為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
標簽：
CoolMOS
VDMOS
導通電阻
分
上傳時間：
2013-10-21
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摘 要:用一種新的思路和方法,先計算低通、再計算高通濾波器的有關參數,然后組合成帶通濾波器.關鍵詞:濾波器;參數;新思路中圖分類號: TN713. 5 文獻識別碼:B 文章編號:1008 - 1666 (1999) 04 - 0089 - 03A New Consideration of the Band Filter’s CalculationGuo Wencheng( S hao Yang B usiness and Technology school , S haoyang , Hunan ,422000 )Abstract :This essay deals with a new method of calculating the band filters - first calculatingthe relevant parameters of low - pass filters ,then calculating the ones of high - pass filters.Key words :filter ; parameters ;new considercation八十年代后,信息產業得到了迅猛發展. 帶通濾波器在微波通信、廣播電視和精密儀器設備中得到了廣泛應用. 帶通濾波器性能的優劣,對提高接收機信噪比,防止鄰近信道干擾,提高設備的技術指標,有著十分重要的意義.我在長期的教學實踐中,用切比雪夫型方法設計、計算出寬帶濾波器集中參數元件的數據. 該濾波器可運用在檢測微波頻率的儀器和其他設備中. 再將其思路和計算方法介紹給大家,供參考.
標簽：
帶通濾波器設計
計算
上傳時間：
2014-12-28
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