推薦給大家一個高精度的電流檢測芯片希望你們可以用到
上傳時間： 2014-01-19
上傳用戶：sjw920325
在傳統正溫度系數電流基礎上,增加兩種不同材料的電阻以實現帶隙基準的二階溫度補償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運算放大器,使得所設計的帶隙基準電路,具有較高的精度和溫度穩定性。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：604759954
高的工作電壓高達100V N雙N溝道MOSFET同步驅動 The D810DCDC is a synchronous step-down switching regulator controller that can directly step-down voltages from up to 100V, making it ideal for telecom and automotive applications. The D810DCDC uses a constant on-time valley current control architecture to deliver very low duty cycles with accurate cycle-by-cycle current limit, without requiring a sense resistor. A precise internal reference provides 0.5% DC accuracy. A high bandwidth (25MHz) error amplifi er provides very fast line and load transient response. Large 1Ω gate drivers allow the D810DCDC to drive multiple MOSFETs for higher current applications. The operating frequency is selected by an external resistor and is compensated for variations in VIN and can also be synchronized to an external clock for switching-noise sensitive applications. Integrated bias control generates gate drive power from the input supply during start-up and when an output shortcircuit occurs, with the addition of a small external SOT23 MOSFET. When in regulation, power is derived from the output for higher effi ciency.
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：wd450412225
介紹了一款輸入級采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的額定輸出功率為, 如果提高輸出級電源電壓, 還可在不變動電路條件下, 把輸出功率提高到, 可以滿足一些對功率要求比較高的發燒友需要。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：zhaiye
LTC3803-5是Linear公司的工作在–55℃ 到150℃的固定頻率恒流模式的反激電源控制器,最適合用來驅動高輸入電壓的N-MOSFET.工作電壓可低至5V,輸出電壓精度可達±1.5%,靜態電流僅為240uA,主要用在42V和12V汽車電源,通信電源,以太網供電(POE),輔助電源等.本文介紹了LTC3803-5主要特性, 方框圖和多種應用電路.
上傳時間： 2014-04-30
上傳用戶：chongcongying
該系統采用TI 公司專用APFC 整流控制芯片UCC28019 作為控制核心，構成電壓外環和電流內環的雙環控制，構建了有源功率因數校正（APFC）的高功率因數整流電源。其中，電流內環作用是使網側交流輸入電流跟蹤電網電壓的波形與相位；電壓外環為輸出直流電壓控制環，外環電壓調節器的輸出控制內環電流調節器的增益，使輸出直流電壓穩定。系統采用ATmega16單片機進行監控，完成輸出電壓的可調以及相關測量參數顯示功能,系統通過ATmega16單片機以及其外圍器件實現系統功率因數、輸出電壓、電流的實時測量、人機交互、輸出過流保護等功能。實際測試表明，采用UCC28019作為本系統的APFC芯片完全達到或超過題目要求的所有指標。關鍵詞：APFC，UCC28019，過流保護，功率因數
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：黃酒配奶茶
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
超低漏失線性穩壓器的技術關鍵，是基準源模塊的設計，在對雙極型LDO穩壓器進行分析的基礎上，提出了對其關鍵模塊基準電壓源進行高精度的設計的方案。
上傳時間： 2013-12-07
上傳用戶：guojin_0704
摘要：采用共源共柵運算放大器作為驅動，設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明：在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益，電源抑制比達到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV，是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞：帶隙基準電壓源；電源抑制比；溫度系數
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：王成林。
嵌入式控制系統的MCU一般都需要一個穩定的工作電壓才能可靠工作。而設計者多習慣采用線性穩壓器件（如78xx系列三端穩壓器件）作為電壓調節和穩壓器件來將較高的直流電壓轉變MCU所需的工作電壓。這種線性穩壓電源的線性調整工作方式在工作中會大的“熱損失”（其值為V壓降×I負荷），其工作效率僅為30%～50%[1]。加之工作在高粉塵等惡劣環境下往往將嵌入式工業控制系統置于密閉容器內的聚集也加劇了MCU的惡劣工況，從而使嵌入式控制系統的穩定性能變得更差。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：哈哈haha
