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集成開(kāi)關(guān)(guān)

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • 集成運(yùn)算放大器的使用可靠性

    集成運(yùn)算放大器是一種高倍率的直流放大器。當(dāng)選取不同的反饋電路時(shí)，它就可以對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大以及加，減微分，積分等運(yùn)算。

    標(biāo)簽： 集成運(yùn)算放大器 可靠性

    上傳時(shí)間： 2013-10-25

    上傳用戶：liangrb

  • 集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用

    實(shí)驗(yàn)八 集成運(yùn)算放大器一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?．學(xué)習(xí)集成運(yùn)算放大器的使用方法。2．掌握集成運(yùn)算放大器的幾種基本運(yùn)算方法。二、預(yù)習(xí)內(nèi)容及要求集成運(yùn)算放大器是具有高開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)的多級(jí)直接耦合放大電路。在它外部接上負(fù)反饋支路和一定的外圍元件便可組成不同運(yùn)算形式的電路。本實(shí)驗(yàn)只對(duì)反相比例、同相比例、反相加法和積分運(yùn)算進(jìn)行應(yīng)用研究。1．圖1是反相比例運(yùn)算原理圖。反相比例運(yùn)算輸出電壓 和輸入電壓 的關(guān)系為：

    標(biāo)簽： 集成運(yùn)算放大器

    上傳時(shí)間： 2013-11-10

    上傳用戶：zuozuo1215

  • 小豆——project Library--AD10集成庫(kù)

    上傳一分自己用得順心的AD10集成庫(kù)

    標(biāo)簽： project Library AD 10

    上傳時(shí)間： 2013-11-15

    上傳用戶：eastgan

  • ORCAD基本問(wèn)題集成

    ORCAD基本問(wèn)題的集成束

    標(biāo)簽： ORCAD 集成

    上傳時(shí)間： 2013-11-17

    上傳用戶：yulg

  • 各種集成芯片的封裝尺寸

    各種集成芯片的封裝尺寸，學(xué)習(xí)PCB的必備材料

    標(biāo)簽： 集成芯片 封裝尺寸

    上傳時(shí)間： 2013-11-07

    上傳用戶：zczc

  • 集成元件庫(kù)的創(chuàng)建

    集成元件庫(kù)的創(chuàng)建

    標(biāo)簽： 集成 元件庫(kù)

    上傳時(shí)間： 2013-11-05

    上傳用戶：a3318966

  • 第五講_altium_designer_集成庫(kù)制作

    altium_designer_集成庫(kù)制作

    標(biāo)簽： altium_designer 集成庫(kù)

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶：kachleen

  • 采用集成電流檢測(cè)來(lái)監(jiān)視和保護(hù)汽車系統(tǒng)

    對(duì)於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環(huán)境，這裡，引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事

    標(biāo)簽： 集成 電流檢測(cè) 保護(hù) 汽車系統(tǒng)

    上傳時(shí)間： 2013-11-20

    上傳用戶：zhaiye

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

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