日韩成人动漫,色天下一区二区三区,婷婷激情一区

顯示裝置

LM3S系列ADC例程內(nèi)置的溫度傳感器

LM3S系列ADC例程：內(nèi)置的溫度傳感器

標(biāo)簽： LM3S ADC 內(nèi)置溫度傳感器

上傳時(shí)間： 2013-04-24

上傳用戶：qunquan
基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和灰色理論的示功圖故障診斷

　　抽油井故障診斷系統(tǒng)是油井系統(tǒng)產(chǎn)量的關(guān)鍵，為了更好更快地對當(dāng)前油井系統(tǒng)進(jìn)行診斷以保證石油的產(chǎn)量，人們利用各種各樣的技術(shù)來完成這一目標(biāo)。示功圖的診斷法是油田有桿抽油診斷的主要方法，文章根據(jù)示功圖診斷的特點(diǎn)，提取出灰度矩陣特征向量，運(yùn)用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對有桿抽油油田典型故障診斷進(jìn)行建模，最后用實(shí)例驗(yàn)證了此方法的正確性。實(shí)驗(yàn)證明，本系統(tǒng)不僅可行性好，而且故障識(shí)別率高，對增加油井產(chǎn)量有重要意義。

標(biāo)簽： BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 灰色理論故障診斷

上傳時(shí)間： 2013-10-17

上傳用戶：alex wang
DN463 - 將您的微控制器ADC升級至真正的12位性能

LTC®2366 及其較慢速的版本提供了一種高性能的替代方案，如表 1 中的 AC 規(guī)格所示。您不妨將這些有保證的規(guī)格與自己現(xiàn)用微控制器內(nèi)置的 ADC 進(jìn)行一番比較。

標(biāo)簽： 463 ADC DN 微控制器

上傳時(shí)間： 2013-11-20

上傳用戶：15527161163
iSensor IMU快速入門指南和偏置優(yōu)化技巧

iSensor IMU快速入門指南和偏置優(yōu)化技巧

標(biāo)簽： iSensor IMU 快速入門

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶：小草123
AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線的低噪聲放大器

AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線的低噪聲放_(tái)大器

標(biāo)簽： EZ-FM 5007 0.95 CN_V

上傳時(shí)間： 2014-01-14

上傳用戶：xiaowei314
CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。

標(biāo)簽： CMOS 工藝共源共柵偏置電路

上傳時(shí)間： 2013-10-08

上傳用戶：debuchangshi
BGA焊球重置工藝

BGA焊球重置工藝

標(biāo)簽： BGA 焊球重置工藝

上傳時(shí)間： 2013-11-01

上傳用戶：avensy
PCB LAYOUT設(shè)計(jì)規(guī)范手冊

　　PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: 　　(1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時(shí)必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時(shí)無法生產(chǎn). 　　(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. 　　(3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. 　　(4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時(shí)是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時(shí)能顧慮製造的需求, 提高自動(dòng)置件的比例.

標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范

上傳時(shí)間： 2013-10-28

上傳用戶：zhtzht
磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)，磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求，必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制）轉(zhuǎn)換時(shí)期，日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

標(biāo)簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：7891
內(nèi)置EEPROM的電壓監(jiān)控器電路設(shè)計(jì)與選型指南

安森美半導(dǎo)體公司為用戶提供了一種內(nèi)置E2PROM的復(fù)位監(jiān)控器件，該類器件不但可以滿足用戶對數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和復(fù)位監(jiān)控器的需求，而且該類芯片采用硬件數(shù)據(jù)保護(hù)設(shè)計(jì)，解決了長期困擾串行E2PROM的有關(guān)數(shù)據(jù)出錯(cuò)的問題。加之該類產(chǎn)品體積小、性價(jià)比高的優(yōu)點(diǎn)，深受廣大工程師的歡迎。下文將介紹安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的內(nèi)置E2PROM的復(fù)位監(jiān)控器的基本功能和電路設(shè)計(jì)方法。

標(biāo)簽： EEPROM 內(nèi)置電壓監(jiān)控器電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：lty6899826