摘要：對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析，對(duì)TLP250，EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖，還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng)，對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)，通過有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn)，最后得出結(jié)論：IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代，為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個(gè)MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，它是日前最為常見的一種器件。
標(biāo)簽： 三相逆變器 igbt 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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變頻器是指利用電力電子器件將工頰的交流電源變換為用戶所需頻率的交流電源，它分為直接變頻（交一交變頻）和間接變頻（交一直-交變頻），間接變頻技術(shù)在穩(wěn)頻穩(wěn)壓和調(diào)頻調(diào)壓的利用率以及變頻電源對(duì)負(fù)載特性的影響等方面，都具有明顯的優(yōu)勢，是目前變頻技術(shù)領(lǐng)域普遍采取的方式，本課題所研究的正是間接變頻中的脈寬調(diào)制（PWM）變頻器技術(shù)由于IGBT器件的開關(guān)速度很快，當(dāng)IGBT關(guān)斷或績流二極管反向恢復(fù)時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的di/dr，該dild在主電路的布線電感上引發(fā)較大的尖峰電壓（關(guān)斷浪涌電壓）.在采用PWM開關(guān)控創(chuàng)模式的IGBT變頻器中，IGBT的開關(guān)狀態(tài)不但與PWM脈沖有關(guān)，還與變頻器主電路元器件及負(fù)載特性有很大關(guān)系，為了確保IGBT安全可靠的工作，有必要進(jìn)一步分析主電路和緩沖電路各器件的工作情況和接相過程，以期設(shè)計(jì)出有效的IGBT保護(hù)電路。本文推導(dǎo)了兩電平PWM三相變頻器的數(shù)學(xué)模型，對(duì)變頻器主電路的換相過程及緩沖電路的工作方式利用PSIM軟件進(jìn)行了細(xì)致的仿真分析，同時(shí)也仿真研究了布線電感及緩沖電路各參數(shù)對(duì)1GBT關(guān)斷電壓的影響；詳細(xì)介紹了變頻器所包含的各電路環(huán)節(jié)的理論基礎(chǔ)及設(shè)計(jì)過程：并在大量的文獻(xiàn)資料和相關(guān)仿真分析的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出套級(jí)沖電路器件參數(shù)的計(jì)算公式，實(shí)踐表明計(jì)算結(jié)果符合要求并取得了良好的效果。經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)和反復(fù)的改進(jìn)，并給出了調(diào)試結(jié)果及變頻器的額定輸出電壓、電流波形。通過將試驗(yàn)結(jié)果與理論外析進(jìn)行比較驗(yàn)證，證明了理論分析的合理性，本文所研究設(shè)計(jì)的變頻器性能穩(wěn)定，運(yùn)行可靠，完全滿足設(shè)計(jì)要求.
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動(dòng)系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu)；冷床傳輸鏈采用4臺(tái)電機(jī)單獨(dú)傳動(dòng)，每臺(tái)電機(jī)分別由獨(dú)立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時(shí)性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來，冷床傳輸鏈運(yùn)行較為穩(wěn)定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現(xiàn)象，具體故障情況統(tǒng)計(jì)見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺(tái)逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實(shí)際情況上看，檢查輸出電纜及電機(jī)等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統(tǒng)可以立即正常運(yùn)行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式，制動(dòng)電阻直接掛接于直流母線上，當(dāng)逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時(shí)，制動(dòng)單元?jiǎng)幼鳎M(jìn)行能耗制動(dòng)；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象，因此不是由于制動(dòng)反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負(fù)荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實(shí)際運(yùn)行波形上看，負(fù)荷分配相對(duì)較為均勻，相互差別僅為2%左右，應(yīng)該不會(huì)造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象，如果是由于負(fù)荷分配不均造成，應(yīng)該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負(fù)荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運(yùn)行，從而導(dǎo)致IGBT燒毀。逆變單元型號(hào)及電機(jī)參數(shù)：額定功率90kw，額定電流186A，負(fù)載電流169 A，短時(shí)電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機(jī)功率110kw，電機(jī)額定電流205 A，電機(jī)正常運(yùn)行時(shí)的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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5KW_PCS逆變器_并網(wǎng)充放電，并網(wǎng)離網(wǎng)切換STM32F103為主控主控平臺(tái)：STM32F103RCT6逆變拓?fù)洌喝珮蚬δ埽翰⒕W(wǎng)充電、放電；并網(wǎng)離網(wǎng)自動(dòng)切換；485通訊，在線升級(jí)；描述：本方案適用于戶用儲(chǔ)能系統(tǒng)，提供完善的通訊協(xié)議適配BMS和上位機(jī) 本方案可實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)充電、放電；自動(dòng)判斷并離網(wǎng)切換；可實(shí)現(xiàn)并機(jī)功能；風(fēng)扇智能控制；提供過流、過壓、短路、過溫等全方位的保護(hù)基于arm的方案區(qū)別于DSP，提供一種性價(jià)比極高的選擇可在此基礎(chǔ)上開發(fā)各衍生的電源產(chǎn)品
上傳時(shí)間： 2022-06-24
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電源是電子設(shè)備的重要組成部分，其性能的優(yōu)劣直接影響著電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性，隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備的種類越來越多，其對(duì)電源的要求也更加靈活多樣，因此如何很好的解決系統(tǒng)的電源問題已經(jīng)成為了系統(tǒng)成敗的關(guān)鍵因素。本論文研究選取了BICMOS工藝，具有功耗低、集成度高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).根據(jù)電流模式的PWM控制原理，研究設(shè)計(jì)了一款基于BICMOS工藝的雙相DC-DC電源管理芯片。本電源管理芯片自動(dòng)控制兩路單獨(dú)的轉(zhuǎn)換器工作，兩相結(jié)構(gòu)能提供大的輸出電流，但是在開關(guān)上的功耗卻很低。芯片能夠精確的調(diào)整CPU核心電壓，對(duì)稱不同通道之間的電流。本電源管理芯片單獨(dú)檢測每一通道上的電流，以精確的獲得每個(gè)通道上的電流信息，從而更好的進(jìn)行電流對(duì)稱以及電路的保護(hù)。文中對(duì)該DC-DC電源管理芯片的主要功能模塊，如振蕩器電路、鋸齒波發(fā)生電路、比較器電路、平均電流電路、電流檢測電路等進(jìn)行了設(shè)計(jì)并給出了仿真驗(yàn)證結(jié)果。該芯片只需外接少數(shù)元件就可構(gòu)成一個(gè)高性能的雙相DC-DC開關(guān)電源，可廣泛應(yīng)用于CPU供電系統(tǒng)等。通過應(yīng)用Hspice軟件對(duì)該變換器芯片的主要模塊電路進(jìn)行仿真，驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方案和理論分析的可行性和正確性，同時(shí)在芯片模塊電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，應(yīng)用0.8umBICMOS工藝設(shè)計(jì)規(guī)則完成了芯片主要模塊的版圖繪制，編寫了DRC.LVS文件并驗(yàn)證了版圖的正確性。所設(shè)計(jì)的基于BICMOS工藝的DC-DC電源管理芯片的均流控制電路達(dá)到了預(yù)期的要求。
標(biāo)簽： DC-DC電源管理
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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電路見圖1當(dāng)把開關(guān)K1打向“逆變”位置時(shí)，BG1導(dǎo)通，由時(shí)基電路NE555及外圍元件組成的無穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器開始振蕩，其充？放電時(shí)間常數(shù)可調(diào)節(jié)？如果選擇R1=R2則輸出脈沖的占空比為50%，該多諧振蕩器的振蕩頻率f=1.443/（R1+R2+2W）C2，圖中的元件數(shù)值可使振蕩頻率調(diào)在50Hz，振蕩脈沖由役腳輸出，波形為方波，該方波經(jīng)C4耦合，R3？C5積分變?yōu)槿遣ǎ@個(gè)三角波又經(jīng)RPC6，第二次積分和R5？C7第三次積分，變?yōu)榻频恼也ǎㄟ^C8耦合到BG2，由BG2放大后在B1的L2線圈上輸出？當(dāng)L2上端電壓為正時(shí)，D4截止，D3導(dǎo)通，使BGPBG6截止，BG3？BG5導(dǎo)通，電流由電瓶正極→B2的L1-BG5-電瓶負(fù)極；當(dāng)L2上端電壓為負(fù)時(shí)，D3截止，D4導(dǎo)通，使BG2BG5截止，BG4？BG6導(dǎo)通，電流由電瓶正極一B2的L2-BG6電瓶負(fù)極？BGBG6交替導(dǎo)通？截止，經(jīng)變壓器B2合成正負(fù)對(duì)稱的正弦波，并由L3升壓送至逆變輸出插座CZ12CZ2，供用電器使用，同時(shí)LED1（紅色）亮，指示逆變狀態(tài)？當(dāng)開關(guān)打向“充電”位置時(shí)，市電經(jīng)變壓器B2降壓？D5？D6全波整流？R11限流后對(duì)電瓶充電，同時(shí)LED2（綠色）亮，指示充電狀態(tài)？
上傳時(shí)間： 2022-06-27
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本書共分九章。第1章是基本知識(shí)，敘述傳感器和變送器的組成和分類，并介紹若干常用名詞術(shù)語和概念，如靈敏度、精確度、基本誤差等。第2章是檢測溫度用的傳感器和變送器，其中有工業(yè)上廣泛應(yīng)用的熱電偶及熱電阻，近來發(fā)展迅速的半導(dǎo)體和集成化測溫器件，家用電器里常見的各種溫度開關(guān)等。第3章是壓力檢測部分，除介紹了最常用的彈性變形測壓原理之外，對(duì)性能較好的電容式壓力變送器有較詳細(xì)的描述，對(duì)近來出現(xiàn)的靈巧型壓力變送器也作了介紹。第4章為流量儀表，從自來水表和煤氣表到電磁及超聲流量）都作了原理和性能的分析，對(duì)不易理解的質(zhì)量流扯計(jì)進(jìn)行了深入淺出的闡述。第5章物位和第6章成分分別指出了各種傳感器及變送器的 適用條件和性能差異。第7章是機(jī)械量，包括位移、轉(zhuǎn)角、轉(zhuǎn)速、力、轉(zhuǎn)矩及振動(dòng)，在工業(yè)生產(chǎn)自動(dòng)化領(lǐng)域，這類傳感器和變送器也經(jīng)常用到。第8章是光強(qiáng)，光敏元件是最常遇到的光傳感器，此外發(fā)光元件和光電耦合器在自動(dòng)化裝置里也經(jīng)常用到，在本章里一井介紹以便應(yīng)用。第9章為磁場檢測 用的傳感器，著重介紹了各種新近出現(xiàn)的磁敏元件和集成化器件。從事自動(dòng)化工作的讀者，對(duì)其原理和性能初步了解是十分有益的。
上傳時(shí)間： 2022-07-05
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分享一份成熟量產(chǎn)的3KW光伏逆變器原理圖；整機(jī)分成3塊PCB板顯示板：LCD顯示屏、聲控電路；主功率板：包括輸入EMI、PV_ISO檢測、PV電壓電流采樣、BOOST升壓拓?fù)洹4逆變拓?fù)洹⑤敵鯡MI、GFCI漏電流檢測等等；控制板：各路采樣電路、IGBT驅(qū)動(dòng)電路，通信電路等等；附件內(nèi)容：
標(biāo)簽： 光伏并網(wǎng) 逆變器
上傳時(shí)間： 2022-07-06
上傳用戶：wangshoupeng199
q76925是一款適用于3～6節(jié)串聯(lián)電池應(yīng)用的專用模擬前端(A FE)，其所提供的3個(gè)模擬輸出可幫助微控制器輕松監(jiān)控電池電壓、電流以及溫度。電池電壓可針對(duì)V。。。，引腳進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換、縮放和多路復(fù)用。電池電流可通過與電池組串聯(lián)的傳感電阻器進(jìn)行監(jiān)控。傳感電阻器的電壓可放大驅(qū)動(dòng)至V。。。，引腳。VTB引腳可提供開關(guān)偏置，用于激勵(lì)支持溫度測量的熱敏電阻器網(wǎng)絡(luò)。bq76925提供一個(gè)為MSP430G2xx2供電的3．3V穩(wěn)壓輸出，以及一個(gè)支持MSP430G2xx2模數(shù)轉(zhuǎn)換器(AD C)的精確3．3V參考電壓。此外，AFE還包含由MSP430G2xx2控制的集成型電池平衡FET。最后，AFE的板載比較器還可向MSP430G2xx2發(fā)送過流情況信息，能實(shí)現(xiàn)快速故障響應(yīng)
標(biāo)簽： 電池管理系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-07-08
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此評(píng)估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統(tǒng)性能，該電路通常可用于電動(dòng)汽車的快速DC充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設(shè)計(jì)，具有開爾文源極連接，可改善開關(guān)損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設(shè)有一個(gè)凹口，以增加蠕變距離，以適應(yīng)更高電壓的SiC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時(shí)，評(píng)估轉(zhuǎn)換器級(jí)效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。
標(biāo)簽： 全橋諧振 LLC轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2022-07-17
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