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網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品

  • 單相全控橋式整流電路的設(shè)計

    1.1 什么是整流電路整流電路(rectifying circuit)把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路。大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機(jī)的調(diào)速、發(fā)電機(jī)的勵磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。整流電路通常由主電路、濾波器和變壓器組成,20世紀(jì)70年代以后,主電路多用硅整流二極管和晶閘管組成。濾波器接在主電路與負(fù)載之間,用于濾除脈動直流電壓中的交流成分。變壓器設(shè)置與否視具體情況而定。變壓器的作用是實現(xiàn)交流輸入電壓與直流輸出電壓間的匹配以及交流電網(wǎng)與整流電路之間的電隔離。可以從各種角度對整流電路進(jìn)行分類,主要的分類方法有:按組成的期間可分為不可控,半控,全控三種;按電路的結(jié)構(gòu)可分為橋式電路和零式電路:按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路;按變壓器二次側(cè)電流的方向是單向還是雙向,又可分為單拍電路和雙拍電路1.2整流電路的發(fā)展與應(yīng)用電力電子器件的發(fā)展對電力電子的發(fā)展起著決定性的作用,因此不管是整流器還是電力電子技術(shù)的發(fā)展都是以電力電子器件的發(fā)展為綱的,1947年美國貝爾實驗室發(fā)明了晶體管,引發(fā)了電子技術(shù)的一次革命:1957年美國通用公司研制了第一個品閘管,標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生:70年代后期,以門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力雙極型晶體管(BJT)和電力場效應(yīng)晶體管(power-MOSFET)為代表的全控型器件迅速發(fā)展,把電力電子技術(shù)推上一個全新的階段:80年代后期,以絕緣極雙極型品體管(IGBT)為代表的復(fù)合型器件異軍突起,成為了現(xiàn)代電力電子技術(shù)的主導(dǎo)器件。另外,采用全控型器件的電路的主要控制方式為PWM脈寬調(diào)制式,后來,又把驅(qū)動,控制,保護(hù)電路和功率器件集成在一起,構(gòu)成功率集成電路(PIC),隨著全控型電力電子器件的發(fā)展,電力電電路的工作頻率也不斷提高。同時。電力電子器件的開關(guān)損耗也隨之增大,為了減小開關(guān)損耗,軟開關(guān)技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生,零電壓開關(guān)(ZVS)和零電流開關(guān)(ZCS)把電力電子技術(shù)和整流電路的發(fā)展推向了新的高潮。

    標(biāo)簽: 整流電路

    上傳時間: 2022-06-18

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  • AX88179 usb千兆網(wǎng)卡手冊

    ax88179千兆網(wǎng)卡芯片手冊,usb3.0 rj45網(wǎng)卡

    標(biāo)簽: usb 千兆網(wǎng)卡

    上傳時間: 2022-06-18

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  • IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計.

    電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與1C技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個方面,其中電力電子器件是電力電子技術(shù)的重要基礎(chǔ),也是電力電子技術(shù)發(fā)展的“龍頭"。從1958年美國通用電氣(GE)公司研制出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管開始,電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組和靜止的離子變流器進(jìn)入由電力電子器件構(gòu)成的變流器時代,這標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。到了70年代,晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品。同時,非對稱晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向品閘管、光控晶閘管等品閘管派生器件相繼問世,廣泛應(yīng)用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn),其研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展。由于普通晶閘管不能自關(guān)斷,屬于半控型器件,因而被稱作第一代電力電子器件。在實際需要的推動下,隨著理論研究和工藝水平的不斷提高,電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發(fā)展,先后出現(xiàn)了GTR,GTO、功率MOSET等自關(guān)斷、全控型器件,被稱為第二代電力電子器件。近年來,電力電子器件正朝著復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向發(fā)展,如IGPT,MCT,HVIC等就是這種發(fā)展的產(chǎn)物

    標(biāo)簽: igbt 驅(qū)動電路

    上傳時間: 2022-06-19

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  • 基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計

    本文主要是基于氮化鋅(GaN)器件射頻功率放大電路的設(shè)計,在s波段頻率范圍內(nèi),應(yīng)用CREE公司的氮化稼(GaN)高電子遷移速率品體管(CGH40010和CGH40045)進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計.主要工作有以下幾個方面:首先,設(shè)計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi),對中間級和末級功放晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點(diǎn),繼而進(jìn)行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計。本文采用雙分支平衡漸變線拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu),使用ADS軟件對其進(jìn)行仿真優(yōu)化,設(shè)計出滿足指標(biāo)要求的匹配電路。具體指標(biāo)如下:通帶寬度為800MHz,在通帶范圍內(nèi)的增益dB(S(2,1)>)10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2,3dB輸出功率壓縮點(diǎn)分別大于40dBm46dBm,效率大于40%.其次,設(shè)計功放偏置電源電路。電路要求是負(fù)電壓控制正電壓并帶有過流保護(hù)功能,借助Orcad模擬電路仿真軟件,設(shè)計出滿足要求的電源電路。最后,分別運(yùn)用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件,繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板,并通過對硬件電路的調(diào)試,最終使得整體電路滿足了設(shè)計性能的要求。

    標(biāo)簽: GaN器件 射頻功率放大電路

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 基于射頻識別技術(shù)的門禁系統(tǒng)的設(shè)計

    (1)研究了基于射頻識別技術(shù)的門禁系統(tǒng)的總體設(shè)計,設(shè)計了射頻IC讀卡器的電路原理圖,給出了PCB板,讀卡器主要由射頻天線、讀卡模塊、RS485通信接口及單片機(jī)控制系統(tǒng)組成,能讀寫Philips公司的Mifare非接觸式智能射頻卡,讀卡距離約10cm.當(dāng)沒有卡進(jìn)入讀卡能量范圍時,系統(tǒng)顯示時鐘,當(dāng)有卡進(jìn)入時則讀卡內(nèi)數(shù)據(jù)并將卡號信息顯示在液晶顯示器上.(2)深入研究RFID天線的EMC過濾器、接收電路以及天線匹配電路等構(gòu)成,結(jié)合本設(shè)計采用了線圈天線,并從品質(zhì)因素Q和調(diào)諧頻率兩方面設(shè)計讀寫器天線,設(shè)計優(yōu)化了天線耦合電路.(3)針對設(shè)備組網(wǎng)應(yīng)用要求,門禁終端通信采用RS485總線,同時結(jié)合門禁讀卡器研究了RS485的網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),通過RS485接口與PC機(jī)組成通信網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。讀卡器平時可獨(dú)立工作,PC機(jī)會每隔一定時間訪問讀卡器,用PC機(jī)上的時鐘統(tǒng)一校準(zhǔn)讀卡器上的時鐘,并讀取存儲器內(nèi)的讀卡數(shù)據(jù),以便讀卡器中的數(shù)據(jù)得到及時處理.(4)設(shè)計單片機(jī)的包看門狗、液品顯示、數(shù)據(jù)存儲和實時時鐘等在內(nèi)的外圍模塊電路,采用串口設(shè)計如SPI.PC等,從而節(jié)約了單片機(jī)的vo接口.同時結(jié)合門禁系統(tǒng)設(shè)計門禁控制電路,完成設(shè)備的選材。(5)根據(jù)射頻識別門禁系統(tǒng)總體設(shè)計要求,采用模塊化軟件設(shè)計方法,根據(jù)MF RC500的特性,系統(tǒng)地對MF RC500芯片的操作流程進(jìn)行研究,設(shè)計主程序的流程圖和各個模塊子程序,使用Cs1語言開發(fā)了讀寫器的底層控制軟件,并完成程序的調(diào)試,證明結(jié)果滿足設(shè)計要求.

    標(biāo)簽: 射頻識別 門禁系統(tǒng)

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動電路的分析.

    摘要:對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對TLP250,EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項,對每種驅(qū)動芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動實驗,通過有關(guān)的波形驗證了它們的特點(diǎn),最后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護(hù)、驅(qū)動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代,為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計中,它是日前最為常見的一種器件。

    標(biāo)簽: 三相逆變器 igbt 驅(qū)動電路

    上傳時間: 2022-06-21

    上傳用戶:jiabin

  • IGBT過流保護(hù)電路設(shè)計

    摘要:為解決絕緣柵雙極性品體管(ICET)在實際應(yīng)用中經(jīng)常出現(xiàn)的過流擊穿問題,在分析了ICET過流特性和過流檢測方法的基礎(chǔ)上,根據(jù)過流時IGBT集電極電流的大小分別設(shè)計了過載保護(hù)電路和短路保護(hù)電路。過載保護(hù)電路在檢測到過載時立即關(guān)斷ICBT.根據(jù)不同的過載保護(hù)要求可實現(xiàn)持續(xù)封鎖、固定時間封鎖及單周期封鎖ICBT的驅(qū)動信號;短路保護(hù)電路通過檢測IGBT通態(tài)壓降判別短路故障,利用降柵壓、軟關(guān)斷和降頓綜合保護(hù)技術(shù)降低短路電流并安全關(guān)斷IGBT,詳細(xì)闡述了保護(hù)電路的保護(hù)機(jī)制及電路原理,最后對設(shè)計的所有保護(hù)電路進(jìn)行了對應(yīng)的過流保護(hù)測試,給出了測試波形圖。試驗結(jié)果表明,IGBT保護(hù)電路能及時進(jìn)行過流檢測并準(zhǔn)確動作,IGBT在不同的過流情況下都得到了可靠保護(hù)關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極性晶體管;過流保護(hù);降棚壓;軟關(guān)斷

    標(biāo)簽: igbt 過流保護(hù)

    上傳時間: 2022-06-21

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  • IGBT在不間斷電源(UPS)中的應(yīng)用

    在UPS中使用的功率器件有雙極型功率品體管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率品體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用 IGBT成為UPS功率設(shè)計的首選,只有對 IGBT的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設(shè)計,才能發(fā)揮 IGBT的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用情況和使用中的注意事項。2.IGBT在UPS中的應(yīng)用情況絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET 與雙極晶體管復(fù)合的器件。據(jù)東芝公司資料,1200V/100A 的IGBT的導(dǎo)通電阻是同一耐壓規(guī)格的功率 MOSFET 的1/10,而開關(guān)時間是同規(guī)格 GTR的1/10。由于這些優(yōu)點(diǎn),IGBT廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)(UPS)的設(shè)計中。這種使用 IGBT的在線式UPS具有效率高,抗沖擊能力強(qiáng)、可靠性高的顯著優(yōu)點(diǎn)。UPS主要有后備式、在線互動式和在線式三種結(jié)構(gòu)。在線式 UPS以其可靠性高,輸出電壓穩(wěn)定,無中斷時間等顯著優(yōu)點(diǎn),廣泛用于通信系統(tǒng)、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機(jī)關(guān)的機(jī)房中。本文以在線式為介紹對象,UPS中的1GBT的應(yīng)用。

    標(biāo)簽: igbt 不間斷電源 ups

    上傳時間: 2022-06-22

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  • 新能源汽車電機(jī)控制器IGBT模塊的驅(qū)動技術(shù)

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型品體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。成為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主流,廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、光伏、電動汽車、智能電網(wǎng)等行業(yè)中。在電動汽車行業(yè)中,電機(jī)控制器、輔助動力系統(tǒng),電動空調(diào)中,IGBT有著廣泛的使用,大功率IGB多應(yīng)用于電機(jī)控制器中,由于電動汽車電機(jī)控制器工作環(huán)境干擾比較大,IGBT的門極分布電容及實際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)等寄生參數(shù)的直接影響到驅(qū)動電路的可靠性1電機(jī)控制器在使用過程中,在過流、短路和過壓的情況下要對1GBT實行比較完善的保護(hù)。過流會引起電機(jī)控制器的溫度上升,可通過溫度傳感器來進(jìn)行檢測,并由相應(yīng)的電路來實現(xiàn)保護(hù);過壓一般發(fā)生在IGBT關(guān)斷時,較大的di/dt會在寄生電感上產(chǎn)生了較高的電壓,可通過采用緩沖電路來鉗制,或者適當(dāng)降低開關(guān)速率。短路故障發(fā)生后瞬時就會產(chǎn)生極大的電流,很快就會損壞1GBT,主控制板的過流保護(hù)根本來不及,必須由硬件電路控制驅(qū)動電路瞬間加以保護(hù)。因此驅(qū)動器的設(shè)計過程中,保護(hù)功能設(shè)計得是否完善,對系統(tǒng)的安全運(yùn)行尤其重要。

    標(biāo)簽: 新能源汽車 電機(jī)控制器 igbt

    上傳時間: 2022-06-22

    上傳用戶:XuVshu

  • 實用電子電路設(shè)計從書-振蕩電路的設(shè)計與應(yīng)用

    本書主要介紹振蕩電路的設(shè)計與應(yīng)用。振蕩電路的振蕩頻率與波形等隨用途不同而異,各式備樣的振蕩電路應(yīng)用在各種電子設(shè)備中。參考電子電路有關(guān)書籍進(jìn)行振蕩電路設(shè)計時,若書中提供的設(shè)計實例與現(xiàn)實中需要的電路特性相差甚遠(yuǎn),則要考慮電路參數(shù)的確定與元器件的選用等諸多麻煩的因素。如果只提“振蕩”,那是個簡單的話,但是振蕩電路若要滿足頻率穩(wěn)定度、波形純正度(諧波失真、寄生振蕩等)、溫度特性、電源電壓特性等,需要掌握的技術(shù)范源很廣。原因是進(jìn)行優(yōu)良的電路設(shè)計時,需要同時滿足各種電氣特性。例如,以元器件漿價作為前提,要求設(shè)計的規(guī)格是振頻率穩(wěn)定性高(僅指晶體振獲器)、波形失真小時,這就需要研究兼顧兩者的規(guī)格要求,采取折衷方案進(jìn)行合理設(shè)計。對于使用的元器件,有人說只要選用高性能(適常價錢昂貴)元器件就能獲得良好的波形,實際未必是這樣的。原因是元器件的性能也有與電氣特性無關(guān)的時鐵。那么,如何降低使用元器的特性,降低到什么程度,這就需要掌握元器件的基本知識、電路設(shè)計技術(shù)以及電路的工作原理等。若沒有這些綜合技術(shù),就無法設(shè)計出性能均衡的振蕩電路。對于振蕩電路,除此以外還有各種項目需要研究,同時需要選擇電路方式,這與一般的放大器和濾波器相比較也有麻煩的一面,但有趣的是“根據(jù)客戶的要求可以定做電路”。對于電路設(shè)計者更感興趣的是振蕩電路。然而,在現(xiàn)實中還沒有見到簡單易懂,容易理解振蕩原理的可作為振蕩電路的人門教科書面本書是一本真正容易理解振蕩電路工作原理并用于設(shè)計的人門教科書,它是在CQ出版株式會社已出版的《品體管技術(shù)》一書的基礎(chǔ)上增加一些內(nèi)容面編寫成的。

    標(biāo)簽: 電子電路 振蕩電路

    上傳時間: 2022-06-23

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