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調(diào)幅發(fā)射機(jī)

射頻遙控在家電遙控器中的應(yīng)用電路圖

射頻遙控在家電遙控器中的應(yīng)用電路圖

標(biāo)簽： 射頻遙控家電遙控器中的應(yīng)用電路圖

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：erkuizhang
CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。

標(biāo)簽： CMOS 工藝共源共柵偏置電路

上傳時(shí)間： 2013-10-08

上傳用戶：debuchangshi
寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠

標(biāo)簽： 寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶：waitingfy
射頻電路PCB設(shè)計(jì)

射頻電路PCB設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： PCB 射頻電路

上傳時(shí)間： 2014-01-13

上傳用戶：a1054751988
射頻電路PCB設(shè)計(jì)中注意問(wèn)題

PCB 設(shè)計(jì)對(duì)于電路設(shè)計(jì)而言越來(lái)越重要。但不少設(shè)計(jì)者往往只注重原理設(shè)計(jì),而對(duì)PCB 板的設(shè)計(jì)布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計(jì)中常會(huì)出現(xiàn)EMC 問(wèn)題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計(jì)中需要注意的一些問(wèn)題。

標(biāo)簽： PCB 射頻電路

上傳時(shí)間： 2013-10-24

上傳用戶：jiangxiansheng
protel 99se進(jìn)行射頻電路PCB設(shè)計(jì)的流程

介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮電磁兼容性，因而重點(diǎn)討論了元器件的布局與布線原則來(lái)達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞射頻電路電磁兼容布局

標(biāo)簽： protel PCB 99 se

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：竺羽翎2222
RC橋式正弦波振蕩電路的輸出幅值分析

在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻(xiàn)只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術(shù)指標(biāo)，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過(guò)理論分析、Multisim仿真實(shí)驗(yàn)測(cè)試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時(shí)電壓放大倍數(shù)的大小有關(guān)，在電路的線性工作范圍內(nèi)，起振時(shí)電壓放大倍數(shù)比3大得越多，最后的穩(wěn)定輸出電壓幅值也越大。研究結(jié)論有利于系統(tǒng)地研究振蕩電路的構(gòu)成及電路元件參數(shù)的選擇。

標(biāo)簽： RC橋正弦波振蕩電路幅值

上傳時(shí)間： 2013-11-03

上傳用戶：潛水的三貢
基于DDS AD9835的高壓射頻信號(hào)源的設(shè)計(jì)

基于DDS AD9835的高壓射頻信號(hào)源的設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： 9835 DDS AD 射頻信號(hào)源

上傳時(shí)間： 2013-10-23

上傳用戶：woshiayin
透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)

設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過(guò)對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過(guò)大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。

標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術(shù)

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：ewtrwrtwe