀寫芯片，該芯片支持ISO14443A的多層協議；在內部嵌入天線，同時支持使用外部天線的功能。分別從硬件和軟件兩方面對系統設計進行詳細的介紹：硬件方面給出系統總體框圖，并對主要芯片和天線設計進行介紹；軟件方面則重點介紹ISO14443A協議和接口編程，最后結合應用實例，展示了模塊通用和易用等特點。1硬件電路設計本文設計的射頻模塊為基于MFRC522射頻讀寫芯片，適用于支持ISO14443A協議的所有非接觸式卡。硬件系統由射頻讀寫芯片MFRC522、單片機LPC931、電源模塊和天線電路組成，系統硬件框圖如圖1所示。

標簽： mfrc522 射頻模塊門禁系統

上傳時間： 2022-06-24

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GaN基LED材料特性研究及芯片結構設計

本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。

標簽： led

上傳時間： 2022-06-25

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