本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優(yōu)化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業(yè)的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡參數(shù) 1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡參數(shù) 1.2 散射參數(shù) 1.3 雙口網(wǎng)絡參數(shù)間轉換 1.4 雙口網(wǎng)絡的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網(wǎng)絡 1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡 1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡 1.7 傳輸線 參考文獻 第2章 非線性電路設計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數(shù)法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數(shù)的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設計 4.4.2 寬帶高功率放大器設計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導 參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網(wǎng)絡 5.3 四口網(wǎng)絡 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎 6.1 主要特性 6.2 增益和穩(wěn)定性 6.3 穩(wěn)定電路技術 6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯(lián)電容的E類 7.5 具有并聯(lián)電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準則 8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡 8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡 8.5 有耗匹配網(wǎng)絡 8.6 實際設計一瞥 參考文獻 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設計 9.1 Kahn包絡分離和恢復技術 9.2 包絡跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術 9.7 預失真線性化技術 9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：W51631
分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實際應用證明，該電路驅動能力及保護功能效果良好。
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：hz07104032
介紹了用單片機C 語言實現(xiàn)無功補償中電容組循環(huán)投切的基本原理和算法，并舉例說明。關鍵詞：循環(huán)投切;C51;無功補償中圖分類號： TM76 文獻標識碼： BAbstract: This paper introduces the aplication of C51 in the controlling of capacitorsuits cycle powered to be on and off in reactive compensation.it illustrate thefondamental principle and algorithm with example.Key words: cycle powered to be on and off; C51; reactive compensation 為提高功率因數(shù)，往往采用補償電容的方法來實現(xiàn)。而電容器的容量是由實時功率因數(shù)與標準值進行比較來決定的，實時功率因數(shù)小于標準值時，需投入電容組，實時功率因數(shù)大于標準值時，則需切除電容組。投切方式的不合理，會對電容器造成損壞，現(xiàn)有的控制器多采用“順序投切”方式，在這種投切方式下排序在前的電容器組，先投后切；而后面的卻后投先切。這不僅使處于前面的電容組經(jīng)常處于運行狀態(tài)，積累熱量不易散失，影響其使用壽命，而且使后面的投切開關經(jīng)常動作，同樣減少壽命。合理的投切方式應為“循環(huán)投切”。這種投切方式使先投入的運行的電容組先退出，后投的后切除，從而使各組電容及投切開關使用機率均等，降低了電容組的平均運行溫度，減少了投切開關的動作次數(shù)，延長了其使用壽命。
上傳時間： 2014-12-27
上傳用戶：hopy
本文介紹了一種由低次級聯(lián)形式構成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號先經(jīng)過MMIC得到二倍頻，再由反向并聯(lián)二極管對平衡結構實現(xiàn)寬帶三倍頻，從而將Ku波段信號六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉換接頭，輸出為 WR-10 標準矩形波導結構。仿真結果表明當輸入信號功率為20dBm時，三倍頻器在整個W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右，變頻損耗小于17dB。該設計可以降低毫米波設備的主振頻率，擴展已有微波信號源的工作頻段。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：qingzhuhu
集合式直流電能表（小功率的） 特點： 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可同時量測與顯示/直流電壓/電流/瓦特（千瓦）/瓦特小時（千瓦小時） 電壓輸入（DC0-99.99V/0-600.0V）自動變檔功能 顯示范圍0-9999(電流/瓦特/千瓦),0至99999999(八位數(shù)瓦特小時)可任意規(guī)劃 數(shù)位RS-485 界面 (Optional) 主要規(guī)格： 輔助電源消耗功率：＜0.35VA(DC12V/DC24V) ＜0.5VA（DC48V） ＜1.5VA（AC90-240V(50/60Hz)） 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit (23 ±5℃) 輸入范圍：Auto range(DC0-99.99V/0-600.0V(DC voltage)) 輸入抗阻：＞5MΩ（DC voltage） 取樣時間：10 cycles/second(total) 過載顯示: " doFL " 顯示值范圍: 0-9999 digit（DCA/W(KW)） 0-9999999.999 digit(WH/(KWH)) RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通訊位址: "01"-"FF"（0-255） RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕:Bight Red LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣耐壓能力:2KVac/1min.(input/output)（RS-485(Isolating)） 1600 Vdc (input/output) （RS-485(Isolating)） 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：s363994250
里面有相應的hpunix(HP-UX hpl1000 B.11.00 U 9000/800 (tb)),linux(Red Hat Linux release 9 Kernel 2.4.20-8),windows的頭文件、庫文件，還有相應的demo程序
標簽： release hpunix Kernel HP-UX
上傳時間： 2015-01-06
上傳用戶：cursor
求取系統(tǒng)的絕對幅度響應、相對的db值幅度響應、相位響應和群延時響應的函數(shù) ％ ％db為相對振幅(dB) ％mag為絕對振幅 ％pha為相位響應 ％grd為群延時 ％w為頻率樣本點向量 ％b為Ha(z)分子多項式系數(shù)(對FIR而言，b=h) ％a為Hz(z)分母多項式系數(shù)(對FIR而言，a=1) ％
上傳時間： 2014-01-21
上傳用戶：ryb
圖論中最小生成樹Kruskal算法 及畫圖程序 M-函數(shù) 格式 [Wt,Pp]=mintreek(n,W)：n為圖頂點數(shù),W為圖的帶權鄰接矩陣，不構成邊的兩頂點之間的權用inf表示。顯示最小生成樹的邊及頂點, Wt為最小生成樹的權,Pp(:,1:2)為最小生成樹邊的兩頂點,Pp(:,3)為最小生成樹的邊權,Pp(:,4)為最小生成樹邊的序號 附圖,紅色連線為最小生成樹的圖 例如 n=6 w=inf*ones(6) w(1,[2,3,4])=[6,1,5] w(2,[3,5])=[5,3] w(3,[4,5,6])=[5,6,4] w(4,6)=2 w(5,6)=6 [a,b]=mintreek(n,w)
上傳時間： 2015-11-30
上傳用戶：dreamboy36
Floyd-Warshall算法描述 1)適用范圍： a)APSP(All Pairs Shortest Paths) b)稠密圖效果最佳 c)邊權可正可負 2)算法描述： a)初始化：dis[u,v]=w[u,v] b)For k:=1 to n For i:=1 to n For j:=1 to n If dis[i,j]>dis[i,k]+dis[k,j] Then Dis[I,j]:=dis[I,k]+dis[k,j] c)算法結束：dis即為所有點對的最短路徑矩陣 3)算法小結：此算法簡單有效，由于三重循環(huán)結構緊湊，對于稠密圖，效率要高于執(zhí)行|V|次Dijkstra算法。時間復雜度O(n^3)。 考慮下列變形：如(I,j)∈E則dis[I,j]初始為1,else初始為0，這樣的Floyd算法最后的最短路徑矩陣即成為一個判斷I,j是否有通路的矩陣。更簡單的，我們可以把dis設成boolean類型，則每次可以用“dis[I,j]:=dis[I,j]or(dis[I,k]and dis[k,j])”來代替算法描述中的藍色部分，可以更直觀地得到I,j的連通情況。
標簽： Floyd-Warshall Shortest Pairs Paths
上傳時間： 2013-12-01
上傳用戶：dyctj
編寫一個用SOR法解方程組Ax=b的計算機程序，其中 要求程序中不存系數(shù)A，分別對不同的階數(shù)（例如n=15，80）取w=1.7,1.8,1.9，進行迭代，記錄近似解 達到 時所用迭代次數(shù)k，觀察松弛因子對收斂速度的影響。
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：wcl168881111111
