在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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集成運算放大器是一種高倍率的直流放大器。當選取不同的反饋電路時，它就可以對信號進行放大以及加，減微分，積分等運算。
標簽： 集成運算放大器 可靠性
上傳時間： 2013-10-25
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實驗八 集成運算放大器一、實驗目的1．學習集成運算放大器的使用方法。2．掌握集成運算放大器的幾種基本運算方法。二、預習內容及要求集成運算放大器是具有高開環放大倍數的多級直接耦合放大電路。在它外部接上負反饋支路和一定的外圍元件便可組成不同運算形式的電路。本實驗只對反相比例、同相比例、反相加法和積分運算進行應用研究。1．圖1是反相比例運算原理圖。反相比例運算輸出電壓 和輸入電壓 的關系為：
標簽： 集成運算放大器
上傳時間： 2013-11-10
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上傳一分自己用得順心的AD10集成庫
標簽： project Library AD 10
上傳時間： 2013-11-15
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ORCAD基本問題的集成束
標簽： ORCAD 集成
上傳時間： 2013-11-17
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各種集成芯片的封裝尺寸，學習PCB的必備材料
標簽： 集成芯片 封裝尺寸
上傳時間： 2013-11-07
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集成元件庫的創建
標簽： 集成 元件庫
上傳時間： 2013-11-05
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altium_designer_集成庫制作
標簽： altium_designer 集成庫
上傳時間： 2013-10-14
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對於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環境，這裡，引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事
標簽： 集成 電流檢測 保護 汽車系統
上傳時間： 2013-11-20
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
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