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雙極型三極管

  • 該程序能實(shí)現(xiàn)第一型三次樣條插值

    該程序能實(shí)現(xiàn)第一型三次樣條插值,邊界條件是端點(diǎn)的一階導(dǎo)數(shù)。結(jié)果可以同時(shí)顯示每段區(qū)間的插值多項(xiàng)式。

    標(biāo)簽: 程序 三次樣條 插值

    上傳時(shí)間: 2014-11-22

    上傳用戶(hù):lps11188

  • 本壓縮包給出了MCS51單片機(jī)主從機(jī)之間通過(guò)任意三個(gè)管腳通信

    本壓縮包給出了MCS51單片機(jī)主從機(jī)之間通過(guò)任意三個(gè)管腳通信

    標(biāo)簽: MCS 51 單片機(jī) 管腳

    上傳時(shí)間: 2016-12-23

    上傳用戶(hù):123456wh

  • 基于IGBT的750kVA三相二極管箝位型三電平通用變流模塊設(shè)計(jì)

    IGBT關(guān)斷電壓尖峰是其中的主要問(wèn)題,解決它的最有效方法是采用疊層母線連接器件。針對(duì)二極管籍位型三電平拓?fù)鋬蓚€(gè)基本強(qiáng)追換流回路,本文用ANSOFT Q3D軟件比較研究了三類(lèi)適用于多層母線排的疊層方案,并提出了一種新穎的疊層母線分組連接結(jié)構(gòu),結(jié)合特殊設(shè)計(jì)的吸收電容布局,減小了各IGBT模塊的關(guān)斷過(guò)沖,省去阻容吸收電路,并優(yōu)化了高頻電流在不同電容間的分布,抑制電解電容發(fā)熱。通過(guò)理論計(jì)算與仿真兩種方式計(jì)算該設(shè)計(jì)方案的雜散電感,并用實(shí)驗(yàn)加以證實(shí)。本文還設(shè)計(jì)了大面積一體化水冷散熱器,表面可以貼裝15個(gè)功率器件和若干傳感器和平衡電阻,采用水冷方式以迅速帶走滿(mǎn)載運(yùn)行時(shí)開(kāi)關(guān)器件的損耗發(fā)熱,并能達(dá)到結(jié)構(gòu)緊湊和防爆的效果。在散熱器內(nèi)部設(shè)計(jì)了細(xì)槽水道結(jié)構(gòu)以避開(kāi)100多個(gè)定位螺孔,同時(shí)可以獲得更大的熱交換面積。本文分析了SCALE驅(qū)動(dòng)芯片的兩類(lèi)器件級(jí)短路保護(hù)原理,并設(shè)計(jì)了針對(duì)兩類(lèi)保護(hù)動(dòng)作的閾值測(cè)試實(shí)驗(yàn),以確保每個(gè)器件在安全范圍內(nèi)工作;設(shè)計(jì)了系統(tǒng)控制和三類(lèi)系統(tǒng)級(jí)保護(hù)電路:驅(qū)動(dòng)板和控制板的布局布線經(jīng)過(guò)合理安排能在較強(qiáng)的電磁干擾下正常工作。論文最后,在電抗器、電阻器、異步感應(yīng)電機(jī)等不同類(lèi)型、各功率等級(jí)負(fù)載下,對(duì)變流模塊進(jìn)行了測(cè)試,并解決了直流中點(diǎn)電壓平衡問(wèn)題。各實(shí)驗(yàn)證實(shí)了設(shè)計(jì)理論并體現(xiàn)了良好的應(yīng)用效果。

    標(biāo)簽: igbt 二極管

    上傳時(shí)間: 2022-06-22

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  • 三電平逆變器SVPWM控制策略研究.rar

    多電平逆變器在大容量、高壓場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。在多電平逆變器的多種控制策略中,空間矢量脈寬調(diào)制(SVPWM)算法具有調(diào)制比大、能夠優(yōu)化輸出電壓波形、易于數(shù)字實(shí)現(xiàn)、母線電壓利用率高等優(yōu)點(diǎn),成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。 本文首先對(duì)電力電子技術(shù)的發(fā)展前景和多電平逆變器控制技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行了綜述。在分析兩電平逆變器工作原理的基礎(chǔ)上對(duì)三電平逆變器進(jìn)行了研究,綜合比較了三電平逆變電路三種典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn);介紹了二極管箝位型三電平逆變器,分析了二極管箝位型三電平逆變器相對(duì)于傳統(tǒng)兩電平逆變器的優(yōu)點(diǎn),體現(xiàn)了課題研究的重要意義。其次,本文以中點(diǎn)箝位式三電平逆變器的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),著重分析了三電平空間電壓矢量調(diào)制基本原理,提出了一種將最近的三個(gè)矢量合成參考矢量的空間矢量脈寬調(diào)制算法,給出大扇區(qū)和小三角形區(qū)域判斷規(guī)則以及合成參考電壓矢量的相應(yīng)輸出作用順序,并優(yōu)化了開(kāi)關(guān)矢量的作用順序,利于實(shí)現(xiàn)對(duì)中點(diǎn)電壓的控制,使算法易于實(shí)現(xiàn)。再次,論文分析了三電平逆變器直流側(cè)電容電壓不平衡產(chǎn)生的原因,分析了大、中、小矢量對(duì)中點(diǎn)電位的影響,提出了能夠影響中點(diǎn)電位波動(dòng)的關(guān)鍵矢量,并通過(guò)分配成對(duì)小矢量的作用時(shí)間實(shí)現(xiàn)了對(duì)中點(diǎn)電位的控制。最后,采用MATLAB軟件對(duì)所推導(dǎo)的三電平逆變器SVPWM調(diào)制算法進(jìn)行了仿真分析,結(jié)果證明了算法的可行性。

    標(biāo)簽: SVPWM 三電平逆變器 控制策略

    上傳時(shí)間: 2013-08-01

    上傳用戶(hù):icarus

  • 單相全控橋式整流電路的設(shè)計(jì)

    1.1 什么是整流電路整流電路(rectifying circuit)把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路。大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速、發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。整流電路通常由主電路、濾波器和變壓器組成,20世紀(jì)70年代以后,主電路多用硅整流二極管和晶閘管組成。濾波器接在主電路與負(fù)載之間,用于濾除脈動(dòng)直流電壓中的交流成分。變壓器設(shè)置與否視具體情況而定。變壓器的作用是實(shí)現(xiàn)交流輸入電壓與直流輸出電壓間的匹配以及交流電網(wǎng)與整流電路之間的電隔離。可以從各種角度對(duì)整流電路進(jìn)行分類(lèi),主要的分類(lèi)方法有:按組成的期間可分為不可控,半控,全控三種;按電路的結(jié)構(gòu)可分為橋式電路和零式電路:按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路;按變壓器二次側(cè)電流的方向是單向還是雙向,又可分為單拍電路和雙拍電路1.2整流電路的發(fā)展與應(yīng)用電力電子器件的發(fā)展對(duì)電力電子的發(fā)展起著決定性的作用,因此不管是整流器還是電力電子技術(shù)的發(fā)展都是以電力電子器件的發(fā)展為綱的,1947年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管,引發(fā)了電子技術(shù)的一次革命:1957年美國(guó)通用公司研制了第一個(gè)品閘管,標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生:70年代后期,以門(mén)極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力雙極型晶體管(BJT)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power-MOSFET)為代表的全控型器件迅速發(fā)展,把電力電子技術(shù)推上一個(gè)全新的階段:80年代后期,以絕緣極雙極型品體管(IGBT)為代表的復(fù)合型器件異軍突起,成為了現(xiàn)代電力電子技術(shù)的主導(dǎo)器件。另外,采用全控型器件的電路的主要控制方式為PWM脈寬調(diào)制式,后來(lái),又把驅(qū)動(dòng),控制,保護(hù)電路和功率器件集成在一起,構(gòu)成功率集成電路(PIC),隨著全控型電力電子器件的發(fā)展,電力電電路的工作頻率也不斷提高。同時(shí)。電力電子器件的開(kāi)關(guān)損耗也隨之增大,為了減小開(kāi)關(guān)損耗,軟開(kāi)關(guān)技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生,零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)和零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)把電力電子技術(shù)和整流電路的發(fā)展推向了新的高潮。

    標(biāo)簽: 整流電路

    上傳時(shí)間: 2022-06-18

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  • 三相三電平逆變器驅(qū)動(dòng)PMSM的模型預(yù)測(cè)控制研究

    電力電子技術(shù)的發(fā)展使電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)擺脫了常規(guī)兩電平逆變器拓?fù)涞南拗疲姍C(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與多電平逆變器的結(jié)合成了新的思路。多電平逆變器的輸出電平數(shù)多,因此其輸出波形更好,在大容量交流調(diào)速系統(tǒng)中優(yōu)勢(shì)明顯。作為多電平逆變器的研究基礎(chǔ),三電平逆變器應(yīng)用最為廣泛,而其中首選的是二極管鉗位型三電平逆變器。因此采用二極管鉗位型三電平逆變器驅(qū)動(dòng)PMSM的模型預(yù)測(cè)控制系統(tǒng)作為研究對(duì)象。在PMSM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,位置與轉(zhuǎn)速的檢測(cè)是非常重要的,一般采用的方法是通過(guò)機(jī)械傳感器來(lái)進(jìn)行測(cè)量,但這種測(cè)量方法在實(shí)際應(yīng)用中有很多缺陷,會(huì)降低電機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,同時(shí)會(huì)增加成本。而無(wú)速度傳感器技術(shù)是通過(guò)檢測(cè)電機(jī)中的電流或電壓,來(lái)對(duì)電機(jī)的實(shí)際轉(zhuǎn)速和位置信息進(jìn)行估計(jì),這種技術(shù)省略了常規(guī)使用的機(jī)械傳感器,能夠?qū)崿F(xiàn)電機(jī)系統(tǒng)的高精度、高動(dòng)態(tài)性能的控制。因此PMSM的無(wú)速度傳感器控制技術(shù)成為了近些年的研究熱點(diǎn)。主要研究?jī)?nèi)容分為以下幾個(gè)方面:(1)基于同一Pl轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)器,設(shè)計(jì)三電平逆變器驅(qū)動(dòng)PMSM模型預(yù)測(cè)轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng),與兩電平逆變器驅(qū)動(dòng)PMSMMPTC系統(tǒng)對(duì)比,并對(duì)兩個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行性能進(jìn)行對(duì)比分析。(2)為進(jìn)一步提高系統(tǒng)響應(yīng)性能,克服未知負(fù)載轉(zhuǎn)矩?cái)_動(dòng)、增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性,設(shè)計(jì)擴(kuò)張狀態(tài)負(fù)載轉(zhuǎn)矩觀測(cè)器,進(jìn)而得到將負(fù)載轉(zhuǎn)矩觀測(cè)器和基于冪函數(shù)滑模轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)器相結(jié)合的復(fù)合控制器。(3)設(shè)計(jì)基于分?jǐn)?shù)階滑模觀測(cè)器的PMSMMPCC系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)速的快速準(zhǔn)確估計(jì)。

    標(biāo)簽: 逆變器 驅(qū)動(dòng) pmsm

    上傳時(shí)間: 2022-06-24

    上傳用戶(hù):xsr1983

  • 基于TDC-GP22的超聲波流量計(jì)設(shè)計(jì)

    從20世紀(jì)10年代至今,由于IC技術(shù)的不斷發(fā)展,超聲波流量計(jì)也因其具有的非接觸測(cè)量、適用于大口徑圓形及矩形管道、內(nèi)部無(wú)任何阻流器件等特點(diǎn),成為當(dāng)今發(fā)展最迅速的一類(lèi)流量計(jì)之一。對(duì)于以時(shí)差法來(lái)實(shí)現(xiàn)流量測(cè)量的超聲波流量計(jì),其測(cè)量精度的關(guān)鍵在于準(zhǔn)確的測(cè)量超聲波在液體中的順流和逆流的傳播時(shí)間。在當(dāng)今計(jì)時(shí)芯片測(cè)量達(dá)到ps級(jí)別的基礎(chǔ)上,如果能夠消除溫度和管道對(duì)聲速和流體造成的非線性誤差,并且通過(guò)信號(hào)篩選準(zhǔn)確判斷超聲波信號(hào)到達(dá)時(shí)刻,那么超聲波流量計(jì)的精度將得到進(jìn)一步的提升。因此本文在上述三個(gè)方面的改進(jìn),提出了基于TDC-GP22的超聲波流量計(jì)的設(shè)計(jì)。1超聲波流量計(jì)流量測(cè)量方案在管道上安裝超聲波換能器的方式主要有三種:夾裝型、插入型和管段型。對(duì)于管段型也有多種方式,常見(jiàn)的有Z式安裝管段和立柱式管段。其中Z式管段主要適用于50mm口徑以上的管道;立柱式管段主要適用于50mm口徑以下的管道。由于本次設(shè)計(jì)主要針對(duì)小口徑超聲波流量計(jì),因此主要采用后一種立柱式管段,超聲波換能器安裝在管段同側(cè),測(cè)量時(shí)交替發(fā)送超聲波信號(hào),如圖1所示。

    標(biāo)簽: TDC-GP22 超聲波流量計(jì)

    上傳時(shí)間: 2022-07-03

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  • IGBT模塊系列

     IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。  

    標(biāo)簽: IGBT 模塊

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶(hù):panpanpan

  • 晶體管代換手冊(cè)下載

    為使本書(shū)成為國(guó)內(nèi)目前  最新、最全、最適用的晶體管  代換手冊(cè),編者根據(jù)國(guó)內(nèi)外  出版的最新資料,在1992年  最新增訂版的基礎(chǔ)上,又增  加了數(shù)千種日本晶體管和數(shù)  千種歐州晶體管型號(hào)及其代  換的國(guó)內(nèi)外型號(hào),并且,還介  紹了美國(guó)1985年以前生產(chǎn)  的3N型場(chǎng)效應(yīng)管及其代換  型號(hào)。  本手冊(cè)介紹了數(shù)萬(wàn)種國(guó)  外晶體管(包括部分場(chǎng)效應(yīng)  管)的型號(hào)、用途、極性、主要  參數(shù)、國(guó)外代換型號(hào)、國(guó)內(nèi)代  換型號(hào)以及具有管腳排列和  實(shí)際尺寸的外形圖。手冊(cè)還  介紹了中國(guó)、國(guó)際、美國(guó)、日  本等半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法  等內(nèi)容。  本手冊(cè)的特點(diǎn)是:資料  新穎,型號(hào)齊全,查閱方便,  實(shí)用性強(qiáng),可供業(yè)余無(wú)線電  愛(ài)好者、電子和通訊專(zhuān)業(yè)的  工人和工程技術(shù)人員使用。

    標(biāo)簽: 晶體管 代換手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-12-11

    上傳用戶(hù):liu999666

  • 利用動(dòng)態(tài)密勒補(bǔ)償電路解決LDO的穩(wěn)定性問(wèn)題

    利用動(dòng)態(tài)密勒補(bǔ)償電路解決LDO的穩(wěn)定性問(wèn)題:針對(duì)LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種新穎的動(dòng)態(tài)密勒補(bǔ)償電路8與傳統(tǒng)方法相比,該電路具有恒定的帶寬,大大提高了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)性能,同時(shí)將開(kāi)環(huán)增益提高了,左右使6LDO穩(wěn)壓器具有較高的電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。通過(guò)具體投片,驗(yàn)證了該方法的正確性和可行性。關(guān)鍵詞:低壓降穩(wěn)壓器,動(dòng)態(tài)密勒補(bǔ)償,穩(wěn)定性,P型場(chǎng)效應(yīng)管電容器

    標(biāo)簽: LDO 動(dòng)態(tài) 密勒補(bǔ)償 電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-24

    上傳用戶(hù):小寶愛(ài)考拉

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