?? CoolMOS技術(shù)資料

?? 資源總數(shù)：8
?? 源代碼：3
CoolMos技術(shù)以其卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及LED照明等領(lǐng)域展現(xiàn)出無可比擬的優(yōu)勢(shì)。作為新一代功率MOSFET，CoolMos不僅顯著提升了系統(tǒng)效率，還大幅降低了熱損耗，是追求高性能與高可靠性的工程師首選。本頁(yè)面匯集了8個(gè)精選資源，涵蓋從基礎(chǔ)理論到實(shí)際應(yīng)用案例，助您深入理解并靈活運(yùn)用CoolMos技術(shù)，加速產(chǎn)品創(chuàng)新步伐。立即訪問，開啟您的高效設(shè)計(jì)之旅！

?? CoolMOS熱門資料

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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起...

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Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge co...

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對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入E...

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　　COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特點(diǎn)是由其組成的開關(guān)電源，在市電電網(wǎng)中工作時(shí)，無需外加散熱器即可輸出20～50W的輸出功率;且能自動(dòng)降低空載時(shí)的工作頻率，從而降低待機(jī)狀態(tài)的損耗;...

?? ?? HGH77P99

看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EP...

?? ?? 標(biāo)點(diǎn)符號(hào)

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