用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽: THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間: 2014-01-22
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基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間: 2014-08-01
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計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽: 歸零法 N進制計數器原
上傳時間: 2013-10-11
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在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間: 2013-10-31
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protel99se元件名系表
標簽: protel 99 se 元件
上傳時間: 2013-10-08
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對於許多電子子繫統而言,比如:VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應用,僅采用一個簡單的降壓或升壓型 DC/DC 轉換器並不能滿足其要求
標簽: DCDC 電阻器 正 設定
上傳時間: 2014-12-24
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對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內 (這在鋰離子電池供電型應用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉換器設計,可供采用的傳統解決方案雖有不少,但迄今為止都不能令人非常滿意
標簽: DCDC 降壓 升壓型 控制器
上傳時間: 2013-11-19
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時間: 2013-11-12
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CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
標簽: DDR 記憶體 電源
上傳時間: 2013-10-14
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PC電源測試系統chroma8000簡介
標簽: chroma 8000 電源測試系統
上傳時間: 2013-11-08
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