LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：zzbbqq99n
采用RISC結(jié)構(gòu)型單片機(jī)Atmega128作為微處理器，320×240點(diǎn)陣大屏幕液晶顯示器，全中文界面，讀數(shù)直觀，測量迅速，可在規(guī)程要求的測量點(diǎn)自動進(jìn)行測量。模擬線路采用電位差式測量原理，具有較高的抗電磁干擾能力和較好的穩(wěn)定性，結(jié)合微處理器技術(shù)及系統(tǒng)的引入，使該產(chǎn)品成為高智能化數(shù)字測量儀器。本產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)及檢定規(guī)格：《JJG169-93互感器校驗(yàn)儀檢定規(guī)程》、《JJG313-94測量用電流互感器檢定規(guī)程》、《GB1208-1997電流互感器》、《DL/T668-1999測量用互感器檢驗(yàn)裝置》、《DL/T448-2000電能計(jì)量裝置技術(shù)管理規(guī)程》，測量對象為0.5級及以下精度電流互感器。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：ginani
提出了一種改進(jìn)的LSM-ALSM子空間模式識別方法，將LSM的旋轉(zhuǎn)策略引入ALSM，使子空間之間互不關(guān)聯(lián)的情況得到改善，提高了ALSM對相似樣本的區(qū)分能力。討論中以性能函數(shù)代替經(jīng)驗(yàn)函數(shù)來確定拒識規(guī)則的參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了識別率、誤識率與拒識率之間的最佳平衡；通過對有限字符集的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，LSM-ALSM算法有效地改善了分類器的識別率和可靠性。關(guān) 鍵 詞 學(xué)習(xí)子空間; 性能函數(shù); 散布矩陣; 最小描述長度在子空間模式識別方法中，一個(gè)線性子空間代表一個(gè)模式類別，該子空間由反映類別本質(zhì)的一組特征矢量張成，分類器根據(jù)輸入樣本在各子空間上的投影長度將其歸為相應(yīng)的類別。典型的子空間算法有以下三種[1, 2]：CLAFIC(Class-feature Information Compression)算法以相關(guān)矩陣的部分特征向量來構(gòu)造子空間，實(shí)現(xiàn)了特征信息的壓縮，但對樣本的利用為一次性，不能根據(jù)分類結(jié)果進(jìn)行調(diào)整和學(xué)習(xí)，對樣本信息的利用不充分；學(xué)習(xí)子空間方法(Leaning Subspace Method, LSM)通過旋轉(zhuǎn)子空間來拉大樣本所屬類別與最近鄰類別的距離，以此提高分類能力，但對樣本的訓(xùn)練順序敏感，同一樣本訓(xùn)練的順序不同對子空間構(gòu)造的影響就不同；平均學(xué)習(xí)子空間算法(Averaged Learning Subspace Method, ALSM)是在迭代訓(xùn)練過程中，用錯(cuò)誤分類的樣本去調(diào)整散布矩陣，訓(xùn)練結(jié)果與樣本輸入順序無關(guān)，所有樣本平均參與訓(xùn)練，其不足之處是各模式的子空間之間相互獨(dú)立。針對以上問題，本文提出一種改進(jìn)的子空間模式識別方法。子空間模式識別的基本原理1.1 子空間的分類規(guī)則子空間模式識別方法的每一類別由一個(gè)子空間表示，子空間分類器的基本分類規(guī)則是按矢量在各子空間上的投影長度大小，將樣本歸類到最大長度所對應(yīng)的類別，在類x()iω的子空間上投影長度的平方為()211,2,,()argmax()jMTkkjpg===Σx (1)式中 函數(shù)稱為分類函數(shù)；為子空間基矢量。兩類的分類情況如圖1所示。
上傳時(shí)間： 2013-12-25
上傳用戶：熊少鋒
由輸入的正規(guī)式自動生成NFA，再轉(zhuǎn)換為DFA。再對指定的文件進(jìn)行處理。找出該文件中與正規(guī)式匹配的子串。
上傳時(shí)間： 2013-12-17
上傳用戶：Miyuki
IEC60870-5-101為兩個(gè)具有永久連接電路的主站與子站間傳輸基本遠(yuǎn)動信息提供了一套通信協(xié)議集。 在某些應(yīng)用中，可能需要在通過數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)連接的遠(yuǎn)動站之間傳輸相同類型的應(yīng)用報(bào)文，這個(gè)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)上含有中繼站，可以存儲與轉(zhuǎn)發(fā)報(bào)文，并在遠(yuǎn)動站之間提供虛電路。這種網(wǎng)絡(luò)的傳輸延時(shí)取決于網(wǎng)絡(luò)負(fù)載。 一般而言，不確定的延時(shí)意味著在遠(yuǎn)動站之間沒辦法采用定義在IEC60870-5-101中的數(shù)據(jù)鏈路層。但是，在某些情況下，還是可以使具有IEC60870-5-101全部3層的遠(yuǎn)動站，以適應(yīng)采用包裝配與拆卸類型站的數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)平衡通信的訪問。 對于其他所有情況，本標(biāo)準(zhǔn)不采用IEC60870-5-101的鏈路功能，但通過一套合適的傳輸文件集，可用來提供平衡式存取
上傳時(shí)間： 2014-01-05
上傳用戶：Thuan
在室內(nèi)環(huán)境中可結(jié)合式子母機(jī)器人系統(tǒng)，子機(jī)為一多功能平臺，可放置各種家庭所需之設(shè)備，而母機(jī)為一輪式機(jī)器人，經(jīng)由兩者的結(jié)合，可提供高機(jī)動性與多功能的服務(wù)。在結(jié)合的技術(shù)面，傳統(tǒng)的吸塵器機(jī)器人與充電站之間的導(dǎo)航系統(tǒng)使用紅外線感測作為依據(jù)，當(dāng)兩者間有障礙物阻擋時(shí)，紅外線感測器導(dǎo)航系統(tǒng)將會失效。因此本系統(tǒng)利用聲源方向做為機(jī)器人決定移動方向的依據(jù)，由於聲波傳遞的特性，即使在有障礙物的情況下，依然可以有效地偵測。此外，在移動的過程中，本系統(tǒng)利用光流偵測法判斷是否遭遇障礙物或是利用Support Vector Machine分類判斷與聲源之間為是否有障礙物的阻隔；若發(fā)現(xiàn)前方有障礙物，則啟動避障策略，用有效的方式繼續(xù)往目標(biāo)移動。最後，當(dāng)母機(jī)接近子機(jī)時(shí)，可根據(jù)多種紅外線感測器資訊進(jìn)行子母機(jī)器人的結(jié)合，結(jié)合成功後，母機(jī)將可搭載子機(jī)成為一自由行動之機(jī)器人。
標(biāo)簽： 系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-12-19
上傳用戶：mhp0114
本文是以數(shù)位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開發(fā)，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個(gè)部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅(qū)動裝置, RS232 除了可以與PC聯(lián)絡(luò)外也可以與具有CPU的熱能驅(qū)動器做命令傳輸。在計(jì)畫中分析現(xiàn)有工業(yè)用加熱驅(qū)動裝置和溫度曲線的關(guān)係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉(zhuǎn)換程式、I/O介面及通訊協(xié)定相關(guān)程式。在控制法則上，提出一個(gè)新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯(cuò)的控制結(jié)果。
標(biāo)簽： Processor Digital Singal DSP
上傳時(shí)間： 2013-12-24
上傳用戶：zjf3110
Virtex™ -5 系列提供 FPGA 市場中最新最強(qiáng)大的功能。Virtex-5 系列采用第二代 ASMBL™ （高級硅片組合模塊）列式架構(gòu)， 包含四種截然不同的平臺（子系列），比此前任何 FPGA 系列提供的選擇范圍都大。每種平臺都包含不同的功能配比，以滿 足諸多高級邏輯設(shè)計(jì)的需求。
標(biāo)簽： Virtex 8482 ASMBL FPGA
上傳時(shí)間： 2017-04-03
上傳用戶：myworkpost
鏈?zhǔn)疥?duì)列的存儲結(jié)構(gòu)以及功能實(shí)現(xiàn)，有QueueTraverse(),EnQueue(),DeQueue()等子函數(shù)。
標(biāo)簽： 存儲結(jié)構(gòu) 隊(duì)列
上傳時(shí)間： 2017-09-01
上傳用戶：爺?shù)臍赓|(zhì)
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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