隨著對(duì)IEEE1641標(biāo)準(zhǔn)研究的逐漸深入，信號(hào)的構(gòu)建成為了研究重點(diǎn)。對(duì)信號(hào)模型進(jìn)行同步和門控控制，可以影響到TSF（測(cè)試信號(hào)框架）模型的輸出，從而達(dá)到控制信號(hào)的目的，使測(cè)試需求更加完善以及測(cè)試過程更加精確。
標(biāo)簽： STD 標(biāo)準(zhǔn) 信號(hào)模型 門控機(jī)制
上傳時(shí)間： 2014-01-01
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1) 全數(shù)字化設(shè)計(jì)，交流采樣，人機(jī)界面采用大屏幕點(diǎn)陣圖形128X64 LCD中文液晶顯示器。 2) 可實(shí)時(shí)顯示A、B、C各相功率因數(shù)、電壓、電流、有功功率、無功功率、電壓總諧波畸變率、電流總諧波畸變率、電壓3、5、7、9、11、13次諧波畸變率、電流3、5、7、9、 11、13次諧波畸變率頻率、頻率、電容輸出顯示及投切狀態(tài)、報(bào)警等信息。 3) 設(shè)置參數(shù)中文提示，數(shù)字輸入。 4) 電容器控制方案支持三相補(bǔ)償、分相補(bǔ)償、混合補(bǔ)償方案，可通過菜單操作進(jìn)行設(shè)置。 5) 電容器投切控制程序支持等容/編碼（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手動(dòng)補(bǔ)償/自動(dòng)補(bǔ)償兩種工作方式。 7) 提供電平控制輸出接口（+12V），動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)于20MS。 8) 取樣物理量為無功功率，具有諧波測(cè)量及保護(hù)功能。 9) 控制器具有RS-485通訊接口，MODBUS標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)場(chǎng)總線協(xié)議，方便接入低壓配電系統(tǒng)。
標(biāo)簽： 無功功率 控制器 自動(dòng)補(bǔ)償
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：dancnc
電路連接 由于數(shù)碼管品種多樣，還有共陰共陽的，下面我們使用一個(gè)數(shù)碼管段碼生成器（在文章結(jié)尾） 去解決不同數(shù)碼管的問題： 本例作者利用手頭現(xiàn)有的一位不知品牌的共陽數(shù)碼管：型號(hào)D5611 A/B，在Eagle 找了一個(gè) 類似的型號(hào)SA56-11，引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。 注意： 1. 將數(shù)碼管的a~g 段，分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數(shù)碼管未知的話，可以通過通電測(cè)量它哪個(gè)引腳對(duì)應(yīng)哪個(gè)字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽。共陰的話，接220Ω電阻到電源負(fù)極；共陽的話，接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數(shù)碼管實(shí)際工作亮度與手頭現(xiàn)有原件而定，不一定需要準(zhǔn)確。 4. 按下按鈕即停。 源代碼 由于我是按照段碼生成器默認(rèn)接法接的，所以不用修改段碼生成器了，直接在段碼生成器選擇共陽極，再按“自動(dòng)”生成數(shù)組就搞定。 下面是源代碼，由于偷懶不用寫循環(huán)，使用了部分AVR 語句。 PORTD 這個(gè)是AVR 的端口輸出控制語句，8 位對(duì)應(yīng)D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應(yīng)的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個(gè)是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數(shù)碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表，表中十個(gè)元素由LED 段碼生成器生成，選擇了共陽極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對(duì) 應(yīng)D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關(guān) } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位，即Arduino 的引腳D0~D6，這樣需要取出PORTD 最高位，即 D7的狀態(tài)，與段碼相加，之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時(shí)50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平，則在此死循環(huán),暫停LED 跑 動(dòng) } }
標(biāo)簽： Arduino 10 數(shù)碼管 實(shí)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：baitouyu
? 計(jì)算方法： 1) A值（相位）的計(jì)算：根據(jù)設(shè)置的相位值D（單位為度，0度-360度可設(shè)置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最終值； 2) B偏移量值的計(jì)算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的計(jì)算：按C=VPP/20V*4095；
標(biāo)簽： 模擬信號(hào) 發(fā)生 頻率計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：xdqm
文中設(shè)計(jì)研制了一種新型的基于仿射變換模型的實(shí)時(shí)圖像跟蹤系統(tǒng)。本跟蹤系統(tǒng)已經(jīng)通過實(shí)踐檢驗(yàn)，能夠穩(wěn)定的、準(zhǔn)確的、快速的跟蹤目標(biāo)。并且系統(tǒng)有很大的升級(jí)潛力，除了能夠滿足仿射變換跟蹤的要求之外，還能適用于其他的一些算法，構(gòu)成魯棒性更強(qiáng)的圖像跟蹤系統(tǒng)。實(shí)踐證明該跟蹤系統(tǒng)性能優(yōu)于經(jīng)典的相關(guān)跟蹤系統(tǒng)。
標(biāo)簽： 仿射變換 模型 圖像跟蹤系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：zsjzc
目前，被廣泛使用的經(jīng)典邊緣檢測(cè)算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。這些算子的核心思想是圖像的邊緣點(diǎn)是相對(duì)應(yīng)于圖像灰度值梯度的局部極大值點(diǎn)。然而，當(dāng)圖像中含有噪聲時(shí)這些算子對(duì)噪聲都比較敏感，使得將噪聲作為邊緣點(diǎn)。由于噪聲的干擾，不能檢測(cè)出真正的邊緣。一個(gè)擁有良好屬性的的邊緣檢測(cè)算法是每個(gè)研究者的追求。利用小波交換的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了三次B樣條平滑濾波算子。通過利用這個(gè)算子，對(duì)利用小波變換來檢測(cè)圖像的邊緣進(jìn)行了一定的研究和理解。
標(biāo)簽： 小波變換 圖像邊緣檢測(cè) 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶：kqc13037348641
為了提高圖像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先將待去噪圖像進(jìn)行循環(huán)平移，使用Contourlet域HMT模型對(duì)平移后的圖像進(jìn)行降噪處理，然后將降噪后的圖像進(jìn)行循環(huán)反平移，最后將不同循環(huán)平移量下的降噪圖像進(jìn)行平均處理，以減少去噪后圖像的失真。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法不僅可以提高降噪后圖像峰值信噪比，而且可以提高降噪后圖像的視覺效果。
標(biāo)簽： Contourlet Spinning Cycle HMT
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：ddddddos
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
主要介紹場(chǎng)效應(yīng)管H參數(shù)的模型
標(biāo)簽： 場(chǎng)效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型
上傳時(shí)間： 2014-01-09
上傳用戶：1966649934
本文依據(jù)微波電磁場(chǎng)理論概述了微帶鐵氧體器件在毫米波頻率下的工作模式, 探討了毫米波微帶鐵氧體器件的電參數(shù)的設(shè)計(jì)考慮, 對(duì)從事毫米波微帶鐵氧體器件的研究, 提供了基本的設(shè)計(jì)模型, 以期引起進(jìn)一步的探討。
標(biāo)簽： 亳米波 微帶環(huán)行器 模型
上傳時(shí)間： 2013-10-07
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