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在本站下載的一個文檔，講的是STM32的PWM輸入模式，并不是我想找的文檔，貢獻出來，對別人也許有用。
標(biāo)簽： STM PWM 32 輸入
上傳時間： 2013-07-13
上傳用戶：咔樂塢
本應(yīng)用指南講述 Spartan-3E 系列中的串行外設(shè)接口 (SPI) 配置模式。SPI 配置模式拓寬了SpartanTM-3E 設(shè)計人員可以使用的配置解決方案。SPI Flash 存儲器件引腳少、封裝外形小而且貨源廣泛。本指南討論用 SPI Flash 存儲器件配置 Spartan-3E FPGA 所需的連接
標(biāo)簽： Spartan SPI 串行 外設(shè)接口
上傳時間： 2013-08-08
上傳用戶：helmos
主要實現(xiàn)FPGA和總線模式下的通信可以實現(xiàn)8051對FPGA的讀寫操作
標(biāo)簽： FPGA 8051 讀寫操作 總線
上傳時間： 2013-08-09
上傳用戶：chendawei
altera 颶風(fēng)二代開發(fā)板的原理圖，pdf格式\r\n
標(biāo)簽： altera 開發(fā)板 原理圖
上傳時間： 2013-08-15
上傳用戶：qimingxing130
基于QUARTUSII軟件 實現(xiàn)FPGA（ATERA CYCLONE II系列）與SD卡SD模式通信\r\n所用語言位verilog HDL
標(biāo)簽： QUARTUSII CYCLONE ATERA FPGA
上傳時間： 2013-08-20
上傳用戶：it男一枚
并口epp模式下與fpga通信例子，附源碼
標(biāo)簽： fpga epp 并口 模式
上傳時間： 2013-09-03
上傳用戶：caiqinlin
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計
標(biāo)簽： DCDC 峰值電流 單片式 變換器
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：debuchangshi
五種PWM反饋控制模式研究
標(biāo)簽： PWM 反饋控制 模式
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：Amygdala
結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文
標(biāo)簽： 電流模式 電壓模式 比較
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：1406054127
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