本題要完成的是一組簡單C表達(dá)的運(yùn)算。所有表達(dá)式存放在文件 CExpression.txt 中，每個(gè)表達(dá)式一行。每行的長度不會超過80個(gè)字符。文件最后有一個(gè)空行表示結(jié)束。
每個(gè)表達(dá)式，只包含簡單的整數(shù)變量和限定的一些操作符，表達(dá)式中沒有常量。總共有26個(gè)可能出現(xiàn)在表達(dá)式中的變量，分別命名為 a,b,...,z。每個(gè)變量最多出現(xiàn)一次。26個(gè)變量的初值分別為1，2，...,26。
表達(dá)式中的操作符，包括：兩個(gè)二元操作符 +, -，表示加，減運(yùn)算。例如，表達(dá)式a+c-d+b（即1+3-4+2）的結(jié)果為2。 單獨(dú)一個(gè)-號不能放在變量前面，表示負(fù)數(shù)。
表達(dá)式中還包含兩個(gè)一元運(yùn)算符：++，--，表示加一和減一運(yùn)算。它們既可以出現(xiàn)在一個(gè)變量的前面、也可以出現(xiàn)在后面。如果出現(xiàn)在變量前面，則表示先對變量進(jìn)行加一/減一運(yùn)算，然后變量值參與表達(dá)式計(jì)算。如果出現(xiàn)在變量后面，則表示變量的原值參與表達(dá)式計(jì)算，表達(dá)式計(jì)算完之后，變量值加一/減一。
例如，表達(dá)式 -- c + b-- 的結(jié)果為 4, 表達(dá)式計(jì)算完之后， b,c的值分別為1，2
輸出格式要求：輸出直接顯示在屏幕上。對于每個(gè)表達(dá)式，第一行輸出表達(dá)式的內(nèi)容。第二行輸出表達(dá)式的值，后面幾行輸出參與運(yùn)算的各個(gè)變量的結(jié)果值。
標(biāo)簽：
CExpression
txt
運(yùn)算
表達(dá)式
上傳時(shí)間：
2017-01-17
上傳用戶：cjf0304
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級。
標(biāo)簽：
CoolMOS
VDMOS
導(dǎo)通電阻
分
上傳時(shí)間：
2013-10-21
上傳用戶：1427796291
