共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應，在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。
標簽： CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路
上傳時間： 2013-10-08
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MOS關模型 Cgs：由源極和溝道區域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊，第二是耗盡區電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結電容，也是和電壓相關的。這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出，因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多，這個稱為米勒效應。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實際應用的時候需要修改Cgd的值。
標簽： MOS 驅動 功耗計算
上傳時間： 2013-12-09
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熔斷器在公共電網中的電纜保護（從變壓器下端至終端用戶上端）的歷史和未來:配電網絡的安全僅需考慮短路故障發生時的保護不需過多考慮過電流不需過多考慮過載不需遠程控制不需經常操作不需專業人員進行操作不需手動調整概述：1866年當西門子發明第一臺發電機時，德國建立了發電廠。（愛迪生在1879年發明了第一個燈泡，金米勒公司成立于1897年）電網：一百多年來德國的電網一直采用熔斷器作為保護手段，并不斷的發展和進步。六十年前整個歐洲制定了標準，都采用了同樣的保護手段。
標簽： 熔斷器 保護 電網 電纜
上傳時間： 2014-01-03
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初學密碼內容，共享下實現的米勒素數測試代碼，請多多指教
標簽： 密碼
上傳時間： 2015-08-10
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VHDL源代碼，使用VHDL語言編寫，米勒型狀態機
標簽： VHDL 源代碼
上傳時間： 2013-12-18
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VHDL源代碼程序，使用VHDL語言編寫，米勒，莫爾型狀態機
標簽： VHDL 源代碼 程序
上傳時間： 2016-05-26
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這是講解狀態機的一個資料，里面講解了摩爾和米勒狀態機的設計實例，很詳細且有實例。
標簽： 狀態
上傳時間： 2014-01-05
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介紹了構成IGBT驅動電路的基本要求，分析光耦驅動門極電路原理及理論計算，闡述了采用光耦驅動產生米勒效應的原理。最后，給出了消除米勒效應的方法以及通過實驗驗證了消除米勒效應的效果。
標簽： 光耦驅動 igbt
上傳時間： 2022-04-15
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導通壓降兩方面的優點。IGB綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。成為功率半導體器件發展的主流，廣泛應用于風電、光伏、電動汽車、智能電網等行業中。在電動汽車行業中，電機控制器、輔助動力系統，電動空調中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應用于電機控制器中，由于電動汽車電機控制器工作環境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實際開關中存在的米勒效應等寄生參數的直接影響到驅動電路的可靠性1電機控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對1GBT實行比較完善的保護。過流會引起電機控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進行檢測，并由相應的電路來實現保護；過壓一般發生在IGBT關斷時，較大的di/dt會在寄生電感上產生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當降低開關速率。短路故障發生后瞬時就會產生極大的電流，很快就會損壞1GBT，主控制板的過流保護根本來不及，必須由硬件電路控制驅動電路瞬間加以保護。因此驅動器的設計過程中，保護功能設計得是否完善，對系統的安全運行尤其重要。
標簽： 新能源汽車 電機控制器 igbt
上傳時間： 2022-06-22
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勒讓德-高斯求積法求磁感應強度
標簽： 高斯 磁感應強度
上傳時間： 2013-12-28
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