一、IGBT 驅動1 驅動電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅動電壓可由不同地驅動電路產生。典型的驅動電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅動電路示意圖Q1，Q2 為驅動功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號需通過Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅動電路時，需考慮幾個因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關斷時，最好加一個負偏電壓，且負偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負偏電壓最好在-5V~-10V 之內；開通時，驅動電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅動電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時通態壓降也比較低，同時又能有效地限制短路電流值和因此產生的應力。若驅動電壓低于12V ，則IGBT 通態損耗較大， IGBT 處于欠壓驅動狀態；若 VGE >20V ，則難以實現電流的過流、短路保護，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅動功率的計算由于IGBT 是電壓驅動型器件，需要的驅動功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅動功率問題。但對于大功率IGBT ，或要求并聯運行的IGBT 則需要考慮驅動功率。IGBT 柵極驅動功率受到驅動電壓即開通VGE( ON )和關斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關 f 的影響。柵極驅動電源的平均功率 PAV 計算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時間： 2022-06-21
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2011年，Realtek(瑞昱)開發出了業界公認的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規范化的設計(USB IF認證，BC1.2和支持蘋果設備快充)，贏得了行內一致認可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優勢基礎上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設計要求。 而現在，RTS5411-GR內置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產品更具價格優勢！
上傳時間： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)開發出了業界公認的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規范化的設計(USB IF認證，BC1.2和支持蘋果設備快充)，贏得了行內一致認可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優勢基礎上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設計要求。 而現在，RTS5411-GR內置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產品更具價格優勢！
上傳時間： 2022-06-22
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基于TDS2285芯片的正弦波1200W逆變器開發指南以TDS2285芯片為核心，打造一款正弦波1200W逆變機器，使大家對TDS2285芯片有更深入的了解。我們知道在許多逆變的場合中，都是低壓DC直流電源要變成高壓AC電源，所以中間是需要升壓才能完成這一變化，我們此次討論的依然是采用高穎的方式來做逆變，采用高頻的方式相對于工頻方式來做有許多優點：高轉換效率，極低的空載電流，重量輕，體積小等。也許有人會說工頻的皮實，耐沖擊，對于這一點我也非常認同，不過需要指出的是，高頻的做的好，一點也不會輸于工額的，這一點，已經通過我們公司的產品和TDS2285的出貨情況得到了肯定，所以，以下就讓大家看看TDS2285芯片在該系統中表現吧！DC-DC升壓部分：此次設計是采用DC24V輸入，為了要保證輸出AC220，在此環節中，DC-DC升壓部分至少需要將DC24V升壓到220VAC*1.414-DC31 1v，這樣在311V的基礎上才能有穩定的AC220V出來，為了能達到這一目地，我們采用非常熟悉的推挽電路TOP來做該DC-DC變換，電路圖如下：
上傳時間： 2022-06-26
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STM32F103C8T6顯示：OLED屏幕 （SPI控制）溫度傳感器：DS18B20輸入：按鍵輸出：LED工作過程：供電后，屏幕顯示溫度、閾值等信息，可以通過按鍵調整閾值大小。超出閾值，相應的LED燈亮，模擬控制過程。原理：1.按鍵一端接地、一端接STM32的IO口，IO口設為浮空輸入，當按鍵按下時，相應IO口直接與地相連，變成低電平。程序以此判斷按鍵按下。2.LED燈一端接VCC，一端接IO口，IO口設為推挽輸出，STM32給IO口低電平的時候，發光二極管導通，亮。給低電平的時候，發光二極管兩端都是高電平，不亮。
上傳時間： 2022-07-01
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信立誠科技主推低成本高性價比HC32F030F8TA-LQFP32可替換STM32F030K6T6，HC32F030F8TA比STM32F030K6T6單片機多集成了硬件除法器、蜂鳴器、電壓比較器和低電壓檢測，獨立PWM比STM32F030C8T6更豐富，12 位 1Msps 采樣的高速高精度 SARADC，內置運放，可比ST單片機能測量到外部更微弱信號。HC32F030F8TA防靜電可達8KV，比ST的防靜電能力更強。
標簽： MCU
上傳時間： 2022-07-01
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藍牙模塊說明書，獻給有需要的朋友，BK3266說明書V1.0BK3266: 低功耗藍牙音頻雙模芯片耳機3266, qfn32 4*4 （主推） 4Mflash （傳統藍牙BL、 tws/AI）、 8Mflash （數據大，多國語言，OTA,來電報號）AI耳機 :開放數據接口，對接云，（小米，百度，阿里（主要），亞馬遜（下半年））40pin 5*5：8M和16M 16GPIO 產品：入耳，單邊，頭戴，tws，線控，提供：參考設計，硬件，軟件demoTws，仿蘋果，彈窗、自動開機，雙邊通話，敲擊喚醒
上傳時間： 2022-07-08
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stm32參考手冊，在工程師開發過程中，不管是硬件開發還是軟件開發，都需要根據官方提供的數據手冊和參考手冊來進行具體的設計工作，提別是對于ST這樣的大廠，在家電領域，st的主推產品stm32得到了廣泛的應用，在stm32家族中，擁有多個系列，包括stm32f0、stm32f1、stm32f2、stm32f3、stm32f4
標簽： stm32f0
上傳時間： 2022-07-11
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PCB設計是每個電子工程師入門必備的技能，本資料為國內知名企業的PCB板設計工藝規范，包括布線、鋪銅和穿孔等流程的詳細教程，并且對于工藝邊和和拼板也有在具體要求下的設計技巧，讓您在PCB設計時少走彎路，達到標準的水平，本資料不僅適合電子類學生的學習教材，同樣適用于電子工程師設計PCB板時的參考文本。
標簽： pcb設計工藝
上傳時間： 2022-07-17
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SG3525 是一種性能優良、功能齊全和通用性強的單片集成PWM控制芯片，它簡單可靠及使用方便靈活，輸出驅動為推拉輸出形式，增加了驅動能力；內部含有欠壓鎖定電路、軟啟動控制電路、PWM鎖存器，有過流保護功能，頻率可調，同時能限制最大占空比。1)2)內置 5．1 V±1．0%的基準電壓源。實物圖3)芯片內振蕩器。4)具有振蕩器外部同步功能。5)死區時間可調。為了適應驅動快速場效應管的需要，末級采用推拉式工作電路，使開關速度更快，末級輸出或吸入電流最大值可達400mA。6)內設欠壓鎖定電路。當輸入電壓小于 8V 時芯片內部鎖定，停止工作(基準源及必要電路除外)，使消耗電流降至小于 2mA。7)比較器的反相輸入端即軟啟動控制端芯片的引腳 8，可外接軟啟動電容。該電容器內部的基準電壓 Uref由恒流源供電，達到2．5V的時間為t=(2．5V/50μA)C，占空比由小到大(50%)變化。8)內置PWM(脈寬調制)。鎖存器將比較器送來的所有的跳動和振蕩信號消除。只有在下一個時鐘周期才能重新置位，系統的可靠性高。
標簽： sg3525
上傳時間： 2022-07-18
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