N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽: PT-IGBT 緩沖層
上傳時間: 2013-11-12
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介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設計與驗證
標簽: 高電源抑制 帶隙基準 電路設計
上傳時間: 2013-10-08
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文中提出了一種應用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙(MS-EBG)結構,其單位晶格由折線縫隙組合與正方形貼片橋接構成,以抑制同步開關噪聲。結果表明,抑制深度為-30 dB時,與傳統L-bridged EBG結構比較,新EBG結構的阻帶寬度增加1.3 GHz,相對帶寬提高了約10%,能夠有效抑制0.6~5.9 GHz的同步開關噪聲。
標簽: 同步開關噪聲 電磁 帶隙結構
上傳時間: 2013-11-07
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在傳統正溫度系數電流基礎上,增加兩種不同材料的電阻以實現帶隙基準的二階溫度補償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運算放大器,使得所設計的帶隙基準電路,具有較高的精度和溫度穩定性。
標簽: 高精度 帶隙基準源
上傳時間: 2013-10-18
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線性卷積和線性相關的FFT算法:一 實驗目的 1:掌握FFT基2時間(或基2頻率)抽選法,理解其提高減少乘法運算次數提高運算速度的原理。 2:掌握FFT圓周卷積實現線性卷積的原理 二 實驗內容及要求 1.對N=2048或4096點的離散時間信號x(n),試用Matlab語言編程分別以DFT和FFT計算N個頻率樣值X(k), 比較兩者所用時間的大小。 2.對N/2點長的x(n)和N/2點長的h(n),試用Matlab語言編程實現以圓周卷積代替線性卷積,并比較圓周卷積法和直接計算線性卷積兩者的運算速度。 三預做實驗 1.FFT與DFT計算時間的比較 (1)FFT提高運算速度的原理 (2)實驗數據與結論 2.圓周卷積代替線性卷積的有效性實驗 (1)圓周卷積代替線性卷積的原理 (2)實驗數據和結論 FFT提高運算速度的原理 FFT算法將長序列的DFT分解為短序列的DFT。N點的DFT先分解為2個N/2點的DFT,每個N/2點的DFT又分解為N/4點的DFT,等等。最小變換的點數即所謂的“基數”。因此,基數為2的FFT算法的最小變換(或稱蝶型)是2點的DFT。一般地,對N點FFT,對應于N個輸入樣值,有N個頻域樣值與之對應。
標簽: FFT 線性卷積 線性 算法
上傳時間: 2013-10-26
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摘要:采用共源共柵運算放大器作為驅動,設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路,并在TSMC0.18Um CMOS工藝下,采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明:在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益,電源抑制比達到-100dB,電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV,是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞:帶隙基準電壓源;電源抑制比;溫度系數
標簽: 高電源抑制 帶隙基準 電壓源
上傳時間: 2013-11-19
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摘要:本文對變壓器磁心氣隙量的各種計算公式進行分析討論.追蹤它們的來源,判別它們的正確性和實用性。關鍵詞:磁路定律;磁阻;有效磁路長度;有效磁導率。
標簽: 開關電源變壓器 磁心 計算
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隨著我國通信、電力事業的發展,通信、電力網絡的規模越來越大,系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中,傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠;在歐美的通信、電力發達的國家,各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較,(N+X)熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽: 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間: 2014-03-24
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適用于51單片機的串口發n
標簽: 51單片機 串口 字節
上傳時間: 2014-12-25
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89c51一種用N+1條線實現矩陣鍵盤
標簽: 矩陣鍵盤
上傳時間: 2014-12-26
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