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計(jì)(jì)量終端

  • AL-FGB復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器

    AL-FGB系列復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器 AL-FGB型三相復(fù)合式過(guò)電壓保護(hù)器(簡(jiǎn)稱(chēng)AL-FGB)是我公司針對(duì)現(xiàn)行各類(lèi)過(guò)電壓保護(hù)器保護(hù)弱點(diǎn)而研制的新一代專(zhuān)利產(chǎn)品,將組容吸收器和避雷器的功能有機(jī)結(jié)合在一起,專(zhuān)用于35KV及以下中壓電網(wǎng)中,主要用來(lái)吸收真空斷路器、真空接觸器在開(kāi)斷感性負(fù)載時(shí)產(chǎn)生的高頻操作過(guò)電壓,同時(shí)具有吸收大氣過(guò)電壓及其他形式的暫態(tài)沖擊過(guò)電壓的功能; 因此具備一系列其它類(lèi)型過(guò)電壓保護(hù)器無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)。可廣泛地應(yīng)用于真空斷路器操作的電動(dòng)機(jī)、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產(chǎn)品使過(guò)電壓保護(hù)器的整體功能實(shí)現(xiàn)了重大突破,是目前功能最全面、保護(hù)最完善的產(chǎn)品。符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及國(guó)家電氣產(chǎn)品無(wú)油化、小型化、節(jié)能環(huán)保等發(fā)展趨勢(shì),具有顯著的技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益和廣泛的社會(huì)效益,是我國(guó)電力建設(shè)尤其是城鄉(xiāng)電網(wǎng)改造急需的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于發(fā)電廠、變(配)電站、各種水利設(shè)施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類(lèi)工業(yè)企業(yè)等。 1、全面抑制雷電和操作過(guò)電壓的危害,功能強(qiáng)大,保護(hù)更全面 在中壓電網(wǎng)中,由于真空電器產(chǎn)品(真空斷路器、真空接觸器、真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)、真空重合器等)的滅弧能力特別強(qiáng),在關(guān)、合感性負(fù)載(發(fā)電機(jī)、變壓器、電抗器和電動(dòng)機(jī)等)時(shí),容易引發(fā)截流過(guò)電壓、多次重燃過(guò)電壓及三相同時(shí)開(kāi)斷過(guò)電壓。這些操作過(guò)電壓具有高幅值、高陡度(振蕩頻率高達(dá)105~106HZ),對(duì)感性負(fù)載的危害性極大,被稱(chēng)為“電機(jī)殺手”。 目前各類(lèi)避雷器和組合式過(guò)電壓保護(hù)器,都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過(guò)電壓的幅值,只限幅不限頻,用來(lái)防雷能起到好的效果,但對(duì)操作過(guò)電壓只治標(biāo)不治本。 AL-FGB內(nèi)部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機(jī)組合,兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優(yōu)點(diǎn),從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點(diǎn),不但能夠防雷,而且能有效抑制上述操作過(guò)電壓的幅值和陡度;雙效合一,至善盡美。 2、雙回路設(shè)計(jì),功能互補(bǔ),相互保護(hù) 操作過(guò)電壓保護(hù)阻容回路Ⅰ和避雷保護(hù)回路Ⅱ有機(jī)結(jié)合,保護(hù)功能互不干涉,還能相互保護(hù)。如圖2-1。 當(dāng)雷電波侵入時(shí),阻容回路Ⅰ不通(但可輔助減緩波頭陡度),雷電波按實(shí)線路徑,經(jīng)避雷回路Ⅱ泄入大地;同時(shí)保護(hù)了阻容回路中電容器,避免其因承受過(guò)高雷電過(guò)電壓而擊穿。當(dāng)高頻振蕩的操作過(guò)電壓侵入時(shí),則按虛線路徑,經(jīng)阻容回路Ⅰ流通,限幅降頻;同時(shí)減少避雷回路的動(dòng)作次數(shù),保護(hù)閥片,延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。 3、降低陡度,排除匝間擊穿危險(xiǎn)性; 感性負(fù)載的匝間電位梯度與電流陡度(di/dt)成正比,操作過(guò)電壓陡度極高,對(duì)匝間絕緣危害極大,且易使斷路器重燃。現(xiàn)場(chǎng)許多事故實(shí)例都證明,在操作過(guò)電壓作用下,電機(jī)和變壓器的損壞部位大多集中在匝間,且以進(jìn)線端的匝間為主,這說(shuō)明高陡度對(duì)帶繞組的電氣設(shè)備危害極大。 AL-FGB設(shè)計(jì)的阻容回路能夠有效降低操作過(guò)電壓的振蕩頻率,緩解波頭陡度,從而降低繞組間的電位梯度,且能減少斷路器的重燃機(jī)率,成功抑制高陡度對(duì)電氣設(shè)備的危害。 目前同類(lèi)的過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備,如避雷器、各類(lèi)組合式過(guò)電壓保護(hù)器等,對(duì)改變操作過(guò)電壓的振蕩頻率、降低陡度無(wú)能為力,即不能防治高陡度對(duì)感性負(fù)載匝間造成的損傷。 4、自控接入,環(huán)保節(jié)能; AL-FGB增加了自控接入裝置,在正常運(yùn)行時(shí)僅通過(guò)μA級(jí)電流,不僅節(jié)約電能,而且不向電網(wǎng)提供附加電容電流,保證系統(tǒng)穩(wěn)定工作。具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證其在需要時(shí)能夠迅速接入電網(wǎng),保護(hù)即時(shí),而且接入電網(wǎng)工頻電壓性能穩(wěn)定、分散性小、不受大氣條件影響。 設(shè)置自控接入裝置對(duì)消除諧振過(guò)電壓(注:不超過(guò)AL- FGB的承受能力)也具有一定作用。當(dāng)諧振過(guò)電壓幅值高至危害電氣設(shè)備時(shí),AL-FGB接入電網(wǎng),電容器增大主回路電容,有利于破壞諧振條件,電阻阻尼震蕩,有利于降低諧振過(guò)電壓幅值。 5、免受諧波侵?jǐn)_,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣; 電網(wǎng)中常含有高次諧波分量,使電容回路的電流異常增大,電阻過(guò)熱,對(duì)過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵?jǐn)_:因?yàn)樗黾恿俗钥亟尤胙b置,在正常運(yùn)行或發(fā)生單相接地異常運(yùn)行時(shí)都與電網(wǎng)隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網(wǎng)中工作,適應(yīng)的電網(wǎng)運(yùn)行環(huán)境更廣。 6、自控脫離,有效控制事故范圍; 諧振過(guò)電壓、間歇性弧光接地過(guò)電壓等系統(tǒng)過(guò)電壓,持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)、能量大,但幅度和陡度都不是很高。這類(lèi)系統(tǒng)過(guò)電壓極易損壞過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備,出現(xiàn)爆炸等現(xiàn)象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置,能實(shí)現(xiàn)自我保護(hù)功能。當(dāng)系統(tǒng)過(guò)電壓超過(guò)AL-FGB的承受能力時(shí),自控脫離裝置選擇自我脫離,保護(hù)本體,避免出現(xiàn)爆炸的現(xiàn)象,控制事故范圍,延長(zhǎng)使用壽命,運(yùn)行更安全更經(jīng)濟(jì)。 7、既可保護(hù)相對(duì)地,又可保護(hù)相間; 四極式聯(lián)接(如圖2-2),具體參數(shù)設(shè)計(jì)保證:不僅能保護(hù)相對(duì)地絕緣,而且能保護(hù)相間絕緣。本身為連體結(jié)構(gòu),體積小,性能穩(wěn)定,而價(jià)格不高。 8、吸收容量大,保護(hù)范圍更廣; 針對(duì)35KV電網(wǎng)系統(tǒng),AL-FGB電容容量高達(dá)0.05μF,保護(hù)范圍完全覆蓋該電網(wǎng)系統(tǒng)中的各類(lèi)電氣設(shè)備,且裕量充足;針對(duì)35KV以下各類(lèi)電網(wǎng)系統(tǒng),其電容容量高達(dá)0.1μF,吸收容量更大,保護(hù)范圍更廣泛。 9、選材考究,VO級(jí)阻燃材質(zhì); 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器,這種電容器真正達(dá)到了防護(hù)型電容器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo),其絕緣水平完全達(dá)到了GB311.1—1997標(biāo)準(zhǔn)的要求,該產(chǎn)品能在環(huán)境溫度上限,1.15UN和1.5IN下長(zhǎng)期運(yùn)行,在2UN下連續(xù)運(yùn)行4小時(shí)不出現(xiàn)閃絡(luò)和擊穿;極間選用國(guó)外進(jìn)口的優(yōu)質(zhì)、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質(zhì);各個(gè)電容器單元聯(lián)接后采用阻燃環(huán)氧樹(shù)脂灌封;電性能穩(wěn)定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無(wú)感電阻,可靠性大大提高,從而也大大提高了電力系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和安全性,使用壽命更長(zhǎng)。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優(yōu)異的氧化鋅閥片,具有良好的陡波響應(yīng)特性,殘壓低、容量大、保護(hù)大氣過(guò)電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級(jí)別達(dá)到最高級(jí)別的VO級(jí)進(jìn)口材質(zhì),使用更放心。 10、動(dòng)態(tài)記錄,清晰掌控設(shè)備運(yùn)行狀況; 可根據(jù)用戶(hù)要求選裝放電動(dòng)作記錄器,清晰掌控AL-FGB的工作動(dòng)作狀況。

    標(biāo)簽: AL-FGB 過(guò)電壓保護(hù)器

    上傳時(shí)間: 2013-10-16

    上傳用戶(hù):sz_hjbf

  • E6配置及制冷劑充注量對(duì)照表的指引[1]

    j

    標(biāo)簽: 制冷劑 對(duì)照表

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

    上傳用戶(hù):牧羊人8920

  • 基于Quartus II免費(fèi)IP核的雙端口RAM設(shè)計(jì)實(shí)例

      QuartusII中利用免費(fèi)IP核的設(shè)計(jì)   作者:雷達(dá)室   以設(shè)計(jì)雙端口RAM為例說(shuō)明。   Step1:打開(kāi)QuartusII,選擇File—New Project Wizard,創(chuàng)建新工程,出現(xiàn)圖示對(duì)話(huà)框,點(diǎn)擊Next;

    標(biāo)簽: Quartus RAM IP核 雙端口

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

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  • WP409利用Xilinx FPGA打造出高端比特精度和周期精度浮點(diǎn)DSP算法實(shí)現(xiàn)方案

    WP409利用Xilinx FPGA打造出高端比特精度和周期精度浮點(diǎn)DSP算法實(shí)現(xiàn)方案: High-Level Implementation of Bit- and Cycle-Accurate Floating-Point DSP Algorithms with Xilinx FPGAs

    標(biāo)簽: Xilinx FPGA 409 DSP

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

    上傳用戶(hù):huql11633

  • 基于Actel FPGA的雙端口RAM設(shè)計(jì)

    基于Actel FPGA 的雙端口RAM 設(shè)計(jì)雙端口RAM 芯片主要應(yīng)用于高速率、高可靠性、對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)合,如實(shí)現(xiàn)DSP與PCI 總線芯片之間的數(shù)據(jù)交換接口電路等。但普通雙端口RAM 最大的缺點(diǎn)是在兩個(gè)CPU發(fā)生競(jìng)爭(zhēng)時(shí),有一方CPU 必須等待,因而降低了訪問(wèn)效率。IDT 公司推出的專(zhuān)用雙端口RAM 芯片解決了普通雙端口RAM 內(nèi)部競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題,并融合了中斷、旗語(yǔ)、主從功能。它具有存取速度快、功耗低、可完全異步操作、接口電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),但缺點(diǎn)也非常明顯,那就是價(jià)格太昂貴。為解決IDT 專(zhuān)用雙端口RAM 芯片的價(jià)格過(guò)高問(wèn)題,廣州致遠(yuǎn)電子有限公司推出了一種全新的基于Actel FPGA 的雙端口RAM 的解決方案。該方案采用Actel FPGA 實(shí)現(xiàn),不僅具有IDT 專(zhuān)用雙端口RAM 芯片的所有性能特點(diǎn),更是在價(jià)格上得到了很大改善,以A3P060雙端口RAM 為例,在相同容量(2K 字節(jié))下,其價(jià)格僅為IDT 專(zhuān)用芯片的六分之一。

    標(biāo)簽: Actel FPGA RAM 雙端口

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

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  • 用GAL、EPROM設(shè)計(jì)測(cè)量顯示控制裝置

    本文提出j以通用陣列邏輯器件GAL 和只讀存貯器EPROM 為核心器件.設(shè)計(jì)測(cè)量 顯示控制裝置的方法。配以數(shù)字式傳感器及用 最小二乘法編制的曲線自動(dòng)分段椒合程序生成 的EPROM 中的數(shù)據(jù).可用于力、溫度、光強(qiáng)等 非電量的測(cè)量顯示和控制。該裝置與采用微處 理器的電路相比.有相同的洲量精度,電路簡(jiǎn) 單.而且保密性好

    標(biāo)簽: EPROM GAL 測(cè)量 顯示控制

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

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  • 電源完整性分析應(yīng)對(duì)高端PCB系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

    印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)解決方案市場(chǎng)和技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)Mentor Graphics(Mentor Graphics)宣布推出HyperLynx® PI(電源完整性)產(chǎn)品,滿(mǎn)足業(yè)內(nèi)高端設(shè)計(jì)者對(duì)于高性能電子產(chǎn)品的需求。HyperLynx PI產(chǎn)品不僅提供簡(jiǎn)單易學(xué)、操作便捷,又精確的分析,讓團(tuán)隊(duì)成員能夠設(shè)計(jì)可行的電源供應(yīng)系統(tǒng);同時(shí)縮短設(shè)計(jì)周期,減少原型生成、重復(fù)制造,也相應(yīng)降低產(chǎn)品成本。隨著當(dāng)今各種高性能/高密度/高腳數(shù)集成電路的出現(xiàn),傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)越來(lái)越需要工程師與布局設(shè)計(jì)人員的緊密合作,以確保能夠透過(guò)眾多PCB電源與接地結(jié)構(gòu),為IC提供純凈、充足的電力。配合先前推出的HyperLynx信號(hào)完整性(SI)分析和確認(rèn)產(chǎn)品組件,Mentor Graphics目前為用戶(hù)提供的高性能電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)堪稱(chēng)業(yè)內(nèi)最全面最具實(shí)用性的解決方案。“我們擁有非常高端的用戶(hù),受到高性能集成電路多重電壓等級(jí)和電源要求的驅(qū)使,需要在一個(gè)單一的PCB中設(shè)計(jì)30余套電力供應(yīng)結(jié)構(gòu)。”Mentor Graphics副總裁兼系統(tǒng)設(shè)計(jì)事業(yè)部總經(jīng)理Henry Potts表示。“上述結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)需要快速而準(zhǔn) 確的直流壓降(DC Power Drop)和電源雜訊(Power Noise)分析。擁有了精確的分析信息,電源與接地層結(jié)構(gòu)和解藕電容數(shù)(de-coupling capacitor number)以及位置都可以決定,得以避免過(guò)于保守的設(shè)計(jì)和高昂的產(chǎn)品成本。”

    標(biāo)簽: PCB 電源完整性 高端

    上傳時(shí)間: 2013-10-31

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  • Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個(gè)電路設(shè)計(jì)為例,簡(jiǎn)單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計(jì)中的使用。下面是一個(gè)DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計(jì)),其中DRAM作為DSP的擴(kuò)展Memory(64位寬度,低8bit還經(jīng)過(guò)3245接到FLASH和其它芯片),DRAM時(shí)鐘頻率133M。因?yàn)轭l率較高,設(shè)計(jì)過(guò)程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開(kāi)Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗(yàn)證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開(kāi)始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點(diǎn)芯片管腳處的標(biāo)志,出現(xiàn)未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對(duì)應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點(diǎn)OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類(lèi)型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)管腳和3245的對(duì)應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,DRAM輸入)。下面我們開(kāi)始建立傳輸線模型。左鍵點(diǎn)DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因?yàn)槲覀兪褂盟膶影澹诒韺幼呔€,所以要選用“Microstrip”,然后點(diǎn)“Value”進(jìn)行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長(zhǎng)度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒(méi)有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線間距1.4inch,對(duì)線長(zhǎng)為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點(diǎn)加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測(cè)試點(diǎn)增加探頭:為發(fā)現(xiàn)更多的信息,我們使用眼圖觀察。因?yàn)闀r(shí)鐘是133M,數(shù)據(jù)單沿采樣,數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M,對(duì)應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下:之后按照芯片手冊(cè)制作眼圖模板。因?yàn)槲覀冏铌P(guān)心的是接收端(DRAM)信號(hào),所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊(cè)的輸入需求設(shè)計(jì)。芯片手冊(cè)中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個(gè)NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(hào)(不長(zhǎng)于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數(shù)據(jù)線沒(méi)有串阻可以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求,而其他的56位都是一對(duì)一,經(jīng)過(guò)仿真沒(méi)有串阻也能通過(guò)。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求,但有一點(diǎn)需注意,就是寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)因?yàn)榇嬖诨貨_,DRAM接收高電平在位中間會(huì)回沖到2V。因此會(huì)導(dǎo)致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調(diào)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)寫(xiě)RAM會(huì)出錯(cuò),還需要改版加串阻。

    標(biāo)簽: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上傳時(shí)間: 2013-12-17

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  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別,圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱(chēng)為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱(chēng)為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

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  • J-LIN仿真器操作步驟

    J-LIN仿真器操作步驟,J-LIN仿真器操作步驟。

    標(biāo)簽: J-LIN 仿真器 操作

    上傳時(shí)間: 2013-10-31

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