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3v

  • 能量回收系統(tǒng)中超級(jí)電容組均壓策略的研究.rar

    隨著能源危機(jī)日趨嚴(yán)重,新能源的開發(fā)與節(jié)能技術(shù)的研究日趨迫切,而新型儲(chǔ)能元件—超級(jí)電容器的應(yīng)用為能量回收開辟了一條新的道路。 作為新型儲(chǔ)能器件,超級(jí)電容器擁有其它儲(chǔ)能器件無法比擬的優(yōu)點(diǎn)—充放電速度快、功率密度高、使用壽命長(zhǎng)。但由于其額定電壓很低,一般為1V~3v,因此使用時(shí)需多節(jié)串聯(lián)以達(dá)到實(shí)用電壓值,而電容單體參數(shù)不一致必然導(dǎo)致單體電壓不平衡。長(zhǎng)此以往,勢(shì)必嚴(yán)重影響超級(jí)電容組壽命及其工作可靠性。 本文從超級(jí)電容器結(jié)構(gòu)與工作原理入手,詳細(xì)闡述了其各種特性,分析和比較了目前存在的各種電壓均衡電路,確定了適合能量回收系統(tǒng)中超級(jí)電容組的電壓均衡策略,提出了如下兩種方法: 一種是運(yùn)用飛渡電容轉(zhuǎn)移能量的思想,在飛渡電容與超級(jí)電容器之間加入DC/DC變換器,對(duì)超級(jí)電容器恒流充放電,保證了電壓均衡電路快速性。 針對(duì)超級(jí)電容器單體電壓低造成的DC/DC變換器恒流控制困難的問題,本文采用了新型開關(guān)電源芯片LTC3425及LTC3418實(shí)現(xiàn)了恒流輸出,仿真及試驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了該方法的有效性。 另一種方法為基于變壓器的電壓均衡法,該方法引入全橋逆變器和高頻變壓器構(gòu)成了一種新穎的電壓均衡電路。此方法容易獲得超級(jí)電容器串聯(lián)組平均電壓值,使得對(duì)低于平均電壓值的超級(jí)電容器充電非常方便。此方法以較低成本實(shí)現(xiàn)了電壓均衡目的,并通過仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的有效性。 以上兩種方法均通過能量?jī)?nèi)部轉(zhuǎn)移來完成電壓均衡,達(dá)到了較高的均衡效率,適合用于能量回收系統(tǒng)中超級(jí)電容組的電壓均衡。

    標(biāo)簽: 能量 回收

    上傳時(shí)間: 2013-06-08

    上傳用戶:KIM66

  • UDisk-ReadWrite.rar

    性價(jià)比超高的U盤讀寫模塊-PB375,兼容CH375讀寫操作 1. 功能 ● 用于嵌入式系統(tǒng)/單片機(jī)讀寫U 盤、閃盤、閃存盤、USB 移動(dòng)硬盤、USB 讀卡器等。 ● 支持符合USB 相關(guān)規(guī)范基于Bulk-Only 傳輸協(xié)議的各種U 盤/閃存盤/外置硬盤。 ● 支持文件系統(tǒng)FAT12 和FAT16 及FAT32 ● 文件操作功能:新建、刪除、讀寫數(shù)據(jù),打開關(guān)閉文件等。 ● SPI接口,支持3.3v電平 ● 兼容CH375模塊的操作命令 ● 單芯片解決方案,該模塊只需要一個(gè)主控芯片外加少量的電容電阻便可,相對(duì)于51MCU+SL811/CH375的模塊,無論模塊尺寸還是成本都有著極大的優(yōu)勢(shì)。 ● 模塊尺寸:38mm*40mm ● 該模塊可根據(jù)要求進(jìn)行定制 基本不需要占用單片機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)空間,最少只需要幾個(gè)字節(jié)的RAM 和幾百字節(jié)的代碼。 2. 價(jià)格 相比51MCU+SL811/CH375方案有著極其強(qiáng)的價(jià)格優(yōu)勢(shì) 3. 參數(shù) 兼容CH375模塊的讀寫操作命令,新建、刪除、讀寫數(shù)據(jù),打開關(guān)閉文件 4. 應(yīng)用 ? 桌上型儀表及便攜式儀表 ? 電子醫(yī)療儀表 (血壓計(jì)、血糖計(jì)、血脂計(jì)、心電機(jī)等) ? 運(yùn)動(dòng)器材(跑步機(jī)、搖擺機(jī)、、等等之器材) ? 汽車行車記錄器,稅控機(jī) ? 電子系統(tǒng)參數(shù)設(shè)定 ( 溫度控制、行程控制等等之設(shè)備) ? CNC 自動(dòng)化設(shè)備 ( 程序存取設(shè)定) ??數(shù)據(jù)采集 5. 聯(lián)系方式 聯(lián)系人:肖武 電話:13728690655 地址:深圳市南山區(qū)高新中四道30號(hào)龍?zhí)├髲B304

    標(biāo)簽: UDisk-ReadWrite

    上傳時(shí)間: 2013-07-07

    上傳用戶:2467478207

  • MEMS傳感器弱信號(hào)檢測(cè)電路及集成設(shè)計(jì).rar

    高精度慣性加速度計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)時(shí)位移檢測(cè),在當(dāng)今民用和軍用系統(tǒng)如汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、衛(wèi)星火箭和導(dǎo)彈等中間具有廣泛的需求。在高精度慣性加速度計(jì)中,特別需要穩(wěn)定的低噪聲高靈敏度接口電路。事實(shí)上,隨著傳感器性能的不斷提高,接口電路將成為限制整個(gè)系統(tǒng)的主要因素。 本論文在分析差動(dòng)電容式傳感器工作原理的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了針對(duì)電容式加速度計(jì)的全差分開環(huán)低噪聲接口電路。前端電路檢測(cè)傳感器電容的變化,通過積分放大,產(chǎn)生正比于電容波動(dòng)的電壓信號(hào)。 本論文采用開關(guān)電容電路結(jié)構(gòu),使得對(duì)寄生不敏感,信號(hào)靈敏度高,容易與傳感器單片集成。為了得到微重力加速度性能,設(shè)計(jì)電容式位移傳感接口電路時(shí),重點(diǎn)研究了噪聲問題和系統(tǒng)建模問題。仔細(xì)分析了開環(huán)傳感器中的不同噪聲源,并對(duì)其中的一些進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。建立了接口電路寄生電容和寄生電阻模型。 為了更好的提高分辨率,降低噪聲的影響如放大器失調(diào)、1/f噪聲、電荷注入、時(shí)鐘饋通和KT/C噪聲,本論文采用了相關(guān)雙采樣技術(shù)(CDS)。為了限制接口電路噪聲特別是熱噪聲,著重設(shè)計(jì)考慮了前置低噪聲放大器的設(shè)計(jì)及優(yōu)化。由于時(shí)鐘一直導(dǎo)通,特別設(shè)計(jì)了低功耗弛豫振蕩器,振蕩頻率為1.5M。為了減小傳感器充電基準(zhǔn)電壓噪聲,采用兩級(jí)核心基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了高精度基準(zhǔn),電源抑制比高達(dá)90dB。 TSMC 0.18μm工藝中的3.3v電壓和模型,本論文進(jìn)行了spectre仿真。 關(guān)鍵詞:MEMS;電容式加速度計(jì);接口電路;低噪聲放大器;開環(huán)檢測(cè)

    標(biāo)簽: MEMS 傳感器 弱信號(hào)

    上傳時(shí)間: 2013-05-23

    上傳用戶:hphh

  • 級(jí)聯(lián)式流饋推挽DCDC變換器的研究.rar

    由于下一代微處理器的工作電壓越來越低,所需電流越來越大,現(xiàn)有的5V、12V輸入的電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)已經(jīng)不能滿足它的要求了,因此把VRM的輸入母線電壓提高到48V是必然的趨勢(shì)。這樣做能夠減小輸入電流從而使得母線損耗減小,有利于效率提高,同時(shí)可以大大減小輸入濾波器體積。 本課題首先分析了VRM的發(fā)展現(xiàn)狀和常用拓?fù)洌约拔磥淼陌l(fā)展趨勢(shì),并在此基礎(chǔ)上介紹了級(jí)聯(lián)式流饋推挽DC/DC變換器的概念。接著,具體分析了Buck與推挽級(jí)聯(lián)式流饋DC/DC變換器、雙通道交錯(cuò)并聯(lián)型Buck與推挽級(jí)聯(lián)式流饋DC/DC變換器的原理和工作過程。再接著,分別介紹了Buck與推挽級(jí)聯(lián)式流饋DC/DC變換器、雙通道交錯(cuò)并聯(lián)型Buck與推挽級(jí)聯(lián)式流饋DC/DC變換器及其控制同路的建模和設(shè)計(jì)方法,并給出設(shè)計(jì)實(shí)例。最后,分別用這兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)制作了兩臺(tái)48V輸入、3.3v/10A輸出的樣機(jī),并對(duì)兩者進(jìn)行了一定的實(shí)驗(yàn)比較研究,以驗(yàn)證設(shè)計(jì)的有效性。

    標(biāo)簽: DCDC 級(jí)聯(lián) 變換器

    上傳時(shí)間: 2013-07-29

    上傳用戶:gxrui1991

  • FPGA中多標(biāo)準(zhǔn)可編程IO端口的設(shè)計(jì).rar

    現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA,F(xiàn)ield Programmable Gate Array)是可編程邏輯器件的一種,它的出現(xiàn)是隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,設(shè)計(jì)與制造集成電路的任務(wù)已不完全由半導(dǎo)體廠商來獨(dú)立承擔(dān)。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師們更愿意自己設(shè)計(jì)專用集成電路(ASIC,Application Specific Integrated Circuit).芯片,而且希望ASIC的設(shè)計(jì)周期盡可能短,最好是在實(shí)驗(yàn)室里就能設(shè)計(jì)出合適的ASIC芯片,并且立即投入實(shí)際應(yīng)用之中。現(xiàn)在,F(xiàn)PGA已廣泛地運(yùn)用于通信領(lǐng)域、消費(fèi)類電子和車用電子。 本文中涉及的I/O端口模塊是FPGA中最主要的幾個(gè)大模塊之一,它的主要作用是提供封裝引腳到CLB之間的接口,將外部信號(hào)引入FPGA內(nèi)部進(jìn)行邏輯功能的實(shí)現(xiàn)并把結(jié)果輸出給外部電路,并且根據(jù)需要可以進(jìn)行配置來支持多種不同的接口標(biāo)準(zhǔn)。FPGA允許使用者通過不同編程來配置實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能,在IO端口中它可以通過選擇配置方式來兼容不同信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)的I/O緩沖器電路。總體而言,可選的I/O資源的特性包括:IO標(biāo)準(zhǔn)的選擇、輸出驅(qū)動(dòng)能力的編程控制、擺率選擇、輸入延遲和維持時(shí)間控制等。 本文是關(guān)于FPGA中多標(biāo)準(zhǔn)兼容可編程輸入輸出電路(Input/Output Block)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn),該課題是成都華微電子系統(tǒng)有限公司FPGA大項(xiàng)目中的一子項(xiàng),目的為在更新的工藝水平上設(shè)計(jì)出能夠兼容單端標(biāo)準(zhǔn)的I/O電路模塊;同時(shí)針對(duì)以前設(shè)計(jì)的I/O模塊不支持雙端標(biāo)準(zhǔn)的缺點(diǎn),要求新的電路模塊中擴(kuò)展出雙端標(biāo)準(zhǔn)的部分。文中以低壓雙端差分標(biāo)準(zhǔn)(LVDS)為代表構(gòu)建雙端標(biāo)準(zhǔn)收發(fā)轉(zhuǎn)換電路,與單端標(biāo)準(zhǔn)比較,LVDS具有很多優(yōu)點(diǎn): (1)LVDS傳輸?shù)男盘?hào)擺幅小,從而功耗低,一般差分線上電流不超過4mA,負(fù)載阻抗為100Ω。這一特征使它適合做并行數(shù)據(jù)傳輸。 (2)LVDS信號(hào)擺幅小,從而使得該結(jié)構(gòu)可以在2.5V的低電壓下工作。 (3)LVDS輸入單端信號(hào)電壓可以從0V到2.4V變化,單端信號(hào)擺幅為400mV,這樣允許輸入共模電壓從0.2V到2.2V范圍內(nèi)變化,也就是說LVDS允許收發(fā)兩端地電勢(shì)有±1V的落差。 本文采用0.18μm1.8V/3.3v混合工藝,輔助Xilinx公司FPGA開發(fā)軟件ISE,設(shè)計(jì)完成了可以用于Virtex系列各低端型號(hào)FPGA的IOB結(jié)構(gòu),它有靈活的可配置性和出色的適應(yīng)能力,能支持大量的I/O標(biāo)準(zhǔn),其中包括單端標(biāo)準(zhǔn),也包括雙端標(biāo)準(zhǔn)如LVDS等。它具有適應(yīng)性的優(yōu)點(diǎn)、可選的特性和考慮到被文件描述的硬件結(jié)構(gòu)特征,這些特點(diǎn)可以改進(jìn)和簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì),為最終的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)打下基礎(chǔ)。設(shè)計(jì)中對(duì)包括20種IO標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)的各電器參數(shù)按照用戶手冊(cè)描述進(jìn)行仿真驗(yàn)證,性能參數(shù)已達(dá)到預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。

    標(biāo)簽: FPGA 標(biāo)準(zhǔn) 可編程

    上傳時(shí)間: 2013-05-15

    上傳用戶:shawvi

  • FPGA可配置端口電路的設(shè)計(jì).rar

    可配置端口電路是FPGA芯片與外圍電路連接關(guān)鍵的樞紐,它有諸多功能:芯片與芯片在數(shù)據(jù)上的傳遞(包括對(duì)輸入信號(hào)的采集和輸出信號(hào)輸出),電壓之間的轉(zhuǎn)換,對(duì)外圍芯片的驅(qū)動(dòng),完成對(duì)芯片的測(cè)試功能以及對(duì)芯片電路保護(hù)等。 本文采用了自頂向下和自下向上的設(shè)計(jì)方法,依據(jù)可配置端口電路能實(shí)現(xiàn)的功能和工作原理,運(yùn)用Cadence的設(shè)計(jì)軟件,結(jié)合華潤(rùn)上華0.5μm的工藝庫,設(shè)計(jì)了一款性能、時(shí)序、功耗在整體上不亞于xilinx4006e[8]的端口電路。主要研究以下幾個(gè)方面的內(nèi)容: 1.基于端口電路信號(hào)寄存器的采集和輸出方式,本論文設(shè)計(jì)的端口電路可以通過配置將它設(shè)置成單沿或者雙沿的觸發(fā)方式[7],并完成了Verilog XL和Hspiee的功能和時(shí)序仿真,且建立時(shí)間小于5ns和保持時(shí)間在0ns左右。和xilinx4006e[8]相比較滿足設(shè)計(jì)的要求。 2.基于TAP Controller的工作原理及它對(duì)16種狀態(tài)機(jī)轉(zhuǎn)換的控制,對(duì)16種狀態(tài)機(jī)的轉(zhuǎn)換完成了行為級(jí)描述和實(shí)現(xiàn)了捕獲、移位、輸出、更新等主要功能仿真。 3.基于邊界掃描電路是對(duì)觸發(fā)器級(jí)聯(lián)的構(gòu)架這一特點(diǎn),設(shè)計(jì)了一款邊界掃描電路,并運(yùn)用Verilog XL和Hspiee對(duì)它進(jìn)行了功能和時(shí)序的仿真。達(dá)到對(duì)芯片電路測(cè)試設(shè)計(jì)的要求。 4.對(duì)于端口電路來講,有時(shí)需要將從CLB中的輸出數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)異或、同或、與以及或的功能,為此本文采用二次函數(shù)輸出的電路結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)以上的功能,并運(yùn)用Verilog XL和Hspiee對(duì)它進(jìn)行了功能和時(shí)序的仿真。滿足設(shè)計(jì)要求。 5.對(duì)于0.5μm的工藝而言,輸入端口的電壓通常是3.3v和5V,為此根據(jù)設(shè)置不同的上、下MOS管尺寸來調(diào)整電路的中點(diǎn)電壓,將端口電路設(shè)計(jì)成3.3v和5V兼容的電路,通過仿真性能上已完全達(dá)到這一要求。此外,在輸入端口處加上擴(kuò)散電阻R和電容C組成噪聲濾波電路,這個(gè)電路能有效地抑制加到輸入端上的白噪聲型噪聲電壓[2]。 6.在噪聲和延時(shí)不影響電路正常工作的范圍內(nèi),具有三態(tài)控制和驅(qū)動(dòng)大負(fù)載的功能。通過對(duì)管子尺寸的大小設(shè)置和驅(qū)動(dòng)大小的仿真表明:在實(shí)現(xiàn)TTL高電平輸出時(shí),最大的驅(qū)動(dòng)電流達(dá)到170mA,而對(duì)應(yīng)的xilinx4006e的TTL高電平最大驅(qū)動(dòng)電流為140mA[8];同樣,在實(shí)現(xiàn)CMOS高電平最大驅(qū)動(dòng)電流達(dá)到200mA,而xilinx4006e的CMOS驅(qū)動(dòng)電流達(dá)到170[8]mA。 7.與xilinx4006e端口電路相比,在延時(shí)和面積以及功耗略大的情況下,本論文研究設(shè)計(jì)的端口電路增加了雙沿觸發(fā)、將輸出數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)二次函數(shù)的輸出方式、通過添加譯碼器將配置端口的數(shù)目減少的新的功能,且驅(qū)動(dòng)能力更加強(qiáng)大。

    標(biāo)簽: FPGA 可配置 端口

    上傳時(shí)間: 2013-07-20

    上傳用戶:頂?shù)弥?/p>

  • TPS3510 TPS3511 PC電源監(jiān)控

    TPS3510/1 能使個(gè)人計(jì)算機(jī)開關(guān)式電源系統(tǒng)的外部組件最小化TPS3510/1 提供保護(hù)電路電壓指示器初始保護(hù)輸出FPO 和PSON 控制過壓保護(hù)OVP 監(jiān)視3.3v,3v 和12V

    標(biāo)簽: TPS 3510 3511 PC電源

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:wangchong

  • 做DSP最應(yīng)該懂得157個(gè)問題的回答

    TI DSP的發(fā)展同集成電路的發(fā)展一樣,新的DSP都是3.3v的,但目前還有許多外圍電路是5V的,因此在DSP系統(tǒng)中,經(jīng)常有5V和3.3v的DSP混接問題。在這些系統(tǒng)中,應(yīng)注意: 1)DSP輸出給5V

    標(biāo)簽: DSP 157

    上傳時(shí)間: 2013-07-19

    上傳用戶:wkchong

  • 單片機(jī)讀寫U盤

    性價(jià)比超高的U盤讀寫模塊-PB375A PB375A是一個(gè)傻瓜化、簡(jiǎn)單化的U盤讀寫解決方案。您無需了解繁瑣USB HOST底層協(xié)議和FAT文件系統(tǒng),只需要將您的系統(tǒng)mcu與模塊通過SPI或者UART通信,操作幾個(gè)簡(jiǎn)單命令,便可完成讀寫創(chuàng)建刪除文件等等功能,讓您的系統(tǒng)非常簡(jiǎn)單快速的增加U盤讀寫功能。該解決方案是目前國(guó)內(nèi)性價(jià)比最高的解決方案。可以根據(jù)您的需求提供芯片或者模塊,為您不斷壓縮成本,占領(lǐng)市場(chǎng)先機(jī)。 基本不需要占用單片機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)空間,最少只需要幾個(gè)字節(jié)的RAM 和幾百字節(jié)的代碼。 價(jià)格 :相比51MCU+SL811/CH375方案有著極其強(qiáng)的價(jià)格優(yōu)勢(shì) 功能:新建、刪除、讀寫數(shù)據(jù),打開關(guān)閉文件 檢測(cè)U盤是否存在,滿足單片機(jī)及嵌入式系統(tǒng)讀寫操作U盤的要求。 技術(shù)特征 # ● 用于嵌入式系統(tǒng)/單片機(jī)讀寫U 盤、閃盤、閃存盤、USB 移動(dòng)硬盤、USB 讀卡器等。 ● 支持符合USB 相關(guān)規(guī)范基于Bulk-Only 傳輸協(xié)議的各種U 盤/閃存盤/外置硬盤。 ● 支持文件系統(tǒng)FAT12 和FAT16 及FAT32 ● 文件操作功能:新建、刪除、讀寫數(shù)據(jù),打開關(guān)閉文件等。 ● SPI接口,支持3.3v電平 ● 單芯片解決方案,該模塊只需要一個(gè)主控芯片外加少量的電容電阻便可,相對(duì)于51MCU+SL811/CH375的模塊,無論模塊尺寸還是成本都有著極大的優(yōu)勢(shì)。 ● 模塊尺寸:31mm*36mm ● 該模塊可根據(jù)要求進(jìn)行定制 # 豐富的例程代碼幫助您更好的開發(fā) # 更多詳情請(qǐng)查看資料或與我們聯(lián)系

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 讀寫U盤

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:安首宏A

  • ISD4004.rar

    ISD4004系列工作電壓3v

    標(biāo)簽: 4004 ISD

    上傳時(shí)間: 2013-07-27

    上傳用戶:changeboy

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