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電子傳感器

  • 采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動(dòng)器

    LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動(dòng)器的工作頻率均為 1.5MHz,因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

    標(biāo)簽: 4mmX4mm QFN LCD LED

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶:zzbbqq99n

  • 微電腦型類比隔離傳送器

    特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 可輸入交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器...等信號(hào) 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 2主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. (23 ±5℃) 顯示值范圍: 0-±19999 digit adjustable 類比輸出解析度: 16 bit DAC 輸出反應(yīng)速度: < 250 ms (0-90%)(>10Hz) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16mm (0.4") 隔離特性: Input/Output/Power/Case 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 安裝方式: Socket/plugin type with barrier terminals CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 隔離傳送器

    上傳時(shí)間: 2014-01-05

    上傳用戶:eastgan

  • 利用SPI傳輸協(xié)定

    利用SPI傳輸協(xié)定,調(diào)整MCP4921類比電壓產(chǎn)生器的輸出電壓,使其輸出一個(gè)0V到5V的類比鋸齒波電壓輸出

    標(biāo)簽: SPI

    上傳時(shí)間: 2013-12-26

    上傳用戶:diets

  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測(cè)電阻器

    一直以來(lái), 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測(cè)電阻器所組成的。

    標(biāo)簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:qwerasdf

  • 雙通道8A DCDC uModule穩(wěn)壓器能夠容易地通過(guò)并聯(lián)來(lái)提供16A電流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi),因此只需少量的外部元件。

    標(biāo)簽: uModule DCDC 16A 雙通道

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:頂?shù)弥?/p>

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • HT45F23 ADC 功能應(yīng)用實(shí)例

    具備處理外部模擬信號(hào)功能是很多電子設(shè)備的基本要求。為了將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信 號(hào),就需要藉助A/D 轉(zhuǎn)換器。將A/D 功能和MCU 整合在一起,就可減少電路的元件數(shù)量和 電路板的空間使用。 HT45F23 微控制器內(nèi)建6 通道,12 位解析度的A/D 轉(zhuǎn)換器。在本應(yīng)用說(shuō)明中,將介紹如何 使用HT45F23 微控制器的A/D 功能。

    標(biāo)簽: 45F F23 ADC HT

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:nostopper

  • 子空間模式識(shí)別方法

    提出了一種改進(jìn)的LSM-ALSM子空間模式識(shí)別方法,將LSM的旋轉(zhuǎn)策略引入ALSM,使子空間之間互不關(guān)聯(lián)的情況得到改善,提高了ALSM對(duì)相似樣本的區(qū)分能力。討論中以性能函數(shù)代替經(jīng)驗(yàn)函數(shù)來(lái)確定拒識(shí)規(guī)則的參數(shù),實(shí)現(xiàn)了識(shí)別率、誤識(shí)率與拒識(shí)率之間的最佳平衡;通過(guò)對(duì)有限字符集的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,LSM-ALSM算法有效地改善了分類器的識(shí)別率和可靠性。關(guān) 鍵 詞 學(xué)習(xí)子空間; 性能函數(shù); 散布矩陣; 最小描述長(zhǎng)度在子空間模式識(shí)別方法中,一個(gè)線性子空間代表一個(gè)模式類別,該子空間由反映類別本質(zhì)的一組特征矢量張成,分類器根據(jù)輸入樣本在各子空間上的投影長(zhǎng)度將其歸為相應(yīng)的類別。典型的子空間算法有以下三種[1, 2]:CLAFIC(Class-feature Information Compression)算法以相關(guān)矩陣的部分特征向量來(lái)構(gòu)造子空間,實(shí)現(xiàn)了特征信息的壓縮,但對(duì)樣本的利用為一次性,不能根據(jù)分類結(jié)果進(jìn)行調(diào)整和學(xué)習(xí),對(duì)樣本信息的利用不充分;學(xué)習(xí)子空間方法(Leaning Subspace Method, LSM)通過(guò)旋轉(zhuǎn)子空間來(lái)拉大樣本所屬類別與最近鄰類別的距離,以此提高分類能力,但對(duì)樣本的訓(xùn)練順序敏感,同一樣本訓(xùn)練的順序不同對(duì)子空間構(gòu)造的影響就不同;平均學(xué)習(xí)子空間算法(Averaged Learning Subspace Method, ALSM)是在迭代訓(xùn)練過(guò)程中,用錯(cuò)誤分類的樣本去調(diào)整散布矩陣,訓(xùn)練結(jié)果與樣本輸入順序無(wú)關(guān),所有樣本平均參與訓(xùn)練,其不足之處是各模式的子空間之間相互獨(dú)立。針對(duì)以上問(wèn)題,本文提出一種改進(jìn)的子空間模式識(shí)別方法。子空間模式識(shí)別的基本原理1.1 子空間的分類規(guī)則子空間模式識(shí)別方法的每一類別由一個(gè)子空間表示,子空間分類器的基本分類規(guī)則是按矢量在各子空間上的投影長(zhǎng)度大小,將樣本歸類到最大長(zhǎng)度所對(duì)應(yīng)的類別,在類x()iω的子空間上投影長(zhǎng)度的平方為()211,2,,()argmax()jMTkkjpg===Σx􀀢 (1)式中 函數(shù)稱為分類函數(shù);為子空間基矢量。兩類的分類情況如圖1所示。

    標(biāo)簽: 子空間 模式 識(shí)別方法

    上傳時(shí)間: 2013-12-25

    上傳用戶:熊少鋒

  • 微電腦型盤面式異常警報(bào)電表

    特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測(cè) 交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍-1999-9999可任意規(guī)劃 具有異常值與異常次數(shù)記錄保留功能 異常信號(hào)過(guò)高或過(guò)低或范圍內(nèi)或范圍外檢測(cè)可任意設(shè)定 報(bào)警繼電器復(fù)歸方式可任意設(shè)定 尺寸小,穩(wěn)定性高 2.主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時(shí)間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動(dòng)延遲動(dòng)作時(shí)間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動(dòng)作時(shí)間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復(fù)歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動(dòng)作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過(guò)載顯示: "doFL" 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環(huán)境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 警報(bào)電表

    上傳時(shí)間: 2013-11-02

    上傳用戶:fandeshun

  • 5位數(shù)微電腦型盤面式電表(24*48mm)

    特點(diǎn): 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測(cè)交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號(hào) 顯示范圍-19999~99999可任意規(guī)劃 具有自動(dòng)歸零或保持或雙顯示功能 (optional) 小數(shù)點(diǎn)可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高

    標(biāo)簽: 24 48 mm 微電腦

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:libinxny

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