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32<b>位寄存器</b>

  • DRAM內存模塊的設計技術

    第二部分:DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖(Unbuffered)內存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內存模塊時序分析...................................154第四章 內存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數據信號線的設計...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討,本文所總結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱為同步動態內存,其核心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進,所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate,也就是雙倍的數據傳輸率,但是其時鐘頻率沒有增加,只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數據的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    標簽: DRAM 內存模塊 設計技術

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:宋桃子

  • LPC1300用戶手冊 Flash存儲器編程固件

    引導裝載程序(boot loader)控制復位后的初始化操作,并提供對Flash存儲器進行編程的方法。這可以對空片進行初始編程、對事先已編程的芯片進行擦除和再編程或者是在系統運行時通過系統中的應用程序對Flash存儲器進行編程。19.3特性在系統編程:在系統編程(ISP)是通過使用引導裝載程序軟件和UART0串口對片內Falsh存儲器進行編程/再編程的方法。這種方法也可以在芯片位于終端用戶板時使用;在應用編程:在應用編程(IAP)是通過終端用戶的應用代碼對片內Flash存儲器進行擦除/寫操作的方法;只有LPC134x系列Cortex-M3微控制器支持從USB端口引導,通過將其枚舉為大容量存儲器等級(MSC)設備來連接到USB主機接口(僅適用于Windows操作系統);Flash訪問時間可通過Flash控制器模塊中的寄存器來配置;每個扇區的擦除時間為100ms±5%;而每個256字節的模塊,其編程時間為1ms±5%。

    標簽: Flash 1300 LPC 用戶手冊

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:weixiao99

  • 理解并使用共享內存

    上一個專欄討論了執行模型和內核啟動執行配置如何影響寄存器數量以及本地多處理器資源(比如共享內存,share memo~)。現在我們繼續討論內存的性能以及共享內存在reverseArray_multiblock_fast.CU中的使用。

    標簽: 共享內存

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:zaizaibang

  • XComDrv是個通訊包

    XComDrv是個通訊包,包含兩個控件:TXComm,封裝了一個通訊設備的若干特性;TXModem,MODEM與MODEM通訊的控件。最新的版本支持:定制流控制;任意波特率;完全的數據控制;指定事件字符;收/發數據;插件。TXModem可以用來:向MODEM設備發送AT指令;修改MODEM寄存器;撥號;連接;斷開。最新版本包括XAsync v.1.2,異步(覆蓋式)操作單元。功能無限制。源代碼:包含,還有EXE演示。適用語言:CB4 CB5 D4 D5

    標簽: XComDrv 通訊

    上傳時間: 2013-12-22

    上傳用戶:Miyuki

  • 1.模擬并發進程共享的臨界資源m1、m2

    1.模擬并發進程共享的臨界資源m1、m2,它聯系著兩個信號量sem1、sem2. 2.模擬并發進程的運行現場:通用寄存器i,程序計數器addr. 3.模擬三個并發進程.

    標簽: 模擬 進程 資源

    上傳時間: 2015-02-25

    上傳用戶:wweqas

  • HM701NEP(S3C44B0X)基本啟動代碼,在此基礎上可以做各種實驗,包括個6文件,44BINIT.S 匯編代碼

    HM701NEP(S3C44B0X)基本啟動代碼,在此基礎上可以做各種實驗,包括個6文件,44BINIT.S 匯編代碼,系統上電、復位及異常處理的入口點。 Memcfg.s 匯編代碼,外部存儲空間配置 OPTION.S 匯編代碼,一些匯編宏定義:RAM的起始地址,中斷入口表地址、RAM類型、系統主頻、PLL控制字等 44B.H S3C44B0X的寄存器地址宏定義 OPTION.h 供C程序使用的一些反映系統工作方式的基本宏定義 Def.h 一些數據類型的縮寫

    標簽: S3C44B0X BINIT 701 NEP

    上傳時間: 2015-03-12

    上傳用戶:來茴

  • 本程序包括一組子程序和中斷程序

    本程序包括一組子程序和中斷程序,通過S7-200自由端口功能來產生從Modbus RTU. 它支持下列Modbus功能:----1.讀輸出(線圈)----2.讀輸入(觸點)----3.讀保持寄存器(V 存儲器).----4.讀輸入寄存器----5.寫單路輸出----6.寫單路保持寄存器----15.寫多路輸出----16.寫多路保持寄存器

    標簽: 程序 中斷程序

    上傳時間: 2013-12-17

    上傳用戶:xaijhqx

  • 讀取一個電機碼盤信號

    讀取一個電機碼盤信號,里面有對串口讀寫,對控制寄存器讀寫的代碼。入門級!

    標簽: 讀取 電機 信號

    上傳時間: 2015-03-18

    上傳用戶:冇尾飛鉈

  • 本文件介紹了80C196KC與8096的區別

    本文件介紹了80C196KC與8096的區別,包括指令、寄存器結構、中斷等方面的變化,有助于熟悉8096開發的人士盡快轉80C196KC。

    標簽: 8096 C196 196 80C

    上傳時間: 2014-01-03

    上傳用戶:q123321

  • 利用橫向遞歸算法解決數據組合的問題

    利用橫向遞歸算法解決數據組合的問題, 比如數組為a, 長度為len, 橫向遞歸 B display(a,len) b是二維數組,a是一維數組

    標簽: 遞歸 算法 數據組合

    上傳時間: 2015-03-21

    上傳用戶:tb_6877751

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