本文只是論述由單只IGBT管子或雙管做成的逆變模塊，及其有關測量和判斷好壞的方法。IPM模塊不在本文討論內容之內。場效應管子有開關速度快、電壓控制的優點，但也有導通壓降大，電壓與電流容量小的缺點。而雙極型器件恰恰有與其相反的特點，如電流控制、導通壓降小，功率容量大等，二者復合，正所謂優勢互補。IGBT管子，或者1GBT模塊的由來，即基于此。從結構上看，類似于我們都早已熟悉的復合放大管，輸出管為一只PNP型三極管，而激勵管是一只場效應管，后者的漏極電流形成了前者的基極電流。放大能力是兩管之積。IGBT管子的等效電路及符號如下圖：
上傳時間： 2022-06-21
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一、IGBT 驅動1 驅動電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅動電壓可由不同地驅動電路產生。典型的驅動電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅動電路示意圖Q1，Q2 為驅動功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號需通過Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅動電路時，需考慮幾個因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關斷時，最好加一個負偏電壓，且負偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負偏電壓最好在-5V~-10V 之內；開通時，驅動電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅動電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時通態壓降也比較低，同時又能有效地限制短路電流值和因此產生的應力。若驅動電壓低于12V ，則IGBT 通態損耗較大， IGBT 處于欠壓驅動狀態；若 VGE >20V ，則難以實現電流的過流、短路保護，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅動功率的計算由于IGBT 是電壓驅動型器件，需要的驅動功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅動功率問題。但對于大功率IGBT ，或要求并聯運行的IGBT 則需要考慮驅動功率。IGBT 柵極驅動功率受到驅動電壓即開通VGE( ON )和關斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關 f 的影響。柵極驅動電源的平均功率 PAV 計算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時間： 2022-06-21
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概述：CMBUS是一種帶供電功能的設備端串行雙總線通信系統，它具有通訊設備容量大，通訊速率高，設計簡單，布線方便，抗干擾能力強的特點，可以總線供電，單臺設備可提供高達500mA的電流。可廣泛用于小區的計量集抄，智能家庭控制網絡，消防報警及聯動網絡，小區智能化控制網絡，中央空調控制系統等。CMT100是C-MBUS總線控制端通訊專用集成電路，完成數字通訊的調制解調、總線控制、總線電源供給、總線故障檢測功能。考慮到主機電路復雜，為增加主機抗干擾能力，控制器應將總線驅動與單片機系統隔，TXD.RXD收發控制經光耦直接輸入芯片，系統使用15V~30V電源（根據通訊距離，設備用電狀況決定）。功能芯片供電電源：根據通訊距離及供電功率確定供電電源，供電電壓VCC應在15~30V之間，電壓波動在5%之內。芯片內有7V穩壓電源，作為隔離輸出的光偶輸出電源，如用于其它電源，瞬間輸出電流<12mA，平均輸出電流<2mA，否則會引起芯片發熱。
標簽： C-MBUS
上傳時間： 2022-06-22
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電磁爐燒壞IGBT 功率管的八種因素在電磁爐維修中，功率管的損壞占有相當大的比例，若在沒有查明故障原因的情況下貿然更換功率管會引起再次燒毀。一：諧振電容和濾波電容損壞0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容損壞或容量不足若0.3uF/1200V 諧振電容、5uF/400V 濾波電容容量變小、失效或特性不良，將導致電磁爐LC 振蕩電路頻率偏高，從而引起功率管IGBT管損壞，經查其他電路無異常時，我們必須將0.3uF 和5uF 電容一起更換。二：IGBT 管激勵電路異常振蕩電路輸出的脈沖信號不能直接控制IGBT 管飽和、導通與截至，必須通過激勵電路將脈沖信號放大來完成。如果激勵電路出現故障，高電壓就會加到IGBT 管的G 極，導致IGBT 管瞬間擊穿損壞。常見為驅動管S8050、S8550損壞。三：同步電路異常同步電路在電磁爐中的主要是保證加到IGBT G 極上的開關脈沖前沿與IGBT 管上VCE 脈沖后沿同步。當同步電路工作異常時， 導致IGBT管瞬間擊穿損壞。
上傳時間： 2022-06-22
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《振蕩電路的設計與應用》是2004年科學出版社出版的圖書，作者是稻葉保，譯者是何希才。本書中重點介紹了放大電路和振蕩電路的設計與應用。《振蕩電路的設計與應用》是“實用電子電路設計叢書”之一。《振蕩電路的設計與應用》主要介紹振蕩電路的設計與應用，內容包括基本振蕩電路、RC方波振蕩電路的設計、RC正弦波振蕩電路的設計、高頻LC振蕩電路的設計、陶瓷與晶體振蕩電路的設計，以及函數發生器的設計、電壓控制振蕩電路的設計、PLL頻率合成器的設計、數字頻率合成器的設計，等等。
標簽： 振蕩電路
上傳時間： 2022-06-22
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隨著半導體技術的發展，模數轉換器（Analog to Digital Converter，ADC）作為模擬與數字接口電路的關鍵模塊，對性能的要求越來越高。為了滿足這些要求，模數轉換器正朝著低功耗、高分辨率和高速度方向快速發展。在磁盤驅動器讀取通道、測試設備、纖維光接收器前端和日期通信鏈路等高性能系統中，高速模數轉換器是最重要的結構單元。因此，對模數轉換器的性能，尤其是速度的要求與日俱增，甚至是決定系統性能的關鍵因素。在分析各種結構的高速模數轉換器的基礎上，本文設計了一個分辨率為6位，采樣時鐘為1GS/s的超高速模數轉換器。本設計采用的是最適合應用于超高速A/D轉換器的全并行結構，整個結構是由分壓電阻階梯，電壓比較器，數字編碼電路三部分組成。在電路設計過程中，主要從以下幾個方面進行分析和改進：采用了無采樣/保持電路的全并行結構；在預放大電路中，使用交叉耦合對晶體管作為負載來降低輸入電容和增加放大電路的帶寬，從而提高比較器的比較速度和信噪比；在比較器的輸出端采用時鐘控制的自偏置差分放大器作為輸出緩沖級，使得比較輸出結果能快速轉換為數字電平，以此來提高ADC的轉換速度；在編碼電路上，先將比較器輸出的溫度計碼轉換成格雷碼，再把格雷碼轉換成二進制碼，這樣進一步提高ADC的轉換速度和減少誤碼率。
上傳時間： 2022-06-22
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內容簡介本書是“實用電子電路設計從書”之….內容主婆分為隔部分：第一部分是以數字技術的思維方法作為主體論述；第二：部分是從實踐角度出發，對數學技術實際應用方法進行詳細介紹。其中包括數字電路基礎、布爾代數和數字電路的表示方法、基本的數字IC、數字電路的基本功能塊、各種數字KC、數字系統的應用等。本書系統全面，內容深人淺出，并附有大量例題和兇示，說明i精細，具有極高的實用性和可操作性，便于讀者自學，能使讀者迅速掌握廣泛應用的邏輯1C.數字系統的設計。本書可供從事電子、通信、計算機等相關專業的技術人員及大學相關專業的本科生、研究生參考，也可作為廣大電子愛好者的學習參考讀物。
上傳時間： 2022-06-23
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摘要：隨著CCD性能的不斷提高，CCD技術在軍、民用領域都得到了廣泛的應用。介紹了TCDI501C線陣CCD的驅動電路設計，詳細介紹了用VHDL完成的CCD圖像傳感器驅動時序設計和視頻輸出差分信號驅動電路的設計。關鍵詞：線陣CCD；圖像傳感器：儀器儀表放大器；差分驅動1引言電荷耦合器件（CCD，Charge Couple Device）是20世紀60年代末期出現的新型半導體器件。目前隨著CCD器件性能不斷提高，在圖像傳感、尺寸測量及定位測控等領域的應用日益廣泛，CCD應用的前端驅動電路成本價格昂貴，而且性能指標受到生產廠家技術和工藝水平的制約，給用戶帶來很大的不便。CCD驅動器有兩種：一種是在脈沖作用下CCD器件輸出模擬信號，經后端增益調整電路進行電壓或功率放大再送給用戶；另一種是在此基礎上還包含將其模擬量按一定的輸出格式進行數字化的部分，然后將數字信息傳輸給用戶，通常的線陣CCD攝像機就指后者，外加機械掃描裝置即可成像。所以根據不同應用領域和技術指標要求，選擇不同型號的線陣CCD器件，設計方便靈活的驅動電路與之匹配是CCD應用中的關鍵技術之一。
上傳時間： 2022-06-23
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本論文主要研究自激式RF電源的功率控制，主要分為七個部分：第部分主要介紹ICP儀器的發展歷史、RF電源的主流技術路線及國內外研究現狀，指出了存在的部分問題，確立了本文研究主題。第二部分簡介了ICP儀器的系統結構，重點介紹等離子炬光源以及自激式RF電源。首先從系統的角度介紹了ICP儀器的組成及工作原理，然后對等離子矩光源的產生條件及生成機理作了說明，并且對其在點火過程中表現的負載特性作了分析，最后從ICP儀器的分析性能方面說明了它對RF電源的設計要求，明確RF電源的設計指標。第三部分詳細介紹了自激式RF電源的實現原理。按照信號流向首先介紹了作為跟蹤等離子矩特性的振蕩源——鎖相環的原理，分別對其中的鑒相器、環路濾波器、壓控振蕩器和驅動電路等做了詳細介紹。然后介紹了高頻功率放大器的原理，確定了主要元件參數，并介紹了適用于自激式RF電源的電路結構。最后對阻抗匹配原理作了介紹，并重點介紹了集中參數元件匹配網絡。第四部分詳細介紹了本文所做的設計工作，包含軟硬件設計。這部分仍然是按信號流向作說明，根據自激式RF電源的結構特點，針對這幾部分選擇合適的電路結構、元件參數等設計完成鎖相環路、高效率E類推挽功率放大電路以及阻抗匹配網絡。除此之外，還包括電路中的主要信號采樣與檢測、熱設計、電磁兼容設計以及軟件部分的設計說明。第五部分對本文采取的功率控制流程與策略作詳細說明，介紹了如何通過改善控制流程和控制策略以提高RF電源性能。第六部分對所設計的RF電源進行了測試，表明本設計達到了預定的設計指標，說明此方法的可行性與實用性，并且分析了等離子炬的負載變化過程，對RF電源的設計提供了有益的參考。第七部分作了全文總結與展望。所設計RF電源成功點燃等離子炬，期間通過對RF電源的測試，并在ICP-AES整機上進行了系統驗證，測試證明所設計的自激式RF電源與同類電源相比性能有所提升。
上傳時間： 2022-06-23
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第一章引言目前基于單片微機的語音系統的應用越來越廣泛，如電腦語音鐘、語音型數字萬用表、手機話費查詢系統、排隊機、監控系統語音報警以及公共汽車報站器等等。本文作者用Flash單片機ANT89C51和錄放時間達90%的數碼語音芯片ISD2590設計了一套智能語音錄放系統，實現了譜音的分段錄取、組合回放，整段錄取.循環播放，通過軟件修改可以實現很多場合的應用。第二章ISD2590語音芯片本系統采用關國ISD公司的ISD2590芯片，ISD2500系列具有抗斷電、音質好，使用方便等優點。它的最大特點在于片內E2PROM容量為480K（1400系列為128K），所以錄放時間長；有10個地址輸入端（1400系列僅為8個），尋址能力可達1024位；最多能分600段；設有OVF（溢出）端，便于多個器件級聯。2.1內部框圖圖2-1為ISD2590芯片的內部結構框圖。錄音時，語音信號從MIC，MICREF（17，18）引聊輸入，經過一個前置放大器放大，該放大器的增益由AGC（Auto Gain Control，19）引腳所接的器件的伯控制。經放大的信號從ANAOUT腳輸出，經過阻容注被后ANAIN進入芯片內部。然后經過放大和濾波后存入EEPROM陣列中，放音時，在正確的時序控制的前提下，聲音信號將從EEPROM中經濾波放大后從SP+，SP一中輸出。
上傳時間： 2022-06-24
上傳用戶：1208020161
