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穩(wěn)定性

多路18b20測溫顯示系統,可同時測量n個第三18b20

多路18b20測溫顯示系統,可同時測量n個第三18b20

標簽： 18b20 多路測溫顯示系統

上傳時間： 2013-08-21

上傳用戶：zhangchu0807
使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n

8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

標簽： 128 FlashRom 8051 KB

上傳時間： 2013-08-30

上傳用戶：cainaifa
自己現在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

自己現在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

標簽： CPLD 244 74 HC

上傳時間： 2013-08-31

上傳用戶：dancnc
<快學易用Protel99se>\r\n

\r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

標簽： Protel 99 se

上傳時間： 2013-09-11

上傳用戶：Yukiseop
MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態范圍)

標簽： THD SINAD ENOB SFDR

上傳時間： 2014-01-22

上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

標簽： MOS N溝道 H橋驅動電路設計

上傳時間： 2014-08-01

上傳用戶：1109003457
微電腦型數學演算式隔離傳送器

特點：精確度0.1%滿刻度可作各式數學演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT類比輸出功能輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(input/output/power) 寬范圍交直流兩用電源設計尺寸小,穩定性高

標簽： 微電腦數學演算隔離傳送器

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：ydd3625
采用歸零法的N進制計數器原理

計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

標簽： 歸零法 N進制計數器原

上傳時間： 2013-10-11

上傳用戶：gtzj
p-n結的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時間： 2013-10-31

上傳用戶：summery
N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

標簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123