% Computation of ST-ZCR and STE of a speech signal. % % Functions required: zerocross, sgn, winconv. % % Author: Nabin Sharma % Date: 2009/03/15 [x,Fs] = wavread('so.wav'); % word is: so x = x.'; N = length(x); % signal length n = 0:N-1; ts = n*(1/Fs); % time for signal % define the window wintype = 'rectwin'; winlen = 201; winamp = [0.5,1]*(1/winlen);
標簽： 短時過零率和短時能量
上傳時間： 2019-09-23
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# include<stdio.h> # include<math.h> # define N 3 main(){ float NF2(float *x,float *y); float A[N][N]={{10,-1,-2},{-1,10,-2},{-1,-1,5}}; float b[N]={7.2,8.3,4.2},sum=0; float x[N]= {0,0,0},y[N]={0},x0[N]={}; int i,j,n=0; for(i=0;i<N;i++) { x[i]=x0[i]; } for(n=0;;n++){ //計算下一個值 for(i=0;i<N;i++){ sum=0; for(j=0;j<N;j++){ if(j!=i){ sum=sum+A[i][j]*x[j]; } } y[i]=(1/A[i][i])*(b[i]-sum); //sum=0; } //判斷誤差大小 if(NF2(x,y)>0.01){ for(i=0;i<N;i++){ x[i]=y[i]; } } else break; } printf("經過%d次雅可比迭代解出方程組的解：\n",n+1); for(i=0;i<N;i++){ printf("%f ",y[i]); } } //求兩個向量差的二范數函數 float NF2(float *x,float *y){ int i; float z,sum1=0; for(i=0;i<N;i++){ sum1=sum1+pow(y[i]-x[i],2); } z=sqrt(sum1); return z; }
上傳時間： 2019-10-13
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%========================開始提取加噪信號的各類特征值================================ for n=1:1:50; m=n*Ns; x=(n-1)*Ns; for i=x+1:m; %提取加噪信號'signal_with_noise=y+noise'的前256個元素，抽取50次 y0(i)=signal_with_noise(i); end Y=fft(y0); %對調制信號進行快速傅里葉算法（離散） y1=hilbert(y0) ; %調制信號實部的解析式 factor=0; %開始求零中心歸一化瞬時幅度譜密度的最大值gamma_max for i=x+1:m; factor=factor+y0(i); end ms=factor/(m-x); an_i=y0./ms; acn_i=an_i-1; end gamma_max=max(fft(acn_i.*acn_i))/Ns
上傳時間： 2020-04-07
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%========================開始提取加噪信號的各類特征值================================ for n=1:1:50; m=n*Ns; x=(n-1)*Ns; for i=x+1:m; %提取加噪信號'signal_with_noise=y+noise'的前256個元素，抽取50次 y0(i)=signal_with_noise(i); end Y=fft(y0); %對調制信號進行快速傅里葉算法（離散） y1=hilbert(y0) ; %調制信號實部的解析式 factor=0; %開始求零中心歸一化瞬時幅度譜密度的最大值gamma_max for i=x+1:m; factor=factor+y0(i); end ms=factor/(m-x); an_i=y0./ms; acn_i=an_i-1; end gamma_max=max(fft(acn_i.*acn_i))/Ns
上傳時間： 2020-04-07
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反激式開關電源變壓器設計的詳細步驟85W反激變壓器設計的詳細步驟 1. 確定電源規格. 1).輸入電壓范圍Vin=90—265Vac; 2).輸出電壓/負載電流:Vout1=42V/2A, Pout=84W 3).轉換的效率=0.80 Pin=84/0.8=105W 2. 工作頻率，匝比, 最低輸入電壓和最大占空比確定. Ｖmos*0.8>Vinmax+n(Vo+Vf)600*0.8>373+n(42+1)得n<2.5Vd*0.8>Vinmax/n+Vo400*0.8>373/n+42得n>1.34 所以n取1.6最低輸入電壓Vinmin=√[(Vacmin√2)* (Vacmin√2)-2Pin(T/2-tc)/Cin=(90√2*90√2-2*105*(20/2-3)/0.00015=80V取:工作頻率fosc=60KHz, 最大占空比Dmax=n(Vo+Vf)/[n(Vo+Vf)+Vinmin]= 1.6(42+1)/[1.6(42+1)+80]=0.45 Ton(max)=1/f*Dmax=0.45/60000=7.5us 3. 變壓器初級峰值電流的計算. Iin-avg=1/3Pin/Vinmin=1/3*105/80=0.4AΔIp1=2Iin-avg/D=2*0.4/0.45=1.78AIpk1=Pout/?/Vinmin*D+ΔIp1=84/0.8/80/0.45=2.79A 4. 變壓器初級電感量的計算. 由式子Vdc=Lp*dip/dt,得: Lp= Vinmin*Ton(max)/ΔIp1 =80*0.0000075/1.78 =337uH 取Lp=337 uH 5.變壓器鐵芯的選擇. 根據式子Aw*Ae=Pt*1000000/[2*ko*kc*fosc*Bm*j*?],其中: Pt(標稱輸出功率)= Pout=84W Ko(窗口的銅填充系數)=0.4 Kc(磁芯填充系數)=1(對于鐵氧體), 變壓器磁通密度Bm=1500Gs j(電流密度): j=4A/mm2;Aw*Ae=84*1000000/[2*0.4*1*60*103*1500Gs*4*0.80]=0.7cm4 考慮到繞線空間,選擇窗口面積大的磁芯,查表: ER40/45鐵氧體磁芯的有效截面積Ae=1.51cm2 ER40/45的功率容量乘積為 Ap = 3.7cm4 >0.7cm4 故選擇ER40/45鐵氧體磁芯. 6.變壓器初級匝數 1).由Np=Vinmin*Ton/[Ae*Bm],得: Np=80*7.5*10n-6/[1.52*10n-4*0.15] =26.31 取 Np =27T 7. 變壓器次級匝數的計算. Ns1(42v)=Np/n=27/1.6=16.875 取Ns1 = 17T Ns2(15v)=(15+1)* Ns1/(42+1)=6.3T 取Ns2 = 7T
上傳時間： 2022-04-15
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
將偏差的比例（Proportion）、積分（Integral）和微分（Differential）通過線性組合構成控制量，用這一控制量對被控對象進行控制，這樣的控制器稱PID控制器。1.1模擬PID控制原理在模擬控制系統中，控制器最常用的控制規律是PID控制。為了說明控制器的工作原理，先看一個例子。如圖1-1所示是一個小功率直流電機的調速原理圖。給定速度n（f）與實際轉速進行比較n（），其差值e（）=n（0-n（），經過PID控制器調整后輸出電壓控制信號u），u）經過功率放大后，驅動直流電動機改變其轉速。常規的模擬PID控制系統原理框圖如圖1-2所示。該系統由模擬PID控制器和被控對象組成。圖中，r（）是給定值，y（f）是系統的實際輸出值，給定值與實際輸出值構成控制偏差e（t）e（）作為PID控制的輸入，以）作為PID控制器的輸出和被控對象的輸入。所以模擬PID控制器的控制規律為
標簽： pid控制
上傳時間： 2022-07-04
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VIP專區-嵌入式/單片機編程源碼精選合集系列（37）資源包含以下內容：1. at91sam64編程實例.2. 一個用asm寫的操作系統原型 很適合大家學習學習.3. 本文詳細介紹了學習FREEBSD的一些命令.4. 一個12路串口+3路Socket口的數據收發程序 嵌入式ucLinux操作系統下調試通過.5. c語言中寫二進制數。引用例子： #define Bin(n) LongToBin(0x##n##l) void main(void) { unsigned char c c =.6. 此程序是利用2051單片機P1.0,P1.1精密比較器功能實現a/d轉換通過P1.0電位器調節.7. 《KEIL C51 Vision2 中文入門教程》翻譯.8. 基于單片機、nrf24e1發射接受程序.9. 一個用于控制LCD panel顯示的驅動程序。控制LCD讀寫和顯示控制。.10. libminigui-1.3.3.tar.gz。 對想學習miniGUI的朋友這是非常好的自學資料！.11. libminigui-1.3.0.tar.gz。 miniGUI的庫函數源代碼！.12. 8255 輸入、輸出實驗的匯編程序清單 方式0.13. 深圳金鵬液晶自帶漢字顯示模塊4*15D的使用例程.14. Keyboard Source code for 68HC705J1A,供胡次使用68HC705J1A.15. 用于小商品消費的SMS消費機程序.16. 是上一個SMS消費機的充值機程序.17. 以上幾個手持機的初始化程序.18. 68K328手持開發說明文檔.19. 這是一個ARM的實驗。主要是使用PWM6輸出一個固定占空比的單邊沿控制PWM信號.20. 這是一個語音電壓表.21. 具有原始語音播放功能.22. 是一個按鍵控制的錄音筆.23. 是一個飛翔的小鳥.24. 用匯編和C編寫的.25. 卷積碼的C源程序.26. 1．在發送端通過一個編碼系統對待傳數據預先編碼.27. lcd液晶顯示器的單片機地層驅動程序以及字符點陣生成器,剛剛做完的項目,希望對大家有用.28. ActiveTcl is ActiveState s quality-assured distribution of Tcl, available for AIX, HP-UX, Linux, Mac.29. 是TCL的另外一個編譯（解釋）器.30. AT88SC102及AT88SC1604 IC卡的讀寫（C51編寫）測試表明程序工作可靠.31. i2c軟件包, 很有用, 也非常簡單.32. 一個德國人用匯編寫的基于15個采樣點的dcc編碼器.33. 一個德國人寫的基于15各采樣點的dcc解碼器.34. 本程序是針對T6963C控制器的LCD接口的驅動程序。.35. key(鍵盤子程序）.36. s_serial(c51用io口模擬串口).37. PS鍵盤與單片機連接.38. 在51移植的ucos2源代碼 UCOS2_KEIL.39. 單片機自發自收CAN通訊 c51_can_self.40. 日立單片機實現IIC的的程序,由C語言寫出,已經調試通過,可以放心使用.
標簽： 工程圖
上傳時間： 2013-06-02
上傳用戶：eeworm
VIP專區-嵌入式/單片機編程源碼精選合集系列（39）資源包含以下內容：1. 這是有關SPI總線的一段讀寫程序.2. 這是一段MAX7219的驅動C51源程序.3. 利用msp430的通用I/O端口模擬I2c協議的源代碼.4. 超級下載軟件(progisp ver1.1)包括并口下載器與usb isp下載器的詳細制作資料.5. MCS51產單片機上實現的tcp/ip,很全的哦,需要的可以參考一下..6. 嵌入式系統圖形用戶界面編程.7. 05嵌入式大會的部分演講稿.8. 51系列對CH375模塊讀寫.9. test for boundary scan and CPLD ics..10. 這是我個人再學習ARM7s3c2410的 時候用到的試驗代碼.11. 本人水品有限.12. 是在不好意思.13. 入門試驗代碼.14. pxros的使用說明.15. 在NIOS中利用C語言模擬I2C總線時序.16. ALTERA NIOS處理器實驗.17. ALTERA NIOS處理器實驗.18. ALTERA NIOS處理器實驗.19. ALTERA NIOS處理器實驗.20. ALTERA NIOS處理器實驗.21. 隨著高性能計算的需求.22. ADS1.2是一個使用方便的集成開發環境.23. AVR單片機嵌入式操作系統原代碼.24. 有關rtos的書.25. 重要的匯編語言編程......和大家一起分享.26. AT91M55800A材料-BasicTimer.27. I2c代碼.28. WINDOWS系統下灰度的BMP圖片轉換成黑白圖片..29. 在WINDOWS CE.NET 系統中讀RDP連接的用戶名的密碼..30. 嵌入式實時操作系統μCOS-在ARM上的移植應用.31. 在s3c44b0x運行的俄羅斯方塊游戲 DOS參考代碼.32. uCOS-II在C51下的一個完整的LCD項目源碼.33. 石子歸并問題：在一個圓形操場的四周擺放著N堆石子(N<= 100),現要將石子有次序地合并成一堆.規定每次只能選取相鄰的兩堆合并成新的一堆,并將新的一堆的石子數,記為該次合并的得分.編一程序,由.34. 單片機及嵌入式系統web實現的文章 很好的：MCU應用系統與Internet連接的一種新技術.35. 單片機發展趨勢的文章： 從Cygnal C8051F看8位單片機發展之路 好.36. usb host在ARM7上的實現.37. 對arm300的一些簡單的試驗做了詳細地說明和講解.38. arm技術手冊.39. arm7上開發usb的文檔,說得非常好.40. 一個關于s1d13806的應用程序.
上傳時間： 2013-04-15
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產品描述 提供8個觸摸感應按鍵，二進制(BCD)編碼輸出，具有一個按鍵承認輸出的顯示，按鍵後的資料會維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認的狀態，對於防水和抗干擾方面有很優異的表現! 產品特色 工作電壓範圍： 3.1V – 5.5V 工作電流： 3mA@5V 8 個觸摸感應按鍵 提供二進制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 按鍵後離開，輸出狀態會維持到下次按鍵才會改變。 提供按鍵承認有效輸出，當有按鍵時輸出低電平，無按鍵為高電平。 可以經由調整 CAP 腳的外接電容，調整靈敏度，電容越大靈敏度越高 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力 產品應用 應用于大小家電，娛樂產品等
標簽： VK3608 SOP VK 16 BM 抗干擾 防水 電元器件 貼片
上傳時間： 2019-08-08
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