在越來(lái)越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中,超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一,在該電路中,如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障,則接入一個(gè)後備電源,用於給負(fù)載供電
標(biāo)簽: 電源故障保護(hù) 后備電池 超級(jí)電容器
上傳時(shí)間: 2014-01-08
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PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽: chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間: 2013-11-08
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用七個(gè)led小燈模擬骰子
上傳時(shí)間: 2013-11-16
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提出了一種改進(jìn)的LSM-ALSM子空間模式識(shí)別方法,將LSM的旋轉(zhuǎn)策略引入ALSM,使子空間之間互不關(guān)聯(lián)的情況得到改善,提高了ALSM對(duì)相似樣本的區(qū)分能力。討論中以性能函數(shù)代替經(jīng)驗(yàn)函數(shù)來(lái)確定拒識(shí)規(guī)則的參數(shù),實(shí)現(xiàn)了識(shí)別率、誤識(shí)率與拒識(shí)率之間的最佳平衡;通過(guò)對(duì)有限字符集的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,LSM-ALSM算法有效地改善了分類器的識(shí)別率和可靠性。關(guān) 鍵 詞 學(xué)習(xí)子空間; 性能函數(shù); 散布矩陣; 最小描述長(zhǎng)度在子空間模式識(shí)別方法中,一個(gè)線性子空間代表一個(gè)模式類別,該子空間由反映類別本質(zhì)的一組特征矢量張成,分類器根據(jù)輸入樣本在各子空間上的投影長(zhǎng)度將其歸為相應(yīng)的類別。典型的子空間算法有以下三種[1, 2]:CLAFIC(Class-feature Information Compression)算法以相關(guān)矩陣的部分特征向量來(lái)構(gòu)造子空間,實(shí)現(xiàn)了特征信息的壓縮,但對(duì)樣本的利用為一次性,不能根據(jù)分類結(jié)果進(jìn)行調(diào)整和學(xué)習(xí),對(duì)樣本信息的利用不充分;學(xué)習(xí)子空間方法(Leaning Subspace Method, LSM)通過(guò)旋轉(zhuǎn)子空間來(lái)拉大樣本所屬類別與最近鄰類別的距離,以此提高分類能力,但對(duì)樣本的訓(xùn)練順序敏感,同一樣本訓(xùn)練的順序不同對(duì)子空間構(gòu)造的影響就不同;平均學(xué)習(xí)子空間算法(Averaged Learning Subspace Method, ALSM)是在迭代訓(xùn)練過(guò)程中,用錯(cuò)誤分類的樣本去調(diào)整散布矩陣,訓(xùn)練結(jié)果與樣本輸入順序無(wú)關(guān),所有樣本平均參與訓(xùn)練,其不足之處是各模式的子空間之間相互獨(dú)立。針對(duì)以上問(wèn)題,本文提出一種改進(jìn)的子空間模式識(shí)別方法。子空間模式識(shí)別的基本原理1.1 子空間的分類規(guī)則子空間模式識(shí)別方法的每一類別由一個(gè)子空間表示,子空間分類器的基本分類規(guī)則是按矢量在各子空間上的投影長(zhǎng)度大小,將樣本歸類到最大長(zhǎng)度所對(duì)應(yīng)的類別,在類x()iω的子空間上投影長(zhǎng)度的平方為()211,2,,()argmax()jMTkkjpg===Σx (1)式中 函數(shù)稱為分類函數(shù);為子空間基矢量。兩類的分類情況如圖1所示。
上傳時(shí)間: 2013-12-25
上傳用戶:熊少鋒
☻本單元主要介紹OTNM2000網(wǎng)管上使用WDM/OTN子網(wǎng)業(yè)務(wù)管理界面進(jìn)行業(yè)務(wù)配置的方法以及注意事項(xiàng)。 ☻學(xué)完本單元后,您應(yīng)該能: l了解OTN子網(wǎng)交叉的功能和使用方法 l了解配置業(yè)務(wù)和保護(hù)的方法和配置規(guī)則
標(biāo)簽: OTN 設(shè)備 子網(wǎng)交叉
上傳時(shí)間: 2013-11-07
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間: 2013-11-04
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我以前寫(xiě)的過(guò)濾某窗口及其子窗口的WM_TIMER消息從而破解軟件使用時(shí)間限制的例子
標(biāo)簽: WM_TIMER 窗口 破解 時(shí)間限制
上傳時(shí)間: 2014-11-29
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波子瀏覽器,一個(gè)功能比較全的個(gè)人瀏覽器,界面可以作為參考,IE的編程也可以作為參考
標(biāo)簽: 瀏覽器
上傳時(shí)間: 2015-01-05
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完整的子網(wǎng)掃描程序本機(jī)和遠(yuǎn)程機(jī)器的端口掃瞄
標(biāo)簽: 子網(wǎng) 掃描程序 遠(yuǎn)程 機(jī)器
上傳時(shí)間: 2014-10-13
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log算子進(jìn)行邊緣檢測(cè)的實(shí)現(xiàn)
上傳時(shí)間: 2014-01-07
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