高分子電池材料.pdf
標簽： 高分子 電池
上傳時間： 2022-01-02
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半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術(shù)，對樣品形狀沒有要求， 且不需要測量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
標簽： 半導體 gan sic
上傳時間： 2022-01-03
電真空材料手冊 第二冊.pdf電真空材料手冊 第二冊.pdf
標簽： 電真空材料
上傳時間： 2022-01-09
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磁記錄材料及應(yīng)用 過璧君.pdf磁記錄材料及應(yīng)用 過璧君.pdf
標簽： 磁記錄材料
上傳時間： 2022-01-10
磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf磁光材料和磁光器件 劉湘林.pdf
標簽： 磁光材料
鐵氧體磁性材料 周志剛.pdf鐵氧體磁性材料 周志剛.pdf
標簽： 磁性材料
高密度光盤存儲技術(shù)及記錄材料[2015.6].pdf
標簽： 光盤存儲
電子管材料和工藝(上冊).pdf電子管材料和工藝(上冊).pdf
標簽： 電子管
上傳時間： 2022-01-17
PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動態(tài)和技術(shù)，自學了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結(jié)出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造 1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉(zhuǎn)的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當原子彼此靠近時，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學鍵，化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發(fā)明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發(fā)明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出； 3、半導體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導體材料有元素半導體硅、鍺、硒，半導體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結(jié)），當結(jié)上為正向偏壓時可以導通電流，當反向偏壓時則電流停止； c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結(jié)組合成一個器件，導致了之！
標簽： pcb 電子封裝
上傳時間： 2022-02-06
該文檔為音頻功率放大電路實驗報告材料講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： 音頻 功率放大電路
上傳時間： 2022-02-08
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