單片機(jī)的一點(diǎn)學(xué)習(xí)資料。教你學(xué)會(huì)單片機(jī)c語言和keil
標(biāo)簽: keil 單片機(jī)c語言
上傳時(shí)間: 2013-09-27
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keil C 與proteus環(huán)境下仿真單片機(jī)開發(fā)的5個(gè)實(shí)例,是單片機(jī)嵌入式開發(fā)的極有價(jià)值的參考資料。其中包括了流水燈、走馬燈、1602液晶屏驅(qū)動(dòng)、ds1302、max7221的仿真開發(fā)實(shí)例,包括c語言代碼。
標(biāo)簽: proteus keil 環(huán)境 仿真
上傳時(shí)間: 2013-09-30
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ADC0809做AD轉(zhuǎn)換的C程序
標(biāo)簽: 0809 ADC AD轉(zhuǎn)換 C程序
上傳時(shí)間: 2013-11-11
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采用鎖相環(huán)技術(shù)設(shè)計(jì)了一種穩(wěn)定、低噪聲的C波段頻率源。建立了鎖相環(huán)的相位噪聲模型并分析影響相位噪聲的因素,進(jìn)行了鎖相環(huán)低通濾波器的設(shè)計(jì)。利用軟件對(duì)環(huán)路的穩(wěn)定性和相位噪聲進(jìn)行仿真,相位裕度在45°以上,環(huán)路工作穩(wěn)定,且具有較好的相位噪聲特性
上傳時(shí)間: 2014-12-23
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模糊C-均值聚類算法是一種無監(jiān)督圖像分割技術(shù),但存在著初始隸屬度矩陣隨機(jī)選取的影響,可能收斂到局部最優(yōu)解的缺點(diǎn)。提出了一種粒子群優(yōu)化與模糊C-均值聚類相結(jié)合的圖像分割算法,根據(jù)粒子群優(yōu)化算法強(qiáng)大的全局搜索能力,有效地避免了傳統(tǒng)的FCM對(duì)隨機(jī)初始值的敏感,容易陷入局部最優(yōu)的缺點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)表明,該算法加快了收斂速度,提高了圖像的分割精度。
上傳時(shí)間: 2013-10-25
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間: 2013-10-22
上傳用戶:pei5
對(duì)於集成電路而言,汽車是一種苛刻的使用環(huán)境,這裡,引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C,而且,在電池電壓總線上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事
標(biāo)簽: 集成 電流檢測(cè) 保護(hù) 汽車系統(tǒng)
上傳時(shí)間: 2013-11-20
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間: 2014-09-08
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2012TI杯陜西賽題H題,2012TI杯陜西賽題C題--簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載。
標(biāo)簽: 2012 TI 直流電子負(fù)載
上傳時(shí)間: 2013-10-17
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數(shù)字電子技朮
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上傳時(shí)間: 2013-10-09
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