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網(wǎng)(wǎng)關(guān)(guān) CMPP

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動(dòng)態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時(shí)間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時(shí)間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • W波段反對(duì)稱漸變探針過渡轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

    介紹了一種反對(duì)稱漸變波導(dǎo)微帶探針過渡結(jié)構(gòu)，采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個(gè)波導(dǎo)微帶過渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性，并對(duì)影響過渡性能的幾個(gè)因素進(jìn)行了敏感性分析，得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線。在全波導(dǎo)帶寬內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB，回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易加工等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。

    標(biāo)簽： W波段 對(duì)稱 探針 轉(zhuǎn)換

    上傳時(shí)間： 2013-11-13

    上傳用戶：名爵少年

  • S8JX開關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

    符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35～150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn)  ：  UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

    標(biāo)簽： S8JX 100 150 35

    上傳時(shí)間： 2014-04-17

    上傳用戶：fklinran

  • （N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時(shí)間： 2014-03-24

    上傳用戶：alan-ee

  • 51單片機(jī)串口發(fā)N字節(jié)

    適用于51單片機(jī)的串口發(fā)n

    標(biāo)簽： 51單片機(jī) 串口 字節(jié)

    上傳時(shí)間： 2014-12-25

    上傳用戶：qingzhuhu

  • 一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤

    89c51一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤

    標(biāo)簽： 矩陣鍵盤

    上傳時(shí)間： 2014-12-26

    上傳用戶：lhw888

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