JTAG CPLD實現(xiàn)源代碼，比用簡單并口調(diào)試器快5倍以上。\r\n以前總覺得簡單的并口jtag板速度太慢，特別是調(diào)試bootloader的時候，簡直難以忍受。最近沒什么事情，于是補習了幾天vhdl，用cpld實現(xiàn)了一個快速的jtag轉(zhuǎn)換板。cpld用epm7128stc100-15，晶振20兆，tck頻率5兆。用sjf2410作測試，以前寫50k的文件用時5分鐘，現(xiàn)在則是50秒左右。tck的頻率還可以加倍，但是不太穩(wěn)定，而且速度的瓶頸已經(jīng)不在tck這里，而在通訊上面了。\r\n
標簽： JTAG CPLD 源代碼
上傳時間： 2013-09-04
上傳用戶：LANCE
\r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版
標簽： Protel 99 se
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：Yukiseop
液晶顯示例子,晶振頻率Fosc=8MHz,內(nèi)有仿真文件
標簽： Fosc MHz 液晶顯示 晶振
上傳時間： 2013-09-25
上傳用戶：781354052
15.2 已經(jīng)加入了有關(guān)貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets 下的 DRC 選項. 點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄.
標簽： Allegro 15.2 SPB
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：王慶才
用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)
標簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標簽： 歸零法 N進制計數(shù)器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
開關(guān)電源中SW的波形經(jīng)常會出現(xiàn)振鈴的現(xiàn)象，嚴重的振鈴現(xiàn)象對電路的損傷極大，這里就是分享怎樣解決振鈴現(xiàn)象的方法。
標簽： 開關(guān)電源 振鈴 控制
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：Avoid98
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