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惠斯通電橋

  • SQL2000自學(xué)通精華版

    SQL2000自學(xué)通，很全面很不錯(cuò)的教程，歡迎下載。

    標(biāo)簽： 2000 SQL

    上傳時(shí)間： 2013-08-02

    上傳用戶：damozhi

  • FPGA實(shí)現(xiàn)的調(diào)頻高斯濾波器

    基于FPGA的調(diào)頻高斯濾波器介紹了用FPGA實(shí)現(xiàn)的調(diào)頻高斯濾波器。

    標(biāo)簽： FPGA 調(diào)頻 濾波器 高斯

    上傳時(shí)間： 2013-08-17

    上傳用戶：x4587

  • proteus調(diào)通的DS18B20

    這是我用proteus調(diào)通的DS18B20，里面有DS18B20的資料和程序，

    標(biāo)簽： proteus 18B B20 DS

    上傳時(shí)間： 2013-09-30

    上傳用戶：dancnc

  • 史密斯圓圖使用手冊

    史密斯圓圖使用手冊

    標(biāo)簽： 史密斯圓圖 使用手冊

    上傳時(shí)間： 2013-10-26

    上傳用戶：kinochen

  • Filter_Solutions_2009中文教程——低通濾波器設(shè)計(jì)

    Filter_Solutions_2009中文教程——低通濾波器設(shè)

    標(biāo)簽： Filter_Solutions 2009 教程 低通

    上傳時(shí)間： 2014-12-23

    上傳用戶：xywhw1

  • 基于Multisim的高通濾波器的設(shè)計(jì)與仿真分析

    高通濾波為實(shí)現(xiàn)高頻信號能正常通過，而低于設(shè)定臨界值的低頻信號則被阻隔、減弱。但是阻隔、減弱的幅度則會依據(jù)不同的頻率以及不同的濾波程序而改變。文中闡述了對電壓轉(zhuǎn)移函數(shù)推導(dǎo)分析及電路性能的要求，并利用Multisim仿真軟件對其頻幅特性的分析進(jìn)行。

    標(biāo)簽： Multisim 高通濾波器 仿真分析

    上傳時(shí)間： 2013-11-08

    上傳用戶：liufei

  • Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計(jì)

    Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽： Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源

    上傳時(shí)間： 2013-11-20

    上傳用戶：旗魚旗魚

  • 基于新型CCCII電流模式二階帶通濾波器設(shè)計(jì)

    針對傳統(tǒng)第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個(gè)電流傳輸器和2個(gè)電容即可完成設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗(yàn)證了理論設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性和可行性。

    標(biāo)簽： CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2013-11-15

    上傳用戶：jqy_china

  • 窄帶帶通濾波器設(shè)計(jì)實(shí)例

    為了解決聲表面波濾波器插損太大，造成有用信號衰減嚴(yán)重，彌補(bǔ)插損又會引起底部噪聲抬高的問題。該文設(shè)計(jì)了一種用LC集總元件實(shí)現(xiàn)的窄帶帶通濾波器，其特點(diǎn)是插入損耗小，成本低，帶外衰減大，較好解決了因聲表面波濾波器插損大而引起的一系列問題，不會引起通道底部噪聲的抬高。仿真結(jié)果證明了該設(shè)計(jì)方案的可行性。

    標(biāo)簽： 窄帶 帶通濾波器 設(shè)計(jì)實(shí)例

    上傳時(shí)間： 2013-11-18

    上傳用戶：13517191407

  • CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級。

    標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分

    上傳時(shí)間： 2013-10-21

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