QFN SMT工藝設(shè)計指導(dǎo).pdf 一、基本介紹 QFN（Quad Flat No Lead）是一種相對比較新的IC封裝形式，但由于其獨(dú)特的優(yōu)勢，其應(yīng)用得到了快速的增長。QFN是一種無引腳封裝，它有利于降低引腳間的自感應(yīng)系數(shù)，在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢明顯。QFN外觀呈正方形或矩形，大小接近于CSP，所以很薄很輕。元件底部具有與底面水平的焊端，在中央有一個大面積裸露焊端用來導(dǎo)熱，圍繞大焊端的外圍四周有實現(xiàn)電氣連接的I/O焊端，I/O焊端有兩種類型：一種只裸露出元件底部的一面，其它部分被封裝在元件內(nèi)；另一種焊端有裸露在元件側(cè)面的部分。 QFN采用周邊引腳方式使PCB布線更靈活，中央裸露的銅焊端提供了良好的導(dǎo)熱性能和電性能。這些特點(diǎn)使QFN在某些對體積、重量、熱性能、電性能要求高的電子產(chǎn)品中得到了重用。 由于QFN是一種較新的IC封裝形式，IPC-SM-782等PCB設(shè)計指南上都未包含相關(guān)內(nèi)容，本文可以幫助指導(dǎo)用戶進(jìn)行QFN的焊盤設(shè)計和生產(chǎn)工藝設(shè)計。但需要說明的是本文只是提供一些基本知識供參考，用戶需要在實際生產(chǎn)中不斷積累經(jīng)驗，優(yōu)化焊盤設(shè)計和生產(chǎn)工藝設(shè)計方案，以取得令人滿意的焊接效果
標(biāo)簽： QFN SMT 工藝 設(shè)計指導(dǎo)
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：吳之波123
利用OpenGL、VC++編寫的C++，三維點(diǎn)云處理程序，對于學(xué)習(xí)圖形學(xué)、C++、OpenGL、文件讀寫很有幫助，是一個三維軟件公司編寫代碼一部分，尤其是OpenGL庫文件相當(dāng)管用。 有兩個數(shù)據(jù)文件 鼠標(biāo)默認(rèn)操作：具體還在頭文件中 中鍵拖動 旋轉(zhuǎn) 中鍵＋Ctrl 平移 中鍵＋Shift 面旋 滾輪滾動 縮放 中鍵＋Ctrl ＋ Shift 局部放大
標(biāo)簽： 處理程序
上傳時間： 2013-06-03
上傳用戶：木末花開
想應(yīng)聘電氣工程師的tx們面試或許能用上哦
上傳時間： 2013-06-12
上傳用戶：tgeyangjh
Protel 99 采用全新的管理方式，即數(shù)據(jù)庫的管理方式。Protel 99 是在桌 面環(huán)境下第一個以獨(dú)特的設(shè)計管理和團(tuán)隊合作技術(shù)為核心的全方位的印制板設(shè) 計系統(tǒng)。所有Protel 99 設(shè)計文件都被存儲在唯一的綜合設(shè)計數(shù)據(jù)庫中，并顯示 在唯一的綜合設(shè)計編輯窗口。Protel 99 軟件沿襲了Protel 以前版本方便易學(xué)的 特點(diǎn)，內(nèi)部界面與Protel 98 大體相同，新增加了一些功能模塊。Protel 公司引 進(jìn)了德國INCASES 公司的先進(jìn)技術(shù)，在Protel99 中集成了信號完整性工具，精 確的模型和板分析，幫助你在設(shè)計周期里利用信號完整性分析可獲得一次性成 功和消除盲目性。Protel99 容易使用的特性就是新的“這是什么”幫助。按下 任何對話框右上角的小問號，然后選擇你所要的信息。現(xiàn)在可以很快地看到特 性的功能，然后用到設(shè)計中，按下狀態(tài)欄末端的按鈕，使用自然語言幫助顧問。
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：zhang469965156
微軟等數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)算法面試100題全部答案集錦 找工作的朋友們，可以下載來看看，全部都是經(jīng)典面試題。
標(biāo)簽： 100 微軟 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) 算法
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：songnanhua
Q01、如何使一條走線至兩個不同位置零件的距離相同? 您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的規(guī)則中來新增規(guī)則設(shè)定,最 后再用Tools/EqualizeNet Lengths 來等長化即可。 Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的屬性，如何決定是Passive, Input, I/O, Hi- Z,Power,…..？在HELP中能找到說明嗎？市面有關(guān) SIM？PLD？的書嗎？或貴公司有講義？ 你可在零件庫自制零件時點(diǎn)選零件Pin腳,并在Electrical Type里,可以自行設(shè)定PIN的 屬性,您可參考臺科大的Protel sch 99se 里 面有介紹關(guān)于SIM的內(nèi)容。 Q03、請問各位業(yè)界前輩,如何能順利讀取pcad8.6版的線路圖,煩請告知 Protel 99SE只能讀取P-CAD 2000的ASCII檔案格式,所以你必須先將P-CAD8.6版的格式 轉(zhuǎn)為P-CAD 2000的檔案格式,才能讓Protel讀取。
標(biāo)簽： Protel
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：daxigua
15.2 已經(jīng)加入了有關(guān)貫孔及銲點(diǎn)的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets 下的 DRC 選項. 點(diǎn)選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄.
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：王慶才
囊括了模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)、單片機(jī)原理、MCU、DSP等專業(yè)知識，同時搜集了各大名企的面試真題。
上傳時間： 2013-12-18
上傳用戶：劉江林1420
對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個PN結(jié)，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
氛及其子體的能譜測量中常用到鈍化離子注人硅探測器或金硅面壘探測器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導(dǎo)體探測器的電荷靈敏放大器的實例，它由電荷靈敏級和電壓放大級構(gòu)成。給出了它的設(shè)計思想和調(diào)試過程。介紹了測試手段并測試了它的技術(shù)指標(biāo)，說明了應(yīng)用場合。
標(biāo)簽： 硅半導(dǎo)體 探測器 電荷靈敏 放大器
上傳時間： 2014-12-23
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