碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望
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碳化硅器件技術(shù)資料
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查看全部3883個(gè)資源 ?先進(jìn)的高壓大功率器件——原理 特性和應(yīng)用
本書(shū)共11章。 第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用， 定義了理想功率開(kāi)關(guān)的電特性， 并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門(mén)極關(guān)斷 （GTO） 晶閘管結(jié)構(gòu)。 第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)， 以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。 第6章和...
半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN SiC）材料及器件測(cè)試
半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）材料及器件測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù)，對(duì)...
壓電器件
壓電器件...
現(xiàn)代光電器件技術(shù)及應(yīng)用
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?? 碳化硅器件資料分類(lèi)