數(shù)控振蕩器的頻率控制字寄存器、相位控制字寄存器、累加器和加法器可以用VHDL語(yǔ)言描述，集成在一個(gè)模塊中，提供VHDL源程序供大家學(xué)習(xí)和討論。\r\n
標(biāo)簽： VHDL 寄存器 數(shù)控振蕩器 加法器
上傳時(shí)間： 2013-09-04
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protel99se元件名系表
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
上傳時(shí)間： 2013-12-30
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
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透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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STC15系單片機(jī)仿真說(shuō)明
上傳時(shí)間： 2013-10-13
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STC12系列單片機(jī)與PC機(jī)在數(shù)據(jù)采集系
標(biāo)簽： STC 12 PC機(jī) 單片機(jī)
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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為了解決一些遠(yuǎn)程單片機(jī)設(shè)備不方便升級(jí)內(nèi)部程序的困難，本文提出了利用單片機(jī)系統(tǒng)中現(xiàn)有的數(shù)據(jù)獲取方式來(lái)升級(jí)單片機(jī)內(nèi)部程序的方法。本文利用凌陽(yáng)16 位單片機(jī)可以自讀寫(xiě)片內(nèi)程序空間的特性，通過(guò)在片內(nèi)駐留BootLoader 程序的方式實(shí)現(xiàn)了凌陽(yáng)16 位單片機(jī)片內(nèi)程序的在需要時(shí)的遠(yuǎn)程升級(jí)。單片機(jī)獲取數(shù)據(jù)的方式可以有很多，本文選取通過(guò)串口獲取數(shù)據(jù)進(jìn)行程序升級(jí)為例，并選取常見(jiàn)的凌陽(yáng)單片機(jī)SPCE061A 為例介紹了此方法的設(shè)計(jì)思路以及實(shí)現(xiàn)過(guò)程。單片機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，在某些情況下，單片機(jī)內(nèi)部程序的升級(jí)在所難免，但是往往需要對(duì)單片機(jī)產(chǎn)品進(jìn)行收回才能實(shí)現(xiàn)，這樣在一些遠(yuǎn)程設(shè)備的程序升級(jí)問(wèn)題上就顯得非常不方便。但是有些遠(yuǎn)程設(shè)備本身留有遠(yuǎn)程通訊的方式：例如某些遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)傳輸模塊，為了把數(shù)據(jù)上報(bào)總會(huì)留有通訊的接口，比如422、485 甚至GPRS 或者局域網(wǎng)接口；又或者某些車載定位設(shè)備，為了和監(jiān)控中心通訊會(huì)留有GSM、CDMA 或者GPRS 等通訊方式。在這種情況下就可以利用其現(xiàn)有的通訊方式對(duì)其內(nèi)部單片機(jī)程序進(jìn)行升級(jí)而不需要收回產(chǎn)品。本文的主要內(nèi)容就是來(lái)研究這種遠(yuǎn)程升級(jí)單片機(jī)程序的方法。由于近年來(lái)凌陽(yáng)科技的單片機(jī)，尤其是 16 位單片機(jī)，得到了越來(lái)越多的推廣，其應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。本文選取一種常見(jiàn)的凌陽(yáng)科技的16 位單片機(jī)SPCE061A 為例，來(lái)介紹單片機(jī)程序遠(yuǎn)程升級(jí)的方法。SPCE061A 里內(nèi)嵌了32K 字的閃存（FLASH），即可以作為程序存儲(chǔ)空間又可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且有自讀寫(xiě)任意閃存地址的能力，本文利用這一功能，提出了通過(guò)在單片機(jī)中駐留BootLoader 程序的方法，來(lái)實(shí)現(xiàn)單片機(jī)程序的遠(yuǎn)程升級(jí)。遠(yuǎn)程升級(jí)的實(shí)現(xiàn)，需要單片機(jī)自身的響應(yīng)同時(shí)還需要遠(yuǎn)程服務(wù)器提供升級(jí)所需的代碼。下文將通過(guò)這兩個(gè)方面來(lái)分別介紹。
標(biāo)簽： 單片機(jī)程序 遠(yuǎn)程升級(jí)
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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利用系介質(zhì)陶瓷材料研制的微波元器件，廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事及民用通信及電子設(shè)備中，在理論分析和工藝試驗(yàn)的基礎(chǔ)上，通過(guò)對(duì)介質(zhì)陶瓷材料組分和控制溫度工藝研究，優(yōu)化BaO-Nd2O3-TiO2組分材料，改進(jìn)煅燒溫度等工藝方法，研制出性能穩(wěn)定性介質(zhì)陶瓷材料。為研制用于高頻、超高頻電子設(shè)備中性能穩(wěn)定微波元器件找到了有效的途徑。
標(biāo)簽： Ba-Nd-Ti 微波介質(zhì) Q值 陶瓷
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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