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并行測(cè)試

電子選擇器

電子選擇器，是利用TND－MD教學系統實現的，用來作為特定場合投票機器統計使用。所用到的芯片主要有8253定時計數器、8255A并行接口電路芯片等。使用時，用戶用鍵盤輸入A，B，C，D這四個字母中的一個來作為已經選擇的項目，程序將在屏幕上對應顯示已經選擇的“A,B,C或者D”，并且通過控制揚聲器，發出對應的頻率聲音信號，同時相對應的LED燈也對應發光，以便于位于遠處的計票員進行遠程計票。

標簽： 電子選擇器

上傳時間： 2014-10-14

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工業領域串口通信速度慢是個比較突出的問題

工業領域串口通信速度慢是個比較突出的問題，而 F T 2 4 5 B M 能夠進行 US B和并行 I ／ O口之間的協議轉換，在一些條件下能夠取代串口．介紹 F T 2 4 5 B M 芯片的工作原理和功能，并給出基于 F T2 4 5 B M 的 US B接口電路的應用設計和基于 8 9 c 5 2的匯編及 c 5 1 單片機源程序．

標簽： 工業領域串口通信速度比較

上傳時間： 2017-05-27

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pcf project dds sdfsd sdcsc sdcsc sdxcs gh fgb dfv fdgbvfg b fg fb fgbv gbfbf s bgtb fgbfv b fbv

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標簽： sdcsc fdgbvfg project fgbfv

上傳時間： 2014-12-19

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抗干擾高穩定性：VK2C23A/B I2C接口LCD控制顯示段碼屏驅動IC

產品型號：VK2C23A/B 產品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電封裝形式：LQFP64/48 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用）產品年份：新年份聯系人：許碩原廠直銷，工程服務，技術支持，價格最具優勢！QT394 VK2C23A/B概述： VK2C23A/B是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大224點（56SEGx4COM）或者最大416點（52SEGx8COM）的LCD屏。單片機可通過I2C接口配置顯示參數和讀寫顯示數據，也可通過指令進入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產品。特點： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內置顯示RAM為56x4位、52x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入）

標簽： VK2C I2C LCD 23 抗干擾高穩定接口控制驅動IC

上傳時間： 2022-04-16

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射頻與微波功率放大器設計.rar

本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統中的功率放大器設計。　本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業的師生閱讀。作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。目錄第1章　雙口網絡參數　1.1　傳統的網絡參數　1.2　散射參數　1.3　雙口網絡參數間轉換　1.4　雙口網絡的互相連接　1.5　實際的雙口電路　　1.5.1　單元件網絡　　1.5.2　π形和T形網絡　1.6　具有公共端口的三口網絡　1.7　傳輸線　參考文獻第2章　非線性電路設計方法　2.1　頻域分析　　2.1.1　三角恒等式法　　2.1.2　分段線性近似法　　2.1.3　貝塞爾函數法　2.2　時域分析　2.3　NewtOn.Raphscm算法　2.4　準線性法　2.5　諧波平衡法　參考文獻第3章　非線性有源器件模型　3.1　功率MOSFET管　　3.1.1　小信號等效電路　　3.1.2　等效電路元件的確定　　3.1.3　非線性I—V模型　　3.1.4　非線性C.V模型　　3.1.5　電荷守恒　　3.1.6　柵一源電阻　　3.1.7　溫度依賴性　3.2　GaAs MESFET和HEMT管　　3.2.1　小信號等效電路　　3.2.2　等效電路元件的確定　　3.2.3　CIJrtice平方非線性模型　　3.2.4　Curtice.Ettenberg立方非線性模型　　3.2.5　Materka—Kacprzak非線性模型　　3.2.6　Raytheon(Statz等)非線性模型　　3.2.7　rrriQuint非線性模型　　3.2.8　Chalmers(Angek)v)非線性模型　　3.2.9　IAF(Bemth)非線性模型　　3.2.10　模型選擇　3.3　BJT和HBT汀管　　3.3.1　小信號等效電路　　3.3.2　等效電路中元件的確定　　3.3.3　本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換　　3.3.4　非線性雙極器件模型　參考文獻第4章　阻抗匹配　4.1　主要原理　4.2　Smith圓圖　4.3　集中參數的匹配　　4.3.1　雙極UHF功率放大器　　4.3.2　M0SFET VHF高功率放大器　4.4　使用傳輸線匹配　　4.4.1　窄帶功率放大器設計　　4.4.2　寬帶高功率放大器設計　4.5　傳輸線類型　　4.5.1　同軸線　　4.5.2　帶狀線　　4.5.3　微帶線　　4.5.4　槽線　　4.5.5　共面波導　參考文獻第5章　功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器　5.1　基本特性　5.2　三口網絡　5.3　四口網絡　5.4　同軸電纜變換器和合成器　5.5　wilkinson功率分配器　5.6　微波混合橋　5.7　耦合線定向耦合器　參考文獻第6章　功率放大器設計基礎　6.1　主要特性　6.2　增益和穩定性　6.3　穩定電路技術　　6.3.1　BJT潛在不穩定的頻域　　6.3.2　MOSFET潛在不穩定的頻域　　6.3.3　一些穩定電路的例子　6.4　線性度　6.5　基本的工作類別：A、AB、B和C類　6.6　直流偏置　6.7　推挽放大器　6.8　RF和微波功率放大器的實際外形　參考文獻第7章　高效率功率放大器設計　7.1　B類過激勵　7.2　F類電路設計　7.3　逆F類　7.4　具有并聯電容的E類　7.5　具有并聯電路的E類　7.6　具有傳輸線的E類　7.7　寬帶E類電路設計　7.8　實際的高效率RF和微波功率放大器　參考文獻第8章寬帶功率放大器　8.1　Bode—Fan0準則　8.2　具有集中元件的匹配網絡　8.3　使用混合集中和分布元件的匹配網絡　8.4　具有傳輸線的匹配網絡　　8.5　有耗匹配網絡　8.6　實際設計一瞥　參考文獻第9章　通信系統中的功率放大器設計　9.1　Kahn包絡分離和恢復技術　9.2　包絡跟蹤　9.3　異相功率放大器　9.4　Doherty功率放大器方案　9.5　開關模式和雙途徑功率放大器　9.6　前饋線性化技術　9.7　預失真線性化技術　9.8　手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器　參考文獻

標簽： 射頻微波功率放大器設計

上傳時間： 2013-04-24

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DTMF編碼芯片HT9200的51接口程序

·詳細說明：DTMF編碼芯片HT9200的51接口程序。輸入參數R2表示發送數據個數，輸入數據與發送數據與DTMF碼的關系:00H-0 01H-1 02H-2 03H-3 04H-4 05H-5 06H-6 07H-7 08H-8 09H-9 0AH-A 0BH-B 0CH-C 0DH-D 0EH-* 0FH-#。詳細說明參考文件內.

標簽： DTMF 9200 HT 編碼芯片

上傳時間： 2013-06-02

上傳用戶：jujiast99
小信號放大器的設計

小信號放大器的設計 1. 放大器是射頻/微波系統的必不可少的部件。 2. 放大器有低噪聲、小信號、高增益、中功率、大功率等。 3. 放大器按工作點分有A、AB、B、C、D…等類型。 4. 放大器指標有：頻率范圍、動態范圍、增益、噪聲系數、工作效率、1dB壓縮點、三階交調等

標簽： 小信號放大器

上傳時間： 2013-07-23

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無功功率自動補償控制器

1) 全數字化設計，交流采樣，人機界面采用大屏幕點陣圖形128X64 LCD中文液晶顯示器。 2) 可實時顯示A、B、C各相功率因數、電壓、電流、有功功率、無功功率、電壓總諧波畸變率、電流總諧波畸變率、電壓3、5、7、9、11、13次諧波畸變率、電流3、5、7、9、 11、13次諧波畸變率頻率、頻率、電容輸出顯示及投切狀態、報警等信息。 3) 設置參數中文提示，數字輸入。 4) 電容器控制方案支持三相補償、分相補償、混合補償方案，可通過菜單操作進行設置。 5) 電容器投切控制程序支持等容/編碼（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手動補償/自動補償兩種工作方式。 7) 提供電平控制輸出接口（+12V），動態響應優于20MS。 8) 取樣物理量為無功功率，具有諧波測量及保護功能。 9) 控制器具有RS-485通訊接口，MODBUS標準現場總線協議，方便接入低壓配電系統。

標簽： 無功功率控制器自動補償

上傳時間： 2013-11-09

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CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

標簽： CoolMOS VDMOS 導通電阻分

上傳時間： 2013-10-21

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電路分析基礎-ppt教程

第一章基礎知識由電阻、電容、電感等集中參數元件組成的電路稱為集中電路。1.1 電路與電路模型1.2 電路分析的基本變量1.3 電阻元件和獨立電源元件1.4 基爾霍夫定律1.5 受控源1.6 兩類約束和KCL，KVL方程的獨立性1.1 電路與電路模型1.電路2.電路的形式與功能電路的功能基本上可以分成兩大類。一類是用來實現電能的轉換、傳輸和分配。電路的另一類功能則是在信息網絡中，用來傳遞、儲存、加工和處理各種電信號。圖1-2所示的是通信網的基本組成框圖。通常把輸入電路的信號稱為激勵，而把經過電路傳輸或處理后的信號稱為響應。 3.電路模型與集中電路構成電路的設備和器件統稱為電路部件，常用的電路部件有電池、發電機、信號發生器、電阻器、電容器、電感線圈、變壓器、晶體管及集成電路等。基本的電路參數有3個，即電阻、電容和電感。基本的集中參數元件有電阻元件、電感元件和電容元件，分別用圖1-3(a)，(b)和(c)來表示。

標簽： 電路分析基礎教程

上傳時間： 2013-10-20

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并行<b>測(cè)試</b>

電子選擇器

工業領域串口通信速度慢是個比較突出的問題

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抗干擾高穩定性：VK2C23A/B I2C接口LCD控制顯示段碼屏驅動IC

射頻與微波功率放大器設計.rar

DTMF編碼芯片HT9200的51接口程序

小信號放大器的設計

無功功率自動補償控制器

CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

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