深入淺出 MFC 本書分為四大篇。第一篇提出學(xué)習(xí) MFC 程式設(shè)計之前的必要基礎(chǔ),包括 Windows 程式的 基本觀念以及 C++ 的高階議題。
標(biāo)簽: MFC 分 程式
上傳時間: 2017-04-05
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二元搜尋樹簡單易懂,不過有一個問題:它並非平衡樹。本章將介紹平衡的 AVL 搜尋樹,討論它的資料結(jié)構(gòu)、函式,並設(shè)計程式使用它。
標(biāo)簽: 二元
上傳時間: 2017-05-30
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完整的敘述如何開發(fā)即時中文辨識軟體,此為大學(xué)專題報告
標(biāo)簽:
上傳時間: 2017-06-16
上傳用戶:頂?shù)弥?/p>
vbsql學(xué)習(xí)源碼,適合一般初學(xué)者,如有問題,麻煩請指教一下
標(biāo)簽: vbsql
上傳時間: 2017-07-04
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這是個prolog程式,能解決4x4的數(shù)獨(dú)問題 例: ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]
標(biāo)簽: prolog 程式
上傳時間: 2017-07-21
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1 C 語語語言言言 簡簡簡介介介 5 1.1 C 語言 歷史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1.2 程 式 語言 分類 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 1.3 程 式 撰 寫步 驟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 2 vi 編編編 輯輯輯 器器器 9 2.1 vi 與 vim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.2 vi 的使用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 2.3 vim 的額外功能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 2.4 vi 實(shí) 機(jī)練習(xí) 題 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 3 程程程 式式式開開開發(fā)發(fā)發(fā)環(huán)環(huán)環(huán) 境境境 23 3.1 編譯器 gcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 3.2 撰 寫第一 支程 式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
標(biāo)簽: C程式語 pdf
上傳時間: 2015-03-16
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標(biāo)簽: Tecplot 2013 360 R1
上傳時間: 2016-06-13
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在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間: 2020-06-05
上傳用戶:shancjb
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。
標(biāo)簽: ESD_Technology
隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電子技術(shù)的發(fā)展,開關(guān)電源的體積越來越小、質(zhì)量越來越輕、效率越來越高、可靠性也越來越優(yōu)良,被廣泛地運(yùn)用到了生活中的各個方面。DcDC開關(guān)電源是開關(guān)電源中非常常用的一種形式,因此,對DCDC開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、反饋電路等相關(guān)知識的研究成為了理解開關(guān)電源的重要環(huán)節(jié)。論文分析了推挽式DCDC開關(guān)電源的工作原理、效率和優(yōu)缺點(diǎn),設(shè)計了一款輸出恒定的推挽式DCDC開關(guān)電源。論文以T公司的高速PwM控制器Uc3825為核心,給出了DCDC開關(guān)電源的結(jié)構(gòu)框圖,詳細(xì)設(shè)計了控制器、推挽式驅(qū)動、整流濾波、反饋控制等電路,討論了變壓器、開關(guān)管、整流二極管等選型問題。通過對推挽式DCDC開關(guān)電源樣機(jī)的測試,結(jié)果表明,在輸出功率為100W到30W時,論文設(shè)計的樣機(jī)的轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到85%以上。開關(guān)電源就是通過特定的電路,控制開關(guān)管的導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間,以達(dá)到輸出恒定的直流電壓的設(shè)備。隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,開關(guān)電源涉及到的相關(guān)技術(shù)也越來越成熟,使得開關(guān)電源成為了電子設(shè)備中不可或缺的一種供電方式開關(guān)電源最早源于二十世紀(jì)五十年代的美國,當(dāng)時,美國為了設(shè)計特殊需求的軍用電源,提出了小型、輕量的目標(biāo),自此開始,開關(guān)電源由于其比傳統(tǒng)的線性電源擁有的優(yōu)點(diǎn)而廣泛地運(yùn)用到電子、電氣設(shè)備、計算機(jī)電源、通信設(shè)備等領(lǐng)經(jīng)過幾十年的不斷進(jìn)步,開關(guān)電源在諸多方面都有了非常大的突破。大功率MOSFET和IGBT等功率器件技術(shù)的進(jìn)步使得開關(guān)電源能向著高頻化、大功率的方向發(fā)展。軟開關(guān)技術(shù)可以降低開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲,可以大大提升開關(guān)電源的效率,為高頻開關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)提供了可能。平面變壓器和平面電感技術(shù)的發(fā)展使開關(guān)電源的效率可以進(jìn)一步得到提升,體積也可以大大地減小。有源功率因數(shù)校正技術(shù)的發(fā)展,使開關(guān)電源的功率因數(shù)得到了很大地提升,既解決了由電路中的非線性負(fù)載產(chǎn)生的諧波失真,又提高了開關(guān)電源的整機(jī)效率
標(biāo)簽: 開關(guān)電源
上傳時間: 2022-03-10
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