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使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n

8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

標簽： 128 FlashRom 8051 KB

上傳時間： 2013-08-30

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自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式

標簽： CPLD 244 74 HC

上傳時間： 2013-08-31

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<快學易用Protel99se>\r\n

\r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

標簽： Protel 99 se

上傳時間： 2013-09-11

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MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

標簽： THD SINAD ENOB SFDR

上傳時間： 2014-01-22

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基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

標簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

上傳時間： 2014-08-01

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采用歸零法的N進制計數(shù)器原理

計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標簽： 歸零法 N進制計數(shù)器原

上傳時間： 2013-10-11

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p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

上傳時間： 2013-10-31

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N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

 N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

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（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達的國家，各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

標簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

上傳時間： 2014-03-24

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HT45R37 使用SPI 進行資料傳輸?shù)姆椒?/a>

標簽： 45R R37 SPI HT

上傳時間： 2013-11-22

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