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電容<b>電感</b>

采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動(dòng)器

LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動(dòng)器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

標(biāo)簽： 4mmX4mm QFN LCD LED

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶：zzbbqq99n
透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

標(biāo)簽： 輸入電容電流

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung
MSP430系列flash型超低功耗16位單片機(jī)

MSP430系列flash型超低功耗16位單片機(jī)MSP430系列單片機(jī)在超低功耗和功能集成等方面有明顯的特點(diǎn)。該系列單片機(jī)自問世以來(lái)，頗受用戶關(guān)注。在2000年該系列單片機(jī)又出現(xiàn)了幾個(gè)FLASH型的成員，它們除了仍然具備適合應(yīng)用在自動(dòng)信號(hào)采集系統(tǒng)、電池供電便攜式裝置、超長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作的設(shè)備等領(lǐng)域的特點(diǎn)外，更具有開發(fā)方便、可以現(xiàn)場(chǎng)編程等優(yōu)點(diǎn)。這些技術(shù)特點(diǎn)正是應(yīng)用工程師特別感興趣的。《MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機(jī)》對(duì)該系列單片機(jī)的FLASH型成員的原理、結(jié)構(gòu)、內(nèi)部各功能模塊及開發(fā)方法與工具作詳細(xì)介紹。MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機(jī) 目錄第1章引論1.1 MSP430系列單片機(jī)1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章結(jié)構(gòu)概述2.1 引言2.2 CPU2.3 程序存儲(chǔ)器2.4 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器2.5 運(yùn)行控制2.6 外圍模塊2.7 振蕩器與時(shí)鐘發(fā)生器第3章系統(tǒng)復(fù)位、中斷及工作模式3.1 系統(tǒng)復(fù)位和初始化3.1.1 引言3.1.2 系統(tǒng)復(fù)位后的設(shè)備初始化3.2 中斷系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.3 MSP430 中斷優(yōu)先級(jí)3.3.1 中斷操作--復(fù)位/NMI3.3.2 中斷操作--振蕩器失效控制3.4 中斷處理 3.4.1 SFR中的中斷控制位3.4.2 中斷向量地址3.4.3 外部中斷3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1（LPM0和LPM1）3.5.2 低功耗模式2、3（LPM2和LPM3）3.5.3 低功耗模式4（LPM4）22 3.6 低功耗應(yīng)用的要點(diǎn)23第4章存儲(chǔ)空間4.1 引言4.2 存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)4.3 片內(nèi)ROM組織4.3.1 ROM 表的處理4.3.2 計(jì)算分支跳轉(zhuǎn)和子程序調(diào)用4.4 RAM 和外圍模塊組織4.4.1 RAM4.4.2 外圍模塊--地址定位4.4.3 外圍模塊--SFR4.5 FLASH存儲(chǔ)器4.5.1 FLASH存儲(chǔ)器的組織4.5.2 FALSH存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)4.5.3 FLASH存儲(chǔ)器的控制寄存器4.5.4 FLASH存儲(chǔ)器的安全鍵值與中斷4.5.5 經(jīng)JTAG接口訪問FLASH存儲(chǔ)器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計(jì)數(shù)器PC5.1.2 系統(tǒng)堆棧指針SP5.1.3 狀態(tài)寄存器SR5.1.4 常數(shù)發(fā)生寄存器CG1和CG25.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號(hào)模式5.2.4 絕對(duì)模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時(shí)鐘周期與長(zhǎng)度5.3 指令組概述5.3.1 雙操作數(shù)指令5.3.2 單操作數(shù)指令5.3.3 條件跳轉(zhuǎn)5.3.4 模擬指令的簡(jiǎn)短格式5.3.5 其他指令第6章硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 無(wú)符號(hào)數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符號(hào)數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 無(wú)符號(hào)數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符號(hào)數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 尋址模式6.4.2 中斷程序6.4.3 MACS第7章基礎(chǔ)時(shí)鐘模塊7.1 基礎(chǔ)時(shí)鐘模塊7.2 LFXT1與XT27.2.1 LFXT1振蕩器7.2.2 XT2振蕩器7.2.3 振蕩器失效檢測(cè)7.2.4 XT振蕩器失效時(shí)的DCO7.3 DCO振蕩器7.3.1 DCO振蕩器的特性7.3.2 DCO調(diào)整器7.4 時(shí)鐘與運(yùn)行模式7.4.1 由PUC啟動(dòng)7.4.2 基礎(chǔ)時(shí)鐘調(diào)整7.4.3 用于低功耗的基礎(chǔ)時(shí)鐘特性7.4.4 選擇晶振產(chǎn)生MCLK7.4.5 時(shí)鐘信號(hào)的同步7.5 基礎(chǔ)時(shí)鐘模塊控制寄存器7.5.1 DCO時(shí)鐘頻率控制7.5.2 振蕩器與時(shí)鐘控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章輸入輸出端口8.1 引言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口邏輯第9章看門狗定時(shí)器WDT9.1 看門狗定時(shí)器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中斷控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定時(shí)器Timer_A10.1 引言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定時(shí)器模式控制10.2.2 時(shí)鐘源選擇和分頻10.2.3 定時(shí)器啟動(dòng)10.3 定時(shí)器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增計(jì)數(shù)模式10.3.3 連續(xù)模式10.3.4 增/減計(jì)數(shù)模式10.4 捕獲/比較模塊10.4.1 捕獲模式10.4.2 比較模式10.5 輸出單元10.5.1 輸出模式10.5.2 輸出控制模塊10.5.3 輸出舉例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中斷向量寄存器10.7 Timer_A的UART應(yīng)用第11章 16位定時(shí)器Timer_B11.1 引言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定時(shí)器長(zhǎng)度11.2.2 定時(shí)器模式控制11.2.3 時(shí)鐘源選擇和分頻11.2.4 定時(shí)器啟動(dòng)11.3 定時(shí)器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增計(jì)數(shù)模式11.3.3 連續(xù)模式11.3.4 增/減計(jì)數(shù)模式11.4 捕獲/比較模塊11.4.1 捕獲模式11.4.2 比較模式11.5 輸出單元11.5.1 輸出模式11.5.2 輸出控制模塊11.5.3 輸出舉例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中斷向量寄存器第12章 USART通信模塊的UART功能12.1 異步模式12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發(fā)生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多機(jī)模式12.1.5 地址位多機(jī)通信格式12.2 中斷和中斷允許12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發(fā)送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發(fā)送中斷操作12.3 控制和狀態(tài)寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調(diào)整控制寄存器12.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF12.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF12.4 UART模式，低功耗模式應(yīng)用特性12.4.1 由UART幀啟動(dòng)接收操作12.4.2 時(shí)鐘頻率的充分利用與UART的波特率12.4.3 多處理機(jī)模式對(duì)節(jié)約MSP430資源的支持12.5 波特率計(jì)算第13章 USART通信模塊的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的從模式13.2 中斷與控制功能 13.2.1 USART接收/發(fā)送允許位及接收操作13.2.2 USART接收/發(fā)送允許位及發(fā)送操作13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發(fā)送中斷操作13.3 控制與狀態(tài)寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器13.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF13.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF第14章比較器Comparator_A14.1 概述14.2 比較器A原理14.2.1 輸入模擬開關(guān)14.2.2 輸入多路切換14.2.3 比較器14.2.4 輸出濾波器14.2.5 參考電平發(fā)生器14.2.6 比較器A中斷電路14.3 比較器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比較器A應(yīng)用14.4.1 模擬信號(hào)在數(shù)字端口的輸入14.4.2 比較器A測(cè)量電阻元件14.4.3 兩個(gè)獨(dú)立電阻元件的測(cè)量系統(tǒng)14.4.4 比較器A檢測(cè)電流或電壓14.4.5 比較器A測(cè)量電流或電壓14.4.6 測(cè)量比較器A的偏壓14.4.7 比較器A的偏壓補(bǔ)償14.4.8 增加比較器A的回差第15章模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1215.1 概述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC內(nèi)核15.2.2 參考電平15.3 模擬輸入與多路切換15.3.1 模擬多路切換15.3.2 輸入信號(hào)15.3.3 熱敏二極管的使用15.4 轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)15.5 轉(zhuǎn)換模式15.5.1 單通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.2 序列通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.3 單通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.4 序列通道重復(fù)轉(zhuǎn)換模式15.5.5 轉(zhuǎn)換模式之間的切換15.5.6 低功耗15.6 轉(zhuǎn)換時(shí)鐘與轉(zhuǎn)換速度15.7 采樣15.7.1 采樣操作15.7.2 采樣信號(hào)輸入選擇15.7.3 采樣模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采樣時(shí)序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中斷標(biāo)志寄存器ADC12IFG.x和中斷允許寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中斷向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地與降噪第16章 FLASH型芯片的開發(fā)16.1 開發(fā)系統(tǒng)概述16.1.1 開發(fā)技術(shù)16.1.2 MSP430系列的開發(fā)16.1.3 MSP430F系列的開發(fā)16.2 FLASH型的FET開發(fā)方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 標(biāo)準(zhǔn)復(fù)位過(guò)程和進(jìn)入BSL過(guò)程16.3.2 BSL的UART協(xié)議16.3.3 數(shù)據(jù)格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保護(hù)口令16.3.6 BSL的內(nèi)部設(shè)置和資源附錄A 尋址空間附錄B 指令說(shuō)明B.1 指令匯總B.2 指令格式B.3 不增加ROM開銷的模擬指令B.4 指令說(shuō)明（字母順序）B.5 用幾條指令模擬的宏指令附錄C MSP430系列單片機(jī)參數(shù)表附錄D MSP430系列單片機(jī)封裝形式附錄E MSP430系列器件命名

標(biāo)簽： flash MSP 430 超低功耗

上傳時(shí)間： 2014-04-28

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一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》

一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》，彩色版。其摘要為：本論文討論使用於無(wú)線射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作，初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能，設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定，而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計(jì)、晶片量測(cè)、結(jié)論。電路的初步設(shè)計(jì)功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯(cuò)誤偵測(cè)編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能，最後完成晶片的實(shí)作。

標(biāo)簽： 大學(xué) 論文無(wú)線射頻

上傳時(shí)間： 2016-08-27

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關(guān)於一些面板的介紹

關(guān)於一些面板的介紹，包括音波式面板、電阻式面板、電容式面板等資料。

標(biāo)簽： 面板

上傳時(shí)間： 2013-12-07

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VK3602K 2 KEYS 電容式觸摸按鍵應(yīng)用電路簡(jiǎn)單高抗干擾雙邏輯控制輸出

概述 VK3602K 是一款兩觸摸通道帶兩個(gè)邏輯控制輸出的電容式觸摸芯片。具有如下功能特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：可通過(guò)觸摸實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡(jiǎn)單、方便實(shí)用。可在有介質(zhì)（如玻璃、亞克力、塑料、陶瓷等）隔離保護(hù)的情況下實(shí)現(xiàn)觸摸功能，安全性高。應(yīng)用電壓范圍寬，可在2.4~5.5V之間任意選擇。應(yīng)用電路簡(jiǎn)單，外圍器件少，加工方便，成本低。抗電源干擾及手機(jī)干擾特性好。EFT可以達(dá)到±2KV以上；近距離、多角度手機(jī)干擾情況下，觸摸響應(yīng)靈敏度及可靠性不受影響。特性 LO1與LO2在上電后的初始輸出狀態(tài)由上電前OSC的輸入狀態(tài)決定。OSC管腳接VDD（高電平）上電，上電后LO1與LO2輸出高電平；OSC管腳接GND（低電平）上電，上電后LO1與LO2輸出低電平。 TI1觸摸輸入對(duì)應(yīng)LO1邏輯輸出，TI2觸摸輸入對(duì)應(yīng)LO2邏輯輸出。按住TI1或TI2，對(duì)應(yīng)LO1或LO2的輸出狀態(tài)翻轉(zhuǎn)；松開后回復(fù)初始狀態(tài)。

標(biāo)簽： 抗電源干擾及手機(jī)干擾特性好可通過(guò)觸摸實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡(jiǎn)單、方便實(shí)用。

上傳時(shí)間： 2020-02-25

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恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片 NU510 PWM調(diào)光雙色溫應(yīng)用詳解

臺(tái)灣數(shù)能NU510ES是一款低壓線性恒流驅(qū)動(dòng)芯片，高達(dá)30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調(diào)節(jié)電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應(yīng)用場(chǎng)景如下：一般 LED 照明 LCD 背光商業(yè)照明燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉(zhuǎn)向流星燈備註：雙色溫調(diào)光調(diào)色主要是通過(guò)改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時(shí)間延時(shí)不同。多顆電容順序增大，就能產(chǎn)流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。

標(biāo)簽： led 驅(qū)動(dòng)芯片 nu510

上傳時(shí)間： 2022-01-07

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最新FPC生產(chǎn)流程介紹

SMT（Surface mount technology）是可在“板面上”滿及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術(shù).侵貼：1.可在板上雨成同特焊接，封裝密度提高50~70%.WW2.l短，提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化，快速，成本低.1.表面貼裝零件SOIC（small outline integrate circle）RESISTANCE（電阻）CAPACITANCE（電容）AMPLCC（plastic leaded chip carriers）CONNECT etc.（結(jié)器）封裝材料1.）陶瓷（BeO）：精度高，密封度高（CTE：5～7PPM/℃）封板子熟膨服要求高2.）聚硫胺醚（Polyetherimide）：一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖，機(jī)械，電子性能侵良AwIR各波皆敏感，易分解，生“酸泡”現(xiàn)象.3.）熔融矽砂（Fused silica），暖氧橫脂

標(biāo)簽： fpc

上傳時(shí)間： 2022-07-27

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可重構(gòu)FPGA通訊糾錯(cuò)進(jìn)化電路及其實(shí)現(xiàn)

ASIC對(duì)產(chǎn)品成本和靈活性有一定的要求.基于MCU方式的ASIC具有較高的靈活性和較低的成本,然而抗干擾性和可靠性相對(duì)較低,運(yùn)算速度也受到限制.常規(guī)ASIC的硬件具有速度優(yōu)勢(shì)和較高的可靠性及抗干擾能力,然而不是靈活性較差,就是成本較高.與傳統(tǒng)硬件(CHW)相比,具有一定可配置特性的場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)的出現(xiàn),使建立在可再配置硬件基礎(chǔ)上的進(jìn)化硬件(EHW)成為智能硬件電路設(shè)計(jì)的一種新方法.作為進(jìn)化算法和可編程器件技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物,可重構(gòu)FPGA的研究屬于EHW的研究范疇,是研究EHW的一種具體的實(shí)現(xiàn)方法.論文認(rèn)為面向分類的專用類可重構(gòu)FPGA(ASR-FPGA)的研究,可使可重構(gòu)電路粒度劃分的針對(duì)性更強(qiáng)、設(shè)計(jì)更易實(shí)現(xiàn).論文研究的可重構(gòu)FPGA的BCH通訊糾錯(cuò)碼進(jìn)化電路是一類ASR-FPGA電路的具體方法,具有一定的實(shí)用價(jià)值.論文所做的工作主要包括:(1)BCH編譯碼電路的設(shè)計(jì)——求取實(shí)驗(yàn)用BCH碼的生成多項(xiàng)式和校驗(yàn)多項(xiàng)式及其相應(yīng)的矩陣并構(gòu)造實(shí)驗(yàn)用BCH碼;(2)建立基于可重構(gòu)FPGA的基核——構(gòu)造具有可重構(gòu)特性的硬件功能單元,以此作為可重構(gòu)BCH碼電路的設(shè)計(jì)基礎(chǔ);(3)構(gòu)造實(shí)現(xiàn)可重構(gòu)BCH糾錯(cuò)碼電路的方法——建立可重構(gòu)糾錯(cuò)碼硬件電路算法并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證;(4)在可重構(gòu)糾錯(cuò)碼電路基礎(chǔ)上,構(gòu)造進(jìn)化硬件控制功能塊的結(jié)構(gòu),完成各進(jìn)化RLA控制模塊的驗(yàn)證和實(shí)現(xiàn).課題是將可重構(gòu)BCH碼的編譯碼電路的實(shí)現(xiàn)作為一類ASR-FPGA的研究目標(biāo),主要成果是根據(jù)可編程邏輯電路的特點(diǎn),選擇一種可編程樹的電路模型,并將它作為可重構(gòu)FPGA電路的基核T;通過(guò)對(duì)循環(huán)BCH糾錯(cuò)碼的構(gòu)造原理和電路結(jié)構(gòu)的研究,將基核模型擴(kuò)展為能滿足糾錯(cuò)碼電路需要的糾錯(cuò)碼基本功能單元T;以T作為再劃分的基本單元,對(duì)FPGA進(jìn)行"格式化",使T規(guī)則排列在FPGA上,通過(guò)對(duì)T的控制端的不同配置來(lái)實(shí)現(xiàn)糾錯(cuò)碼的各個(gè)功能單元;在可重構(gòu)基核的基礎(chǔ)上提出了糾錯(cuò)碼重構(gòu)電路的嵌套式GA理論模型,將嵌套式GA的染色體串作為進(jìn)化硬件描述語(yǔ)言,通過(guò)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的VHDL語(yǔ)言描述以實(shí)現(xiàn)硬件電路;采用RLA模型的有限狀態(tài)機(jī)FSM方式實(shí)現(xiàn)了可重構(gòu)糾錯(cuò)碼電路的EHW的各個(gè)控制功能塊.在實(shí)驗(yàn)方面,利用Xilinx FPGA開發(fā)系統(tǒng)中的VHDL語(yǔ)言和電路圖相結(jié)合的設(shè)計(jì)方法建立了循環(huán)糾錯(cuò)碼基核單元的可重構(gòu)模型,進(jìn)行循環(huán)糾錯(cuò)BCH碼的電路和功能仿真,在Xilinx公司的Virtex600E芯片進(jìn)行了FPGA實(shí)現(xiàn).課題在研究模型上選取的是比較基本的BCH糾錯(cuò)碼電路,立足于解決基于可重構(gòu)FPGA核的設(shè)計(jì)的基本問題.課題的研究成果及其總結(jié)的一套ASR-FPGA進(jìn)化硬件電路的設(shè)計(jì)方法對(duì)實(shí)際的進(jìn)化硬件設(shè)計(jì)具有一定的實(shí)際指導(dǎo)意義,提出的基于專用類基核FPGA電路結(jié)構(gòu)的研究方法為新型進(jìn)化硬件的器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)也可提供一種借鑒.

標(biāo)簽： FPGA 可重構(gòu) 通訊糾錯(cuò)

上傳時(shí)間： 2013-07-01

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