開關電源基本原理與設計介紹，臺達的資料，很好的
標簽： 開關 電源基本
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：cursor
附錄 光盤說明\r\n本書附贈的光盤包括各章節實例的設計工程與源碼，所有工程在下列軟件環境下運行通過：\r\n? Windows XP SP2\r\n? MATLAB\r\n? Altera Quartus II \r\n? synplify8.4\r\n? modelsim_ae6.1\r\n\r\n光盤目錄與實例名稱的對應關系如下：\r\n\r\n cht02文件夾中存放的是書中第2章中的例子，讀者可以將一些簡單例子的代碼 \r\n拷貝到MATLAB命令窗口進行運行，也可以把
標簽： FPGA 發光 工程 源碼
上傳時間： 2013-08-11
上傳用戶：ecooo
基于PXA270-S linux的FPGA實現。\r\n向LED_CONTROL寫入n即得到n*0.1S的延時，LED閃爍的快慢程度發生變化。
標簽： linux FPGA PXA 270
上傳時間： 2013-08-22
上傳用戶：tb_6877751
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
標簽： CoolMos 制造
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
標簽： LED 高電壓 降壓型轉換器 驅動高功率
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：playboys0
反激式轉換器通常應用於具有多個輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個反激式轉換器，多輸出僅增加極少的成本或復雜度––– 每個額外的輸出僅要求另一個變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。
標簽： 反激式控制器 輸出 調節 性能
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：3294322651
對於許多電子子繫統而言，比如：VFD (真空熒光顯示屏)、TFT-LCD、GPS 或 DSL 應用，僅采用一個簡單的降壓或升壓型 DC/DC 轉換器並不能滿足其要求
標簽： DCDC 電阻器 正 設定
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：nostopper
LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓，但可通過采用一個 VCC 穩壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉換器的輸入範圍向上擴展。
標簽： DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉換器
上傳時間： 2013-11-01
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對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內 (這在鋰離子電池供電型應用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉換器設計，可供采用的傳統解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
標簽： DCDC 降壓 升壓型 控制器
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：urgdil
許多電信和計算應用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負載電流。其應用包括分布式電源繫統、負載點調節和邏輯電源轉換。
標簽： 2.2 降壓型 同步控制器 輸入
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：arnold
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