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開關(guān)(guān)<b>功率器件</b>

  • 一﹑指標(biāo)要求:. A: f5 b G A( d8 n   (1)設(shè)計一個4位十進(jìn)制的頻率計其測量范圍1Hz~9.999KHz;6 N3 G8 k( U- @ n* A   (2)記數(shù)過程結(jié)束

    一﹑指標(biāo)要求:. A: f5 b G A( d8 n   (1)設(shè)計一個4位十進(jìn)制的頻率計其測量范圍1Hz~9.999KHz;6 N3 G8 k( U- @ n* A   (2)記數(shù)過程結(jié)束后,保存并顯示結(jié)果;

    標(biāo)簽: 9.999 KHz f5 d8

    上傳時間: 2014-01-07

    上傳用戶:妄想演繹師

  • PWM將每個EVA/B都開通

    PWM將每個EVA/B都開通,只要改一些地方就可以變成你要的資料PWM

    標(biāo)簽: PWM EVA

    上傳時間: 2017-09-06

    上傳用戶:yan2267246

  • A B AB D類音頻功率放大器簡介

    該文檔為A、B、AB、D類音頻功率放大器簡介文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………

    標(biāo)簽: ab 音頻 功率放大器

    上傳時間: 2021-11-28

    上傳用戶:qdxqdxqdxqdx

  • 射頻與微波功率放大器設(shè)計.rar

    本書主要闡述設(shè)計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計技巧,以及將分析計算與計算機(jī)輔助設(shè)計相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計方法。這些方法提高了設(shè)計效率,縮短了設(shè)計周期。本書內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計方法、非線性主動設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計。  本書適合從事射頻與微波動功率放大器設(shè)計的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO電子部門首席理論設(shè)計工程師,他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程,在該班上,本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.2 散射參數(shù)  1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換  1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接  1.5 實際的雙口電路   1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò)   1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò)  1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò)  1.7 傳輸線  參考文獻(xiàn) 第2章 非線性電路設(shè)計方法  2.1 頻域分析   2.1.1 三角恒等式法   2.1.2 分段線性近似法   2.1.3 貝塞爾函數(shù)法  2.2 時域分析  2.3 NewtOn.Raphscm算法  2.4 準(zhǔn)線性法  2.5 諧波平衡法  參考文獻(xiàn) 第3章 非線性有源器件模型  3.1 功率MOSFET管   3.1.1 小信號等效電路   3.1.2 等效電路元件的確定   3.1.3 非線性I—V模型   3.1.4 非線性C.V模型   3.1.5 電荷守恒   3.1.6 柵一源電阻   3.1.7 溫度依賴性  3.2 GaAs MESFET和HEMT管   3.2.1 小信號等效電路   3.2.2 等效電路元件的確定   3.2.3 CIJrtice平方非線性模型   3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型   3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型   3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型   3.2.7 rrriQuint非線性模型   3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型   3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型   3.2.10 模型選擇  3.3 BJT和HBT汀管   3.3.1 小信號等效電路   3.3.2 等效電路中元件的確定   3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換   3.3.4 非線性雙極器件模型  參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配  4.1 主要原理  4.2 Smith圓圖  4.3 集中參數(shù)的匹配   4.3.1 雙極UHF功率放大器   4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器  4.4 使用傳輸線匹配   4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計   4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計  4.5 傳輸線類型   4.5.1 同軸線   4.5.2 帶狀線   4.5.3 微帶線   4.5.4 槽線   4.5.5 共面波導(dǎo)  參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器  5.1 基本特性  5.2 三口網(wǎng)絡(luò)  5.3 四口網(wǎng)絡(luò)  5.4 同軸電纜變換器和合成器  5.5 wilkinson功率分配器  5.6 微波混合橋  5.7 耦合線定向耦合器  參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計基礎(chǔ)  6.1 主要特性  6.2 增益和穩(wěn)定性  6.3 穩(wěn)定電路技術(shù)   6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子  6.4 線性度  6.5 基本的工作類別:A、AB、B和C類  6.6 直流偏置  6.7 推挽放大器  6.8 RF和微波功率放大器的實際外形  參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計  7.1 B類過激勵  7.2 F類電路設(shè)計  7.3 逆F類  7.4 具有并聯(lián)電容的E類  7.5 具有并聯(lián)電路的E類  7.6 具有傳輸線的E類  7.7 寬帶E類電路設(shè)計  7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器  參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器  8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則  8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò)    8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò)  8.6 實際設(shè)計一瞥  參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計  9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù)  9.2 包絡(luò)跟蹤  9.3 異相功率放大器  9.4 Doherty功率放大器方案  9.5 開關(guān)模式和雙途徑功率放大器  9.6 前饋線性化技術(shù)  9.7 預(yù)失真線性化技術(shù)  9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器  參考文獻(xiàn)

    標(biāo)簽: 射頻 微波功率 放大器設(shè)計

    上傳時間: 2013-04-24

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  • 基于ARM的全數(shù)字B型超聲診斷儀的設(shè)計與研究

    超聲理論與技術(shù)的快速發(fā)展,使超聲設(shè)備不斷更新,超聲檢查已成為預(yù)測和評價疾病及其治療結(jié)果不可缺少的重要方法。超聲診斷技術(shù)不僅具有安全、方便、無損、廉價等優(yōu)點,其優(yōu)越性還在于它選用診斷參數(shù)的多樣性及其在工程上實現(xiàn)的靈活性。 全數(shù)字B超診斷儀基于嵌入式ARM9+FPGA硬件平臺、LINUX嵌入式操作系統(tǒng),是一種新型的、操作方便的、技術(shù)含量高的機(jī)型。它具有現(xiàn)有黑白B超的基本功能,能夠?qū)Τ暬夭〝?shù)據(jù)進(jìn)行靈活的處理,從而使操作更加方便,圖象質(zhì)量進(jìn)一步提高,并為遠(yuǎn)程醫(yī)療、圖像存儲、拷貝等打下基礎(chǔ),是一種很有發(fā)展前景、未來市場的主打產(chǎn)品。全數(shù)字B型超聲診斷儀的基本技術(shù)特點是用數(shù)字硬件電路來實現(xiàn)數(shù)據(jù)量極其龐大的超聲信息的實時處理,它的實現(xiàn)主要倚重于FPGA技術(shù)。現(xiàn)在FPGA已經(jīng)成為多種數(shù)字信號處理(DSP)應(yīng)用的強(qiáng)有力解決方案。硬件和軟件設(shè)計者可以利用可編程邏輯開發(fā)各種DSP應(yīng)用解決方案。可編程解決方案可以更好地適應(yīng)快速變化的標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和性能需求。 本論文首先闡述了醫(yī)療儀器發(fā)展現(xiàn)狀和嵌入式計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)及發(fā)展?fàn)顩r,提出了課題研究內(nèi)容和目標(biāo)。然后從B超診斷原理及全數(shù)字B超診斷儀設(shè)計入手深入分析了B型超聲診斷儀的系統(tǒng)的硬件體系機(jī)構(gòu)。對系統(tǒng)的總體框架和ARM模塊設(shè)計做了描述后,接著分析了超聲信號進(jìn)行數(shù)字化處理的各個子模塊、可編程邏輯器件的結(jié)構(gòu)特點、編程原理、設(shè)計流程以及ARM處理模塊和FPGA模塊的主要通訊接口。接著,本論文介紹了基于ARM9硬件平臺的LINUX嵌入式操作系統(tǒng)的移植和設(shè)備驅(qū)動的開發(fā),詳細(xì)描述了B型超聲診斷儀的軟件環(huán)境的架構(gòu)及其設(shè)備驅(qū)動的詳細(xì)設(shè)計。最后對整個系統(tǒng)的功能和特點進(jìn)行了總結(jié)和展望。

    標(biāo)簽: ARM 全數(shù)字 儀的設(shè)計 超聲診斷

    上傳時間: 2013-05-28

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  • CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。

    標(biāo)簽: CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • 電子基本技能實訓(xùn)

    電子元器件   任何一個電子電路,都是由電子元器件組合而成。了解常用元器件的性能、型號規(guī)格、組成分類及識別方法,用簡單測試的方法判斷元器件的好壞,是選擇、使用電子元器件的基礎(chǔ),是組裝、調(diào)試電子電路必須具備的技術(shù)技能。下面我們首先分別介紹電阻器、電容器、電感器、繼電器、晶體管、光電器件、集成電路等元器件的基本知識1 .電阻器電阻器在電路中起限流、分流、降壓、分壓、負(fù)載、匹配等作用。1.1電阻器的分類電阻器按其結(jié)構(gòu)可分為三類,即固定電阻器、可變電阻器(電位器)和敏感電阻器。按組成材料的不同,又可分為炭膜電阻器、金屬膜電阻器、線繞電阻器、熱敏電阻器、壓敏電阻器等。常用電阻器的外形圖如圖1.1 1.2 電阻器的參數(shù)及標(biāo)注方法電阻器的參數(shù)很多,通常考慮的有標(biāo)稱阻值、額定功率和允許偏差等。(1)、標(biāo)稱阻值和允許誤差 電阻器的標(biāo)稱阻值是指電阻器上標(biāo)出的名義阻值。而實際阻值與標(biāo)稱阻值之間允許的最大偏差范圍叫做阻值允許偏差,一般用標(biāo)稱阻值與實際阻值之差除以標(biāo)稱阻值所得的百分?jǐn)?shù)表示,又稱阻值誤差。普通電阻器阻值誤差分三個等級:允許誤差小于±5﹪的稱Ⅰ級,允許誤差小于±10﹪的稱Ⅱ級,允許誤差小于±20﹪的稱Ⅲ級。表示電阻器的阻值和誤差的方法有兩種:一是直標(biāo)法,二是色標(biāo)法。直標(biāo)法是將電阻的阻值直接用數(shù)字標(biāo)注在電阻上;色標(biāo)法是用不同顏色的色環(huán)來表示電阻器的阻值和誤差,其規(guī)定如表1.1(a)和(b)。      用色標(biāo)法表示電阻時,根據(jù)阻值的精密情況又分為兩種:一是普通型電阻,電阻體上有四條色環(huán),前兩條表示數(shù)字,第三條表示倍乘,第四條表示誤差。二是精密型電阻,電阻體上有五條色環(huán),前三條表示數(shù)字,第四條表示倍乘,第五條表示誤差。通用電阻器的標(biāo)稱阻值系列如表1.2所示,任何電阻器的標(biāo)稱阻值都應(yīng)為表1.2所列數(shù)值乘以10nΩ,其中n為整數(shù)。(2)、電阻器的額定功率    電阻器的額定功率指電阻器在直流或交流電路中,長期連續(xù)工作所允許消耗的最大功率。常用的額定功率有1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W、10W、25W等。電阻器的額定功率有兩種表示方法,一是2W以上的電阻,直接用阿拉伯?dāng)?shù)字標(biāo)注在電阻體上,二是2W以下的炭膜或金屬膜電阻,可以根據(jù)其幾何尺寸判斷其額定功率的大小如表1.3。3 電阻器的簡單測試       電阻器的好壞可以用儀表測試,電阻器阻值的大小也可以用有關(guān)儀器、儀表測出,測試電阻值通常有兩種方法,一是直接測試法,另一種是間接測試法。(1).直接測試法就是直接用歐姆表、電橋等儀器儀表測出電阻器阻值的方法。通常測試小于1Ω的小電阻時可用單臂電橋,測試1Ω到1MΩ電阻時可用電橋或歐姆表(或萬用表),而測試1MΩ以上大電阻時應(yīng)使用兆歐表。

    標(biāo)簽: 電子 技能

    上傳時間: 2013-10-26

    上傳用戶:windwolf2000

  • 剖析Intel IA32 架構(gòu)下C 語言及CPU 浮點數(shù)機(jī)制 Version 0.01 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 謝煜波 (email: xieyubo@126.com 網(wǎng)址:http://purec.b

    剖析Intel IA32 架構(gòu)下C 語言及CPU 浮點數(shù)機(jī)制 Version 0.01 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 謝煜波 (email: xieyubo@126.com 網(wǎng)址:http://purec.binghua.com) (QQ:13916830 哈工大紫丁香BBSID:iamxiaohan) 前言 這兩天翻看一本C 語言書的時候,發(fā)現(xiàn)上面有一段這樣寫到 例:將同一實型數(shù)分別賦值給單精度實型和雙精度實型,然后打印輸出。 #include <stdio.h> main() { float a double b a = 123456.789e4 b = 123456.789e4 printf(“%f\n%f\n”,a,b) } 運行結(jié)果如下:

    標(biāo)簽: Version xieyubo Intel email

    上傳時間: 2013-12-25

    上傳用戶:徐孺

  • 基于事件驅(qū)動的串口通訊控件 消息幀數(shù)據(jù)格式: 1 0 A B X X 其中 10 為消息標(biāo)識, AB表示文本長度,L=A*100+B XX為配位字符,任意 控制幀數(shù)據(jù)格式

    基于事件驅(qū)動的串口通訊控件 消息幀數(shù)據(jù)格式: 1 0 A B X X 其中 10 為消息標(biāo)識, AB表示文本長度,L=A*100+B XX為配位字符,任意 控制幀數(shù)據(jù)格式 0 1 A B M N 其中 01為控制標(biāo)識, AB為請求標(biāo)識 MN為附加標(biāo)識 11表示請求對方接收文件,M表示描述字串中文件名子串的長度 N表示描述字串中文件大小子串的長度 10通知對方放棄傳輸 00通知文件傳輸完畢 01請求對方發(fā)送數(shù)據(jù), MN為10請求發(fā)送下一個 MN為00請求重發(fā) 數(shù)據(jù)幀數(shù)據(jù)格式 0 0 A B M N 其中 00 為數(shù)據(jù)標(biāo)識, AB表示數(shù)據(jù)長度,L=A*100+B MN為校驗,M*100+N=A+B

    標(biāo)簽: 100 數(shù)據(jù)格式 10

    上傳時間: 2015-10-06

    上傳用戶:拔絲土豆

  • 設(shè)B是一個n×n棋盤

    設(shè)B是一個n×n棋盤,n=2k,(k=1,2,3,…)。用分治法設(shè)計一個算法,使得:用若干個L型條塊可以覆蓋住B的除一個特殊方格外的所有方格。其中,一個L型條塊可以覆蓋3個方格。且任意兩個L型條塊不能重疊覆蓋棋盤

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    上傳時間: 2013-12-16

    上傳用戶:腳趾頭

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