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無(wú)線電源接收

  • 多功能單片機開發工具

    超級單片機開發工具,包含:模擬/數字轉換表計算,LED 編碼器,色環電阻阻值計算,Hex/Bin轉換,串口調試器,端口監視器等實用功能 單片機開發過程中用到的多功能工具,包括熱敏電阻RT值--HEX數據轉換;3種LED編碼;色環電阻計算器;HEX/BIN 文件互相轉換;eeprom數據到C/ASM源碼轉換;CRC校驗生成;串口調試,帶簡單而實用的數據分析功能;串口/并口通訊監視等功能. 用C++ Builder開發,無須安裝,直接運行,不對注冊表進行操作。純綠色軟件。   1. 模擬/數字轉換表計算 本功能主要用于準備用于查表計算的 R/T 表格,主要用于溫度、濁度等模擬量的測量,根據電路分壓電阻的位置分為兩種,可以參看圖示選擇正確的電路連接形式;可自定義分壓電阻阻值;目前支持8位 /10位轉換精度;可選擇生成匯編/C源代碼格式的數據等。   2. LED 編碼器 本功能主要用于自動根據圖形信息、段位置信息生成可保存在單片機程序存儲器中供查表使用的數據。可自行定義字符的圖形及各段的位置信息;可以選擇LED類型,目前有 7段、14段、16段三種類型;自帶圖形定義,也可自定義并能保存自定義方案;自定義位置信息并可保存;可以生成 8位、4位編碼,4位編碼主要針對一些有 4個COM端的LED/LCD驅動器;同樣可以保存為C/ASM格式數據。   3. 色環電阻阻值計算 本功能主要為記不住色環值的人(像我)用的,比較簡單,單擊相應環的相應顏色,阻值將實時給出。   4. Hex/Bin轉換 Intel Hex格式文件和Bin格式文件相互轉換,本功能使用機會較少。 Hex/Bin文件轉換為文本方式(變量定義方式),將Hex文件或Bin文件轉換為C/ASM源代碼格式的數據。 CRC計算,提供3種計算方法。   5. 串口調試器 可以通過串口接收/發送數據,作為普通的串口調試器,可以手動發送所填內容,也可以發送整個文件;   內存映射功能,對于監控單片機內存非常方便,還可以定義內存變量,自動從接收到的數據中提取變量值,支持字節型、整型、長整型、浮點型、雙精度型、位掩碼(可用于位變量)、數組型(其他不規則變量)等,同時支持10進制、16進制、2進制顯示;可以自由選擇需要實時監測的變量;變量方案可以存盤等等;可以設為固定長度或定義首/尾標志,設置內存中實際起始地址,顯示時和計算變量時用;由map文件自動讀取內存變量(因條件所限,目前只支持由 ImageCraft C(ICC) 編譯器產生的map文件,歡迎提供其他編譯器的map文件樣本);   變量組合,適用于文本方式的變量監測,例如: Var1=1111#var2=2222#var3=333.333   通訊時可以選擇二進制、文本方式顯示;可設置自動滾屏;設置最大顯示行數; 可以選擇多命令交互方式通訊,且可以作為主發方、從發方;主發時可以循環發送所選命令;從發時可以定義自動應答命令,即接收到表中所列的命令后,自動用相應內容應答,是不是很實用?   可以設為手動發送或定時發送。   可自定義通訊超時時間。   可以保存歷史數據,包括發送和接收數據!   計劃加入調制解調器控制。   6. 端口監視器 監視所選串口/并口的一切通訊活動而不占用其資源,可以設置過濾條件,可同時監視多個端口,可以保存數據,可以直接記錄到文件中。

    標簽: 多功能 單片機 開發工具

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:lacsx

  • 使用Timequest約束和分析源同步電路

    04_使用Timequest約束和分析源同步電路

    標簽: Timequest 同步電路

    上傳時間: 2015-01-01

    上傳用戶:梧桐

  • FPGA DIY撥碼開關實驗源碼下載

    FPGA_DIY撥碼開關實驗源碼

    標簽: FPGA DIY 撥碼開關 實驗

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:tfyt

  • FPGA+DDS實現數控信號源的設計

    該信號源可輸出正弦波、方波和三角波,輸出信號的頻率以數控方式調節,幅度連續可調。與傳統信號源相比,該信號源具有波形質量好、精度高、設計方案簡潔、易于實現、便于擴展與維護的特點。

    標簽: FPGA DDS 數控 信號源

    上傳時間: 2013-10-17

    上傳用戶:asaqq

  • 基于FPGA的LVDS高速數據通信卡設計

    基于FPGA、PCI9054、SDRAM和DDS設計了用于某遙測信號模擬源的專用板卡。PCI9054實現與上位機的數據交互,FPGA實現PCI本地接口轉換、數據接收發送控制及DDS芯片的配置。通過WDM驅動程序設計及MFC交互界面設計,最終實現了10~200 Mbit·s-1的LVDS數據接收及10~50 Mbit·s-1任意速率的LVDS數據發送。

    標簽: FPGA LVDS 高速數據 通信卡

    上傳時間: 2013-12-24

    上傳用戶:zhangchu0807

  • FPGA在信息處理機中的應用

    信息處理機(圖1)用于完成導彈上多路遙測信息的采集、處理、組包發送。主要功能包括高速1553B總線的數據收發、422接口設備的數據加載與檢測、多路數據融合和數據接收、處理、組包發送的功能。其中,總線數據和其他422接口送來的數據同時進行并行處理;各路輸入信息按預定格式進行融合與輸出;數據輸出速率以高速同步422口的幀同步脈沖為源,如果高速同步422口異常不影響總線數據和其它422口的數據融合與輸出功能。在CPU發生異常或總線數據異常時不影響其它422口數據的融合與輸出功能;能夠對從總線上接收的數據進行二次篩選、組包,并發送往總線,供其它設備接收。

    標簽: FPGA 信息處理 中的應用

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:xjz632

  • 信號完整性知識基礎(pdf)

    現代的電子設計和芯片制造技術正在飛速發展,電子產品的復雜度、時鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢,但系統的電壓卻不斷在減小,所有的這一切加上產品投放市場的時間要求給設計師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產品的一次性成功就必須能預見設計中可能出現的各種問題,并及時給出合理的解決方案,對于高速的數字電路來說,最令人頭大的莫過于如何確保瞬時跳變的數字信號通過較長的一段傳輸線,還能完整地被接收,并保證良好的電磁兼容性,這就是目前頗受關注的信號完整性(SI)問題。本章就是圍繞信號完整性的問題,讓大家對高速電路有個基本的認識,并介紹一些相關的基本概念。 第一章 高速數字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統...........................................................................................1006.1.1 時序參數的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時序系統.......................................................................................1086.2.1 源同步系統的基本結構...................................................................1096.2.2 源同步時序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設計理論在實際中的運用.............................................................1228.1 疊層設計方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸的影響...........................................................................1278.3 一般布局規則...........................................................................................1298.4 接地技術...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134

    標簽: 信號完整性

    上傳時間: 2013-11-01

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  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2013-11-04

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  • 久源電氣(重慶華能機電研究所)

    重慶久源電氣有限公司是華能機電研究所在國內運作的銷售公司,以一流的合資產品和技術為依托,致力于低壓電力無功補償濾波元器件產品的銷售和服務,以更全面、有效的技術解決方案服務于市場需求,為改善電能質量問題提供全方位的解決及應用方案。 重慶華能機電研究所成立于1988年8月至今已有二十余年。是一家集專業研發、生產和銷售電力系統中無功自動補償產品及諧波治理有一定規模和實力影響力的中美合資企業。開發生產的各型補償產品已投入全國各地電網中運行已達數百萬臺(套)。有著成熟和豐富的電力無功補償產品和諧波治理工作經驗。擁有完備的產品檢測設備、生產設備、試驗設備。能夠長期穩定地滿足用戶的各種需求。 主要產品有:ED智能消諧濾波無功補償組合模塊 HNED智能無功補償組合模塊 HNBMKP系列圓柱形自愈式電力電容器 HNBCMJ橢圓形自愈式低壓并聯電容器 HNXNSG消諧濾波電抗器 JKG系列無功自動補償控制器 KCSB動態補償調節器(可控硅開關) HNFK低壓智能復合開關 HNFSP三相電源防浪涌防雷擊保護器.

    標簽: 電氣 機電 研究所

    上傳時間: 2015-01-02

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  • 三菱FX-PLC的通訊協議參考(含有源碼)

    三菱FX-PLC 的通訊協議參考(含有源碼):三菱FX 系列PLC 專用協議通信指令一覽FX 系列PLC 專用協議通信指令一覽以下將詳細列出PLC 專用協議通信的指令指令 注釋BR 以1 點為單位,讀出位元件的狀態WR 以16 點為單位,讀出位元件的狀態,或以1 字為單位讀出字元件的值BW 以1 點為單位,寫入位元件的狀態WW 以16 點為單位,寫入位元件的狀態或以1 字為單位寫入值到字元件BT 以1 點為單位,SET/RESET 位元件WT 以16 點為單位,SET/RESET 位元件,或寫入值到字元件RR 控制PLC 運行RUNRS 控制PLC 停止STOPPC 讀出PLC 設備類型TT 連接測試注:位元件包括X,Y,M,S 以及T,C 的線圈等字元件包括D,T,C,KnX,KnY,KnM 等。

    標簽: FX-PLC 三菱 通訊協議 有源

    上傳時間: 2015-01-02

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