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紅外溫度

  • 數字容性隔離器的磁場抗擾度

    數字容性隔離器的應用環境通常包括一些大型電動馬達、發電機以及其他產生強電磁場的設備。暴露在這些磁場中,可引起潛在的數據損壞問題,因為電勢(EMF,即這些磁場形成的電壓)會干擾數據信號傳輸。由于存在這種潛在威脅,因此許多數字隔離器用戶都要求隔離器具備高磁場抗擾度 (MFI)。許多數字隔離器技術都聲稱具有高 MFI,但容性隔離器卻因其設計和內部結構擁有幾乎無窮大的MFI。本文將對其設計進行詳細的介紹。

    標簽: 數字 隔離器 磁場抗擾度

    上傳時間: 2013-10-26

    上傳用戶:litianchu

  • 數字預失真系統反饋通道增益平坦度的補償

    針對數字預失真系統對反饋鏈路平坦度的要求,提出一種在不斷開模擬鏈路的前提下,采用單音測量WCDMA&LTE混?;旧漕l拉遠單元反饋鏈路的增益平坦度,并采用最小二乘法,分別擬合射頻、本振和中頻的增益的方法。采用MATLAB工具產生濾波器系數,在基本不增加復雜度的基礎上,通過DPD軟件離線補償中頻的增益不平坦度。實際應用取得良好的補償效果。

    標簽: 數字預失真 反饋 增益

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:haohaoxuexi

  • 3GHz射頻信號源模塊GR6710

    產品概要: 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出,具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定義IO接口。 產品描述: 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出,還可以通過IQ選件實現其它任意調制輸出。GR6710既可程控發生點頻信號和掃頻信號,也支持內部調制和外部調制。GR6710可安裝于3U/6U背板上工作,也可以獨立供電工作,使用靈活。該模塊可用于通信測試、校準信號源。 技術指標 頻率特性 頻率范圍:9kHz~3GHz,500KHz以下指標不保證 頻率分辨率:3Hz,1Hz(載頻<10MHz時) 頻率穩定度:晶振保證 電平特性 電平范圍:-110dBm~+10dBm 電平分辨率:0.5dB 電平準確度:≤±2.5dB@POWER<-90dBm,≤±1.5dB@POWER>-90dBm 輸出關斷功能 頻譜純度 諧波:9KHz~200MHz≥20dBc,200MHz~3GHz≥30dBc 非諧波:≤80dBc典型值(偏移10kHz,載頻<1GHz),≥68dBc(偏移10kHz,其它載頻), 鎖相環小數分頻雜散≥64dBc(偏移10kHz) SSB相噪: ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz(500MHz) ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz(1GHz) ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz(>1GHz) 調制輸出:調幅AM、調頻FM、脈沖CW,其它調制輸出可以通過IQ選件實現 調制源:內、外 參考時鐘輸入和輸出:10MHz,14dBm 控制接口:CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定義GPIO 射頻和時鐘連接器:SMA-K 電源接口:背板供電、獨立供電 可選 電源及其功耗:+5V DC、±12V DC(紋波≤2%輸出電壓),≤38W 結構尺寸:3U高度4槽寬度(100mm×160mm×82mm,不含連接器部分) 工作環境:商業級溫度和工業級溫度 可選,振動、沖擊、可靠性、MTBF 測控軟件功能:射頻信號發生、調制信號輸出、跳頻/掃頻信號發生、支持WindowsXP系統 成功案例: 通信綜測儀器內部的信號源模塊 無線電監測設備內部的信號校準模塊 無線電通信測試儀器的調制信號發生

    標簽: 3GHz 6710 GR 射頻信號源

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:s363994250

  • 4-20mA,0-10V電流~電壓模擬信號光電隔離放大器

    iso u-p-o 系列直流電壓信號隔離放大器是一種將電壓信號轉換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號的混合集成電路。該ic內部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號高效率耦合隔離變換電路等,可以將直流電壓小信號進行隔離放大(u/u)輸出或直接轉換為直流電流(u /i)信號輸出。較大的輸入阻抗(≥1 mω),較強的帶負載能力(電流輸出>650ω,電壓輸出≥2kω)能實現小信號遠程無失真的傳輸。 ic內部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術隔離措施,使器件能滿足信號輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業級寬溫度、潮濕震動等現場環境要求。外接滿度校正和零點校正的多圈電位器可實現 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號之間的隔離和轉換。(精度線性高,隔離電壓3000vdc)

    標簽: 20 10 mA 電流

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:392210346

  • 高等模擬集成電路

    近年來,隨著集成電路工藝技術的進步,電子系統的構成發生了兩個重要的變化: 一個是數字信號處理和數字電路成為系統的核心,一個是整個電子系統可以集成在一個芯片上(稱為片上系統)。這些變化改變了模擬電路在電子系統中的作用,并且影響著模擬集成電路的發展。 數字電路不僅具有遠遠超過模擬電路的集成規模,而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設計周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強等優點,因而大多數復雜系統以數字信號處理和數字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此,模擬電路仍然是電子系統中非常重要的組成部分。這是因為我們接觸到的外部世界的物理量主要都是模擬量,比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等,要將它們變換為數字信號,需要模擬信號處理和數據轉換電路,如果這些電路性能不夠高,將會影響整個系統的性能。其次,系統中的許多功能不可能或很難用數字電路完成,如微弱信號放大,很高頻率和寬頻帶信號的實時處理等。因此,雖然模擬電路在系統中不再是核心,但作為固有的模擬世界與數字系統的接口,其地位和作用仍然十分重要。 片上系統要求將數字電路和模擬電路集成在一個芯片上,這希望模擬電路使用與數字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小,使MOS器件的性能不斷提高,MOS數字電路成為數字集成電路的主流,并因此促進了MOS模擬集成電路的迅速發展。為了適應電子系統功能的不斷擴展和性能的不斷提高,對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴大線性工作范圍和提高性能指標的精度和穩定度等方面提出更高要求,促進了新電路技術的發展。 作為研究生課程的教材,本書內容是在本科相關課程基礎上的深化和擴展,同時涉及實際設計中需要考慮的一些問題,重點介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩定性的新電路技術和在電子系統中占有重要地位的功能電路及其中的新技術。全書共7章,大致可分為三個部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎,比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構成的基本單元電路,為學習本教材其他內容提供必要的知識。由于版圖設計與工藝參數對模擬集成電路性能的影響很大,因此第7章簡單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過程和版圖設計技術,讀者可以通過對該章所介紹的相關背景知識的了解,更深入地理解MOS器件和電路的特性,有助于更好地完成模擬集成電路的可實現性設計。第二部分為新電路技術,由第2章、第3章和第5章的部分組成,包括近年來逐步獲得廣泛應用的電流模電路、抽樣數據電路和對數域電路,它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴大線性工作范圍和提高性能指標的精度和穩定度方面具有明顯的潛力,同時它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點和典型電路。與傳統的以電壓作為信號載體的電路不同,這是一種以電流作為信號載體的電路,雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的,但由于信號載體不同,不僅電路性能不同而且電路結構也不同。第3章介紹抽樣數據電路的特點和開關電容與開關電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數據電路類似于數字電路,處理的是時間離散信號,又類似于模擬電路,處理的是幅度連續信號,它比模擬電路具有穩定準確的時間常數,解決了模擬電路實際應用中的一大障礙。對數域電路在第5章中結合其在濾波器中的應用介紹,這類電路除具有良好的電性能外,還提出了一種利用器件的非線性特性實現線性電路的新思路。第三部分介紹幾個模擬電路的功能模塊,它們是電子系統中的關鍵組成部分,并且與信號和信號處理聯系密切,有助于在信號和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數據轉換電路的技術指標和高精度與高速度轉換電路的構成、工作原理、特點和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設計方法和主要類型,包括連續時間濾波器、對數域濾波器和抽樣數據濾波器。第6章介紹通信系統中的收發器與射頻前端電路,包括收信器、發信器的技術指標、結構和典型電路。因為載波通信系統傳輸的是模擬信號,射頻前端電路的性能對整個通信系統有直接的影響,所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎上整理而成,由董在望主編,第1、4、7章由李冬梅編寫,第6章由王志華編寫,第5章由李永明和董在望編寫,第2、3章由董在望編寫,李國林參加了部分章節的校核工作。 本書可作為信息與通信工程和電子科學與技術學科相關課程的研究生教材或教學參考書,也可作為本科教學參考書或選修課教材和供相關專業的工程技術人員參考。 清華大學出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作,深致謝意。 限于編者水平,難免有錯誤和疏漏之處,歡迎批評指正。 目錄 1.1MOS器件基礎及器件模型 1.1.1結構及工作原理 1.1.2襯底調制效應 1.1.3小信號模型 1.1.4亞閾區效應 1.1.5短溝效應 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負載放大電路 1.4運算放大器 1.4.1運算放大器的主要參數 1.4.2單級運算放大器 1.4.3兩級運算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運算放大器的頻率補償 1.5模擬開關 1.5.1導通電阻 1.5.2電荷注入與時鐘饋通 1.6帶隙基準電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響 思考題 3抽樣數據電路 3.1開關電容電路和開關電流電路的基本分析方法 3.1.1開關電容電路的時域分析 3.1.2開關電流電路的時域分析 3.1.3抽樣數據電路的頻域分析 3.2開關電容電路 3.2.1開關電容單元電路 3.2.2開關電容電路的特點 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關電流電路 3.3.1開關電流單元電路 3.3.2開關電流電路的特點 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉換器與D/A轉換器 4.1概述 4.1.1電子系統中的A/D與D/A轉換 4.1.2A/D與D/A轉換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉換器的性能指標 4.1.4A/D與D/A轉換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉換器中常用的數碼類型 4.2高速A/D轉換器 4.2.1全并行結構A/D轉換器 4.2.2兩步結構A/D轉換器 4.2.3插值與折疊結構A/D轉換器 4.2.4流水線結構A/D轉換器 4.2.5交織結構A/D轉換器 4.3高精度A/D轉換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉換器 4.4D/A轉換器 4.4.1電阻型D/A轉換器 4.4.2電流型D/A轉換器 4.4.3電容型D/A轉換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數學描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設計的逼近方法 5.2連續時間濾波器 5.2.1連續時間濾波器的設計方法 5.2.2跨導電容(GmC)連續時間濾波器 5.2.3連續時間濾波器的片上自動調節電路 5.3對數域濾波器 5.3.1對數域電路概念及其特點 5.3.2對數域電路基本單元 5.3.3對數域濾波器 5.4抽樣數據濾波器 5.4.1設計方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關電容電路轉換為開關電流電路的方法 思考題 6收發器與射頻前端電路 6.1通信系統中的射頻收發器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號 6.2.2復數信號處理 6.2.3收信器前端結構 6.3集成發信器 6.3.1上變換器 6.3.2發信器結構 6.4收發器的技術指標 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動態范圍 6.5射頻電路設計 6.5.1晶體管模型與參數 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設計 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴散及離子注入 7.1.5化學氣相淀積(CVD) 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應 7.3版圖設計 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構成 7.3.2版圖設計規則 7.3.3CMOS版圖設計技術 思考題

    標簽: 模擬集成電路

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:chengxin

  • 數字與模擬電路設計技巧

    數字與模擬電路設計技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外,幾乎所有的電路都是由半導體組件所構成,雖然半導體組件高速、高頻化時會有EMI的困擾,不過為了充分發揮半導體組件應有的性能,電路板設計與封裝技術仍具有決定性的影響。 模擬與數字技術的融合由于IC與LSI半導體本身的高速化,同時為了使機器達到正常動作的目的,因此技術上的跨越競爭越來越激烈。雖然構成系統的電路未必有clock設計,但是毫無疑問的是系統的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術、電路設計與成本,以及如何防止噪訊的產生與噪訊外漏等綜合考慮。機器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號/小功率信號、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數字電路,經常出現在同一個高封裝密度電路板,設計者身處如此的環境必需面對前所未有的設計思維挑戰,例如高穩定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時,如果未將噪訊入侵高穩定性電路的對策視為設計重點,事后反復的設計變更往往成為無解的夢魘。模擬電路與高速數字電路混合設計也是如此,假設微小模擬信號增幅后再將full scale 5V的模擬信號,利用10bit A/D轉換器轉換成數字信號,由于分割幅寬祇有4.9mV,因此要正確讀取該電壓level并非易事,結果造成10bit以上的A/D轉換器面臨無法順利運作的窘境。另一典型實例是使用示波器量測某數字電路基板兩點相隔10cm的ground電位,理論上ground電位應該是零,然而實際上卻可觀測到4.9mV數倍甚至數十倍的脈沖噪訊(pulse noise),如果該電位差是由模擬與數字混合電路的grand所造成的話,要測得4.9 mV的信號根本是不可能的事情,也就是說為了使模擬與數字混合電路順利動作,必需在封裝與電路設計有相對的對策,尤其是數字電路switching時,ground vance noise不會入侵analogue ground的防護對策,同時還需充分檢討各電路產生的電流回路(route)與電流大小,依此結果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實例都是設計模擬與數字混合電路時經常遇到的瓶頸,如果是設計12bit以上A/D轉換器時,它的困難度會更加復雜。

    標簽: 數字 模擬電路 設計技巧

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:731140412

  • 新型小型化超寬帶功率分配器的設計

    利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯,并在輸入端口引入四分之一波長短路線,設計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析,導出設計參數方程,并通過HFSS進行仿真優化。仿真和測量結果表明, 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB,從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達到20 dB。

    標簽: 超寬帶 功率分配器

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:1966649934

  • 反激式控制器改善了多輸出應用的交叉調節性能

    反激式轉換器通常應用於具有多個輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個反激式轉換器,多輸出僅增加極少的成本或復雜度––– 每個額外的輸出僅要求另一個變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。

    標簽: 反激式控制器 輸出 調節 性能

    上傳時間: 2013-11-22

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  • 模塊電源功能性參數指標及測試方法

      模塊電源的電氣性能是通過一系列測試來呈現的,下列為一般的功能性測試項目,詳細說明如下: 電源調整率(Line Regulation) 負載調整率(Load Regulation) 綜合調整率(Conmine Regulation) 輸出漣波及雜訊(Ripple & Noise) 輸入功率及效率(Input Power, Efficiency) 動態負載或暫態負載(Dynamic or Transient Response) 起動(Set-Up)及保持(Hold-Up)時間 常規功能(Functions)測試 1. 電源調整率   電源調整率的定義為電源供應器于輸入電壓變化時提供其穩定輸出電壓的能力。測試步驟如下:于待測電源供應器以正常輸入電壓及負載狀況下熱機穩定后,分別于低輸入電壓(Min),正常輸入電壓(Normal),及高輸入電壓(Max)下測量并記錄其輸出電壓值。 電源調整率通常以一正常之固定負載(Nominal Load)下,由輸入電壓變化所造成其輸出電壓偏差率(deviation)的百分比,如下列公式所示:   [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 2. 負載調整率   負載調整率的定義為開關電源于輸出負載電流變化時,提供其穩定輸出電壓的能力。測試步驟如下:于待測電源供應器以正常輸入電壓及負載狀況下熱機穩定后,測量正常負載下之輸出電壓值,再分別于輕載(Min)、重載(Max)負載下,測量并記錄其輸出電壓值(分別為Vo(max)與Vo(min)),負載調整率通常以正常之固定輸入電壓下,由負載電流變化所造成其輸出電壓偏差率的百分比,如下列公式所示:   [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal)    3. 綜合調整率   綜合調整率的定義為電源供應器于輸入電壓與輸出負載電流變化時,提供其穩定輸出電壓的能力。這是電源調整率與負載調整率的綜合,此項測試系為上述電源調整率與負載調整率的綜合,可提供對電源供應器于改變輸入電壓與負載狀況下更正確的性能驗證。 綜合調整率用下列方式表示:于輸入電壓與輸出負載電流變化下,其輸出電壓之偏差量須于規定之上下限電壓范圍內(即輸出電壓之上下限絕對值以內)或某一百分比界限內。 4. 輸出雜訊   輸出雜訊(PARD)系指于輸入電壓與輸出負載電流均不變的情況下,其平均直流輸出電壓上的周期性與隨機性偏差量的電壓值。輸出雜訊是表示在經過穩壓及濾波后的直流輸出電壓上所有不需要的交流和噪聲部份(包含低頻之50/60Hz電源倍頻信號、高于20 KHz之高頻切換信號及其諧波,再與其它之隨機性信號所組成)),通常以mVp-p峰對峰值電壓為單位來表示。   一般的開關電源的規格均以輸出直流輸出電壓的1%以內為輸出雜訊之規格,其頻寬為20Hz到20MHz。電源實際工作時最惡劣的狀況(如輸出負載電流最大、輸入電源電壓最低等),若電源供應器在惡劣環境狀況下,其輸出直流電壓加上雜訊后之輸出瞬時電壓,仍能夠維持穩定的輸出電壓不超過輸出高低電壓界限情形,否則將可能會導致電源電壓超過或低于邏輯電路(如TTL電路)之承受電源電壓而誤動作,進一步造成死機現象。   同時測量電路必須有良好的隔離處理及阻抗匹配,為避免導線上產生不必要的干擾、振鈴和駐波,一般都采用雙同軸電纜并以50Ω于其端點上,并使用差動式量測方法(可避免地回路之雜訊電流),來獲得正確的測量結果。 5. 輸入功率與效率   電源供應器的輸入功率之定義為以下之公式:   True Power = Pav(watt) = Vrms x Arms x Power Factor 即為對一周期內其輸入電壓與電流乘積之積分值,需注意的是Watt≠VrmsArms而是Watt=VrmsArmsxP.F.,其中P.F.為功率因素(Power Factor),通常無功率因素校正電路電源供應器的功率因素在0.6~0.7左右,其功率因素為1~0之間。   電源供應器的效率之定義為為輸出直流功率之總和與輸入功率之比值。效率提供對電源供應器正確工作的驗證,若效率超過規定范圍,即表示設計或零件材料上有問題,效率太低時會導致散熱增加而影響其使用壽命。 6. 動態負載或暫態負載   一個定電壓輸出的電源,于設計中具備反饋控制回路,能夠將其輸出電壓連續不斷地維持穩定的輸出電壓。由于實際上反饋控制回路有一定的頻寬,因此限制了電源供應器對負載電流變化時的反應。若控制回路輸入與輸出之相移于增益(Unity Gain)為1時,超過180度,則電源供應器之輸出便會呈現不穩定、失控或振蕩之現象。實際上,電源供應器工作時的負載電流也是動態變化的,而不是始終維持不變(例如硬盤、軟驅、CPU或RAM動作等),因此動態負載測試對電源供應器而言是極為重要的??删幊绦螂娮迂撦d可用來模擬電源供應器實際工作時最惡劣的負載情況,如負載電流迅速上升、下降之斜率、周期等,若電源供應器在惡劣負載狀況下,仍能夠維持穩定的輸出電壓不產生過高激(Overshoot)或過低(Undershoot)情形,否則會導致電源之輸出電壓超過負載組件(如TTL電路其輸出瞬時電壓應介于4.75V至5.25V之間,才不致引起TTL邏輯電路之誤動作)之承受電源電壓而誤動作,進一步造成死機現象。 7. 啟動時間與保持時間   啟動時間為電源供應器從輸入接上電源起到其輸出電壓上升到穩壓范圍內為止的時間,以一輸出為5V的電源供應器為例,啟動時間為從電源開機起到輸出電壓達到4.75V為止的時間。   保持時間為電源供應器從輸入切斷電源起到其輸出電壓下降到穩壓范圍外為止的時間,以一輸出為5V的電源供應器為例,保持時間為從關機起到輸出電壓低于4.75V為止的時間,一般值為17ms或20ms以上,以避免電力公司供電中于少了半周或一周之狀況下而受影響。    8. 其它 在電源具備一些特定保護功能的前提下,還需要進行保護功能測試,如過電壓保護(OVP)測試、短路保護測試、過功保護等

    標簽: 模塊電源 參數 指標 測試方法

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:zouxinwang

  • 一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計

    利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度,而且瞬態增強電路工作的過程中,系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明:整個LDO是靜態電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時,其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs;而在負載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內,由1.8 V跳變到2.3 V時,輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽: LDO 無片外電容 瞬態 電路設計

    上傳時間: 2013-12-20

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