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穩(wěn)壓

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標簽： 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間： 2013-08-30

    上傳用戶：cainaifa

  • 自己現在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

    標簽： CPLD 244 74 HC

    上傳時間： 2013-08-31

    上傳用戶：dancnc

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽： Protel 99 se

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽： 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • 反激式控制器簡化了低輸入電壓DCDC轉換器的設計

    LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓，但可通過采用一個 VCC 穩壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉換器的輸入範圍向上擴展。

    標簽： DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉換器

    上傳時間： 2013-11-01

    上傳用戶：

  • 雙通道8A DCDC uModule穩壓器能夠容易地通過并聯來提供16A電流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內，因此只需少量的外部元件。

    標簽： uModule DCDC 16A 雙通道

    上傳時間： 2013-10-27

    上傳用戶：頂得柱

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

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