圖1是最經(jīng)典的電路，優(yōu)點(diǎn)是可以在電阻R5上并聯(lián)濾波電容.電阻匹配關(guān)系為R1=R2，R4=R5=2R3；可以通過更改R5來調(diào)節(jié)增益當(dāng)Ui>O時(shí)，分析各點(diǎn)電壓正負(fù)關(guān)系可知D1截止，D2導(dǎo)通，R1，R2和A1構(gòu)成了反向比例運(yùn)算器，增益為-1，R4，R3，R5和A2構(gòu)成了反向求和電路，通過R4的支路的增益為-1，通過R3支路的增益為2，等效框圖如下：當(dāng)Ui<0時(shí)，分析各點(diǎn)電壓的正負(fù)關(guān)系可知，D1導(dǎo)通，D2截止，A1的作用導(dǎo)致R2左端電壓鉗位在0V，A2的反饋導(dǎo)致R3右端電壓鉗位在0V，所以R2、R3支路兩端電位相等，無電流通過，R4，R5和A2構(gòu)成反向比例運(yùn)算器，增益為-1，輸入阻抗仍為R1R4。因此，此電路的輸出等于輸入的絕對(duì)值。此電路的優(yōu)點(diǎn)：輸入阻抗恒等于R1IR4，輸入阻抗低，調(diào)節(jié)R5可調(diào)節(jié)此電路的增益大小，在R5上并聯(lián)電容可實(shí)現(xiàn)濾波功能。此電路適用低頻電路，當(dāng)頻率大時(shí)，輸出電壓產(chǎn)生偏移，且輸入電壓接近0V時(shí)，輸出電壓失真，二極管的選型也非常重要，需選導(dǎo)通壓降大些的。輸入信號(hào)小時(shí)，也會(huì)影響最終輸出。
標(biāo)簽： 精密整流電路
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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近年來，隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，使得低電壓、大電流電路為未來主要發(fā)展趨勢(shì)。低電壓、大電流工作有利于提高工作電路的整體功率，但同時(shí)也給電路設(shè)計(jì)帶來了新的問題。傳統(tǒng)的變換器中常采用普通二極管或肖特基二極管整流方式，在低壓、大電流輸出的電路中，應(yīng)用傳統(tǒng)二極管整流的電路，其整流的損耗比較大，工作效率比較低。一般普通二極管的壓降為1.0-1.3V，即便應(yīng)用壓降較低的肖特基二極管（SBD），產(chǎn)生壓降一般也要有0.5V左右，從而使整流的損耗增加，電源的工作效率降低，己經(jīng)不能滿足現(xiàn)代開關(guān)電源高性能的需求。因此，應(yīng)用同步整流（SR）技術(shù)可達(dá)到此要求，即應(yīng)用功率MOS管代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管整流。由于功率MOS管具有導(dǎo)通電阻很低、開關(guān)時(shí)間較短、輸入阻抗很高的特點(diǎn)，很大程度的減少了開關(guān)功率MOS管整流時(shí)的損耗，使得工作效率有一個(gè)顯著提高，因此功率MOS管以成為低壓大電流功率變換器首選的整流器件。要想得到經(jīng)濟(jì)、高效的變換器，同步整流技術(shù)與反激變換器電路結(jié)合將會(huì)是一個(gè)很好的選擇。反激變換器拓?fù)潆娐返膬?yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輸入與輸出電氣隔離、輸入、輸出工作電壓范圍較寬，可以實(shí)現(xiàn)多路的輸出，因而在高電壓、低電流的場(chǎng)合應(yīng)用廣泛，特別是在5~200W電源中一般采用反激變換器。
標(biāo)簽： 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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從典型的表面貼裝工廠的實(shí)踐來看，半導(dǎo)體失效原因主要分為與材料有關(guān)的失效、與工藝有關(guān)的失效，以及電學(xué)失效。通常與材料和工藝有關(guān)的失效發(fā)生的較為頻繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有經(jīng)驗(yàn)的工藝工程師和失效分析工程師可以通過 射線焊點(diǎn)檢測(cè)儀、掃描電子顯微鏡、能量分散譜、于同批產(chǎn)品交叉試驗(yàn)就可以確定失效與否，從而找到真正的原因。本文基于摩托羅拉汽車電子廠的實(shí)踐簡(jiǎn)要介紹前兩種失效形式，著重研究電學(xué)失效的特點(diǎn)和形式，前兩種失效形式往往需要靠經(jīng)驗(yàn)來判斷，而電學(xué)失效更需要一定的理論知識(shí)給與指導(dǎo)分析。電學(xué)失效中，首先介紹芯片失效分析手段、分析程序，以及國(guó)內(nèi)外失效分析實(shí)驗(yàn)室設(shè)備情況，在電學(xué)失效分析中所面臨的最大挑戰(zhàn)是失效點(diǎn)的定位和物理分析，在摩托羅拉汽車電子廠實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量影響最主要的是接孔（Via）失效，它是汽車整車裝配廠客戶的主要抱怨以及影響產(chǎn)品可靠性導(dǎo)致整車召回的主要原因之一。本文基于接孔失效實(shí)際案例中的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，討論了接孔失效的失效分布狀態(tài)函數(shù)，回歸了威布爾曲線，計(jì)算出分布參數(shù)m和c：在阿列里烏斯（Arhenius）失效模型的基礎(chǔ)上建立了接孔失效模型，并計(jì)算模型參數(shù)溫度壽命加速因子，從而估算出受器件影響的產(chǎn)品的壽命。本文目的旨在基于表面貼裝工廠的具體芯片失效統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，進(jìn)行實(shí)際工程的失效分析，探索企業(yè)建立失效分析以控制產(chǎn)品質(zhì)量、提高產(chǎn)品可靠性的機(jī)制
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體芯片
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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在UEFI開源社區(qū)中，存在四個(gè)與UEFI BIOS相關(guān)的開源項(xiàng)目，分別為EDK（EFI Dev Kit），EDKII，EFI Shell和EFI Toolkit.其中，EDKII（EFI Development Kit）是一個(gè)開源的EFI BIOS的發(fā)布框架，其中包含一系列的開發(fā)示例和大量基本的底層庫(kù)函數(shù)，因此，對(duì)于其MDE（Module Development Environment）模塊開發(fā)環(huán)境的分析與測(cè)試能夠在最大程度上保證開發(fā)的穩(wěn)定性和質(zhì)量。因而選題具有一定的實(shí)用性和先進(jìn)性，此外，整個(gè)分析和測(cè)試設(shè)計(jì)的過程中，能夠充分體現(xiàn)出在UEFI從事程序設(shè)計(jì)相對(duì)于傳統(tǒng)BIOS環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)。本論文計(jì)劃從以下幾個(gè)方面進(jìn)行研究：1、學(xué)習(xí)研究UEFI（統(tǒng)一可拓展固件接口）技術(shù)；2、學(xué)習(xí)研究EDKII框架和相應(yīng)的MDE（模塊開發(fā)環(huán)境）；3、搭建MDE庫(kù)的測(cè)試框架MdeTestPkg：4、編寫MdeTestPkg下的測(cè)試實(shí)例，實(shí)現(xiàn)對(duì)MDE庫(kù)的分析與測(cè)試。通過對(duì)現(xiàn)有的UEFT（統(tǒng)一可擴(kuò)展固件按口）技術(shù)的學(xué)習(xí)，深入了解UEFI BIOS的背景知識(shí)。在此基礎(chǔ)上，學(xué)習(xí)研究EDK II的整體架構(gòu)和模塊單元開發(fā)設(shè)計(jì)的規(guī)范和方法，并用基于EDK 11搭建MDE（模塊開發(fā)環(huán)境）的測(cè)試框架，編寫類庫(kù)的測(cè)試實(shí)例。最終的結(jié)果是完成MDE，即模塊開發(fā)環(huán)境框架中的44個(gè)庫(kù)類在DXE階段的功能分析與測(cè)試，并且由于類際的4通性，使得測(cè)試的類際能夠在不同的平臺(tái)架構(gòu)（如：IA32，X64和IPF等）上成功運(yùn)行，具有很好的穩(wěn)定性和健壯性。在本論文中，我只以NT32平臺(tái)架構(gòu)為例，來說明MDE庫(kù)在NT32平臺(tái)下的測(cè)試框架的搭建以及對(duì)于MDE庫(kù)類的測(cè)試實(shí)例的設(shè)計(jì)，編寫和測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2022-06-26
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21世紀(jì)，電子領(lǐng)域發(fā)展迅速，使得由集成電路構(gòu)成的電子系統(tǒng)朝著大規(guī)模、小體積和高速度的方向發(fā)展。隨著芯片的體積越來越小，電路的開關(guān)速度越來越快，PCB的密度越來越大，信號(hào)的工作頻率越來越高，高速電路PCB的電磁兼容、信號(hào)完整性和電源完整性等問題一步步凸顯出來，并且相互緊密地交織在一起。其中最基礎(chǔ)的無疑是PCB版圖的設(shè)計(jì)，元器件的選取、布局的合理性、電磁兼容性等都是決定PCB版圖最終能否運(yùn)行的關(guān)鍵因素，當(dāng)然這也將決定生產(chǎn)出的芯片的好壞以及由芯片構(gòu)成的電子系統(tǒng)的質(zhì)量等等。本文通過選擇一張較為典型的高速單片開關(guān)電源圖，對(duì)其進(jìn)行SCH圖以及PCB版圖的繪制，并就其會(huì)產(chǎn)生的電磁兼容問題進(jìn)行分析和討論，提出抑制干擾的方法和手段，初步解決了單片開關(guān)電源的電磁兼容問題。關(guān)鍵詞：Protel99SE，EMC，開關(guān)電源，高速PCB，仿真
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 pcb 版圖設(shè)計(jì) 電磁兼容
上傳時(shí)間： 2022-06-29
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隨著工業(yè)制造精度的不斷提高，傳統(tǒng)總線越來越多的表現(xiàn)出速度慢、數(shù)據(jù)量小的缺點(diǎn)。另一方面，一種將計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于工業(yè)控制的總線技術(shù)越來越受到關(guān)注，這就是工業(yè)以太網(wǎng)。EtherCAT是一種基于修改以太網(wǎng)協(xié)議的工業(yè)以太網(wǎng)，在數(shù)據(jù)鏈路層使用ISO/IEC802.3協(xié)議，數(shù)據(jù)幀類型為特定類型；在網(wǎng)絡(luò)層和傳輸層采用特定協(xié)議代替TCP/IP協(xié)議。目前，EtherCAT是速度最快、實(shí)時(shí)性最好的工業(yè)以太網(wǎng)協(xié)議之一。本文提出了基于UC/OSIⅡ的EtherCAT主站實(shí)現(xiàn)的具體方法。首先，從協(xié)議層面分析EtherCAT，對(duì)數(shù)據(jù)鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層和應(yīng)用層協(xié)議進(jìn)行分析。其次，通過對(duì)嵌入式平臺(tái)的設(shè)計(jì)，確保主站系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性。創(chuàng)造性的提出了一個(gè)UC/OSIⅡ系統(tǒng)下具有微秒級(jí)別精度的時(shí)間模塊；同時(shí)設(shè)計(jì)了基于中斷接收數(shù)據(jù)的DM9000的網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)。最后，根據(jù)協(xié)議分層構(gòu)架提出了一套嵌入式的EtherCAT主站軟件ECOU（EtherCAT Over UC/OS），并對(duì)主站底層和軟件進(jìn)行了功能和性能測(cè)試。ECOU是一個(gè)實(shí)施于UC/OSIⅡ的EtherCAT主站。作為嵌入式EtherCAT主站，它的實(shí)施更加靈活；同時(shí)由于UC/OSIⅡ是實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，ECOU的性能也得到了很大的提高。關(guān)鍵詞：工業(yè)以太網(wǎng)；UC/OSIⅡ；EtherCAT；微秒級(jí)別時(shí)間模塊；主站
標(biāo)簽： ucosii 工業(yè)以太網(wǎng) ethercat
上傳時(shí)間： 2022-06-30
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基于Cortex-M3的STM32的嵌入式十字路口交通燈系統(tǒng)設(shè)計(jì)隨著移動(dòng)設(shè)備的流行和發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)成為一個(gè)熱點(diǎn)。它并不是最近出現(xiàn)的新技術(shù)，只是隨著微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，微控制芯片功能越來越大，而嵌入微控制芯片的設(shè)備和系統(tǒng)越來越多，從而使得這種技術(shù)越來越引人注目。它對(duì)軟硬件的體積大小、成本、功耗和可靠性都提出了嚴(yán)格的要求。嵌入式系統(tǒng)的功能越來越強(qiáng)大，實(shí)現(xiàn)也越來越復(fù)雜，隨之出現(xiàn)的就是可靠性大大降低。最近的一種趨勢(shì)是一個(gè)功能強(qiáng)大的嵌入式系統(tǒng)通常需要一種操作系統(tǒng)來給予支持，這種操作系統(tǒng)是已經(jīng)成熟并且穩(wěn)定的，可以是嵌入式的Linux，WINCE等等。本文所要研究的就是基于ARM嵌入式系統(tǒng)的交通燈系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。本設(shè)計(jì)采用了ARM32位的Cortex-M3CPU的內(nèi)核的STM32作為核心處理器。
上傳時(shí)間： 2022-07-03
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在中國(guó)的智能交通系統(tǒng)體系框架發(fā)表以后，不少讀者反映體系框架是一本很厚的報(bào)告，有大量的表格和圖，很難理解它的概念和意義，也很難應(yīng)用，本書就是為解決這個(gè)問題而編寫的。本書是智能交通系統(tǒng)體系框架方面的一本入門書，其主要的目的是為管理人員和工程技術(shù)人員了解什么是智能交通系統(tǒng)（或智能運(yùn)輸系統(tǒng)）的體系框架、它是如何產(chǎn)生的、為什么要研究它以及它有什么用和怎么用。作者在論述過程中充分注意了智能交通系統(tǒng)及其體系框架的自然形成過程，從人的自然思維過程出發(fā)解釋和分析了體系框架的形成、主要內(nèi)容和方法以及應(yīng)用方法。各章即有聯(lián)系又各自獨(dú)立，讀者既可以順序閱讀，也可以單獨(dú)閱讀其中的某一章。通過本書的閱讀，讀者除了可以學(xué)習(xí)有關(guān)體系框架的有關(guān)知識(shí)外，還可以深入了解智能交通系統(tǒng)的產(chǎn)生背景、實(shí)質(zhì)和發(fā)展方向，因此本書也是智能交通系統(tǒng)的一本入門的書。但需要注意的是，本書不是全面介紹中國(guó)的智能交通系統(tǒng)體系框架，希望全面了解的讀者可以參考人民交通出版社2003年1月出版的《中國(guó)智能運(yùn)輸系統(tǒng)體系框架》。本書有關(guān)介紹中國(guó)智能運(yùn)輸系統(tǒng)體系框架的部分內(nèi)容由齊彤巖執(zhí)筆，有關(guān)電子收費(fèi)的內(nèi)容由蔡華執(zhí)筆，其余由王笑京執(zhí)筆。在本書的撰寫過程中，黎明同志協(xié)助做了許多工作，幫助校對(duì)了全稿，張可博士提供了他最新的研究成果，在此一并表示感謝。
標(biāo)簽： 智能交通系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-07-05
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關(guān)于噪聲分析pss，pac的仿真說明，包括專有參數(shù)的說明，例如 最大邊帶，maxband等，noise噪聲諧波數(shù)的多少。
標(biāo)簽： 開關(guān)電容 噪聲
上傳時(shí)間： 2022-07-05
上傳用戶：canderile
本文針對(duì)傳統(tǒng)放大器信噪分離能力弱，無法檢測(cè)微弱信號(hào)這一現(xiàn)狀，設(shè)計(jì)了一個(gè)基于AD630的鎖相放大器。系統(tǒng)以開關(guān)式相關(guān)器為鎖相放大器的核心部分進(jìn)行設(shè)計(jì)，具有電路簡(jiǎn)單、運(yùn)行速度快、線性度高、動(dòng)態(tài)范圍大、抗過載能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。本文設(shè)計(jì)的鎖相放大器硬件主要包括信號(hào)通道模塊、參考通道模塊、相關(guān)器模塊、電源模塊、電壓檢測(cè)模塊、顯示模塊等部分。信號(hào)通道模塊的輸入級(jí)通過并聯(lián)多個(gè)放大器的方式有效降低了噪聲，通過跟蹤帶通濾波電路提高了信噪比；參考通道模塊包含參考電壓放大器、鎖相環(huán)電路和相移器電路三個(gè)部分，可以將輸入信號(hào)放大10~10000倍：相關(guān)器模塊是鎖相放大器的核心部分，采用高信噪比的AD630芯片進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，包括相敏檢波電路（PSD）和低通濾波電路；電源模塊由集成三端穩(wěn)壓器構(gòu)成，通過模擬電源和數(shù)字電源隔離的方式有效降低了電源紋波：電壓檢測(cè)模塊通過電阻分壓的方式提高了可檢測(cè)范圍；顯示模塊為數(shù)字電壓表ZF5135-DC2V，直觀顯示被檢測(cè)信號(hào)。本文利用Altium Designer軟件繪制PCB板對(duì)電路進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明系統(tǒng)能夠準(zhǔn)確檢測(cè)到uV級(jí)別的信號(hào)，并且信噪比較高。相位差在0~360°范圍內(nèi)連續(xù)調(diào)節(jié)時(shí)，能夠?qū)⑤^微弱的信號(hào)從噪聲的背景中提取出來并進(jìn)行放大。同時(shí)該系統(tǒng)各級(jí)電路之間采用直接耦合的方式，對(duì)于頻率較低的信號(hào)，仍然能進(jìn)行鎖相放大。設(shè)計(jì)中對(duì)鎖相放大器理想和非理想模型進(jìn)行了仿真對(duì)比，結(jié)果表明在未摻雜噪聲時(shí)，信號(hào)通道將輸入信號(hào)放大10倍，相位改變180°。最后根據(jù)行為級(jí)建模和電路實(shí)物焊接兩種方法進(jìn)一步分析驗(yàn)證了鎖相放大器的工作機(jī)理。
上傳時(shí)間： 2022-07-11
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