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彩電開關(guān)(guān)

  • 自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

    標(biāo)簽： CPLD 244 74 HC

    上傳時間： 2013-08-31

    上傳用戶：dancnc

  • <快學(xué)易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版

    標(biāo)簽： Protel 99 se

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • Allegro SPB V15.2 版新增功能

    15.2 已經(jīng)加入了有關(guān)貫孔及銲點(diǎn)的Z軸延遲計(jì)算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets  下的 DRC 選項(xiàng).  點(diǎn)選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄. 

    標(biāo)簽： Allegro 15.2 SPB

    上傳時間： 2013-10-08

    上傳用戶：王慶才

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與制作

    標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計(jì)

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • 用于蜂窩電話照相機(jī)的基本閃光燈照明電路

    下一代蜂窩電話將擁有高質(zhì)量的照相功能。為了獲得上佳的照相性能，基於閃光燈的照明是至關(guān)重要的

    標(biāo)簽： 蜂窩電話 照相機(jī) 照明 電路

    上傳時間： 2013-12-28

    上傳用戶：xuanjie

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽： DDR 記憶體 電源

    上傳時間： 2013-10-14

    上傳用戶：immanuel2006

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